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UCC21732

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IGBT/SiC FET용 2레벨 끄기 기능을 지원하는 5.7kVrms, ±10A 단일 채널 절연 게이트 드라이버

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UCC21732

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제품 상세 정보

Number of channels 1 Isolation rating Reinforced Power switch IGBT, SiCFET Withstand isolation voltage (VISO) (Vrms) 5700 Working isolation voltage (VIOWM) (Vrms) 1500 Transient isolation voltage (VIOTM) (VPK) 8000 Peak output current (A) 10 Peak output current (source) (typ) (A) 10 Peak output current (sink) (typ) (A) 10 Features Active miller clamp, Fault reporting, Integrated analog to PWM sensor, Over Current Protection, Power good, Short circuit protection, Soft turn-off, Two-level turn-off Output VCC/VDD (min) (V) 13 Output VCC/VDD (max) (V) 33 Input supply voltage (min) (V) 3 Input supply voltage (max) (V) 5.5 Propagation delay time (µs) 0.09 Input threshold CMOS Operating temperature range (°C) -40 to 125 Rating Catalog Bootstrap supply voltage (max) (V) 800 Rise time (ns) 28 Fall time (ns) 24 Undervoltage lockout (typ) (V) 12
Number of channels 1 Isolation rating Reinforced Power switch IGBT, SiCFET Withstand isolation voltage (VISO) (Vrms) 5700 Working isolation voltage (VIOWM) (Vrms) 1500 Transient isolation voltage (VIOTM) (VPK) 8000 Peak output current (A) 10 Peak output current (source) (typ) (A) 10 Peak output current (sink) (typ) (A) 10 Features Active miller clamp, Fault reporting, Integrated analog to PWM sensor, Over Current Protection, Power good, Short circuit protection, Soft turn-off, Two-level turn-off Output VCC/VDD (min) (V) 13 Output VCC/VDD (max) (V) 33 Input supply voltage (min) (V) 3 Input supply voltage (max) (V) 5.5 Propagation delay time (µs) 0.09 Input threshold CMOS Operating temperature range (°C) -40 to 125 Rating Catalog Bootstrap supply voltage (max) (V) 800 Rise time (ns) 28 Fall time (ns) 24 Undervoltage lockout (typ) (V) 12
SOIC (DW) 16 106.09 mm² (10.3 mm × 10.3 mm)
  • 5.7kVRMS single channel isolated gate driver
  • SiC MOSFETs and IGBTs up to 2121Vpk
  • 33V maximum output drive voltage (VDD-VEE)
  • ±10A drive strength and split output
  • 150V/ns minimum CMTI
  • 270ns response time fast overcurrent protection
  • Internal 2-level turn-off when fault happens
  • Isolated analog sensor with PWM output for
    • Temperature sensing with NTC, PTC or thermal diode
    • High voltage DC-Link or phase voltage
  • Alarm FLT on over current and reset from RST/EN
  • Fast enable/disable response on RST/EN
  • Reject <40ns noise transient and pulse on input pins
  • 12V VDD UVLO with power good on RDY
    • VDD UVLO 12V
  • Inputs/outputs with over/under-shoot transient voltage Immunity up to 5V
  • 130ns (maximum) propagation delay and 30ns (maximum) pulse/part skew
  • SOIC-16 DW package with creepage and clearance distance > 8mm
  • Operating junction temperature –40°C to 150°C
  • Safety-related certifications:
    • 8000VPK VIOTM and 2121VPK VIORM Reinforced Isolation per DIN EN IEC 60747-17 (VDE 0884-17)
    • 5700VRMS isolation for 1 minute per UL1577
  • 5.7kVRMS single channel isolated gate driver
  • SiC MOSFETs and IGBTs up to 2121Vpk
  • 33V maximum output drive voltage (VDD-VEE)
  • ±10A drive strength and split output
  • 150V/ns minimum CMTI
  • 270ns response time fast overcurrent protection
  • Internal 2-level turn-off when fault happens
  • Isolated analog sensor with PWM output for
    • Temperature sensing with NTC, PTC or thermal diode
    • High voltage DC-Link or phase voltage
  • Alarm FLT on over current and reset from RST/EN
  • Fast enable/disable response on RST/EN
  • Reject <40ns noise transient and pulse on input pins
  • 12V VDD UVLO with power good on RDY
    • VDD UVLO 12V
  • Inputs/outputs with over/under-shoot transient voltage Immunity up to 5V
  • 130ns (maximum) propagation delay and 30ns (maximum) pulse/part skew
  • SOIC-16 DW package with creepage and clearance distance > 8mm
  • Operating junction temperature –40°C to 150°C
  • Safety-related certifications:
    • 8000VPK VIOTM and 2121VPK VIORM Reinforced Isolation per DIN EN IEC 60747-17 (VDE 0884-17)
    • 5700VRMS isolation for 1 minute per UL1577

The UCC21732 is a galvanic isolated single channel gate driver designed for SiC MOSFETs and IGBTs up to 2121V DC operating voltage with advanced protection features, best-in-class dynamic performance and robustness. The UCC21732 has up to ±10A peak source and sink current.

The input side is isolated from the output side with SiO2 capacitive isolation technology, supporting up to 1.5kVRMS working voltage, 12.8kVPK surge immunity with longer than 40 years Isolation barrier life, as well as providing low part-to-part skew , >150V/ns common mode noise immunity (CMTI).

The UCC21732 includes the state-of-art protection features, such as fast overcurrent and short circuit detection, shunt current sensing support, fault reporting, active miller clamp, input and output side power supply UVLO to optimize SiC and IGBT switching behavior and robustness. The isolated analog to PWM sensor can be utilized for easier temperature or voltage sensing, further increasing the drivers’ versatility and simplifying the system design effort, size and cost.

The UCC21732 is a galvanic isolated single channel gate driver designed for SiC MOSFETs and IGBTs up to 2121V DC operating voltage with advanced protection features, best-in-class dynamic performance and robustness. The UCC21732 has up to ±10A peak source and sink current.

The input side is isolated from the output side with SiO2 capacitive isolation technology, supporting up to 1.5kVRMS working voltage, 12.8kVPK surge immunity with longer than 40 years Isolation barrier life, as well as providing low part-to-part skew , >150V/ns common mode noise immunity (CMTI).

The UCC21732 includes the state-of-art protection features, such as fast overcurrent and short circuit detection, shunt current sensing support, fault reporting, active miller clamp, input and output side power supply UVLO to optimize SiC and IGBT switching behavior and robustness. The isolated analog to PWM sensor can be utilized for easier temperature or voltage sensing, further increasing the drivers’ versatility and simplifying the system design effort, size and cost.
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기술 자료

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* 데이터 시트 UCC21732 10A Source/Sink Reinforced Isolated Single Channel Gate Driver for SiC/IGBT with Active Protection, Isolated Analog Sensing and High-CMTI datasheet (Rev. C) PDF | HTML 2024. 1. 18
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애플리케이션 노트 Performance of the Analog PWM Channel in Smart Gate Drivers 2020. 1. 16
사용 설명서 UCC217xx Family Driving and Protecting SiC and IGBT Power Modules and Transistor (Rev. B) 2019. 9. 9
Application brief Why is high UVLO important for safe IGBT & SiC MOSFET power switch operation 2019. 1. 30

설계 및 개발

추가 조건 또는 필수 리소스는 사용 가능한 경우 아래 제목을 클릭하여 세부 정보 페이지를 확인하세요.

평가 보드

UCC21732QDWEVM-025 — SiC 및 IGBT 트랜지스터 및 전원 모듈용 구동 및 보호 평가 보드

UCC21732QDWEVM-025는 150 x 62 x 17mm 및 106 x 62 x 30mm 패키지에 포함된 SiC MOSFET 및 Si IGBT 전원 모듈에 필요한 드라이브, 바이어스 전압, 보호 및 진단을 제공하는 소형 단일 채널 절연 게이트 드라이버 보드입니다. 이 TI EVM은 8.0mm 연면 및 간극의 SOIC-16DW 패키지로 제공되는 5.7kVrms 강화 절연 드라이버 UCC217XX을 기반으로 합니다. 이 EVM에는 SN6505B 기반 절연 DC-DC 변압기 바이어스 공급 장치가 포함되어 있습니다.

지원되는 제품 및 하드웨어
재고 있음
제한:
??asset.out-of-stock-ti_ko_KR??
이용할 수 없음
시뮬레이션 모델

UCC21732 Unencrypted PSPICE Transient Model

SLUM717.ZIP (6 KB) - PSpice 모델
지원되는 제품 및 하드웨어
레퍼런스 디자인

PMP23223 — 바이어스 공급 장치가 포함된 스마트 절연 게이트 드라이버 레퍼런스 설계

이 레퍼런스 설계에서는 UCC21732 게이트 드라이버와 UCC14xxx 시리즈 바이어스 공급 장치의 조합을 보여줍니다. 이 설계는 Wolfspeed SiC(실리콘 카바이드) FET( Wolfspeed Silicon Carbide (SiC) FET(전계 효과 트랜지스터) 모듈 등 다양한 전원 스위치 구동에 사용할 수 있습니다. 이 레퍼런스 설계는 고압측 또는 저압측 드라이버 역할을 할 수도 있고, 정전 용량 모조 부하와 함께 테스트할 수도 있습니다.

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SOIC (DW) 16 Ultra Librarian
TI의 평가 항목에 대한 표준 약관이 적용됩니다.

주문 및 품질

권장 제품에는 본 TI 제품과 관련된 매개 변수, 평가 모듈 또는 레퍼런스 디자인이 있을 수 있습니다.

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