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TPS7H6005-SP

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Radiation-hardened, QML-P, 200V half-bridge GaN gate driver

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TPS7H6005-SP

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제품 상세 정보

Bootstrap supply voltage (max) (V) 200 Power switch GaNFET Input supply voltage (min) (V) 10 Input supply voltage (max) (V) 16 Peak output current (A) 1.3 Operating temperature range (°C) -55 to 125 Undervoltage lockout (typ) (V) 8 Rating Space Propagation delay time (µs) 0.035 Rise time (ns) 0.4 Fall time (ns) 4 Iq (mA) 0.5 Input threshold TTL Channel input logic TTL/PWM Features Dead time control, Interlock, Internal LDO Driver configuration Half bridge
Bootstrap supply voltage (max) (V) 200 Power switch GaNFET Input supply voltage (min) (V) 10 Input supply voltage (max) (V) 16 Peak output current (A) 1.3 Operating temperature range (°C) -55 to 125 Undervoltage lockout (typ) (V) 8 Rating Space Propagation delay time (µs) 0.035 Rise time (ns) 0.4 Fall time (ns) 4 Iq (mA) 0.5 Input threshold TTL Channel input logic TTL/PWM Features Dead time control, Interlock, Internal LDO Driver configuration Half bridge
HTSSOP (DCA) 56 113.4 mm² (14 mm × 8.1 mm)
  • Radiation performance:
    • Radiation-hardness-assurance (RHA) up to total ionizing dose (TID) of 100krad(Si)
    • Single-event transient (SET), single-event burnout (SEB), and single-event gate rupture (SEGR) immune to linear energy transfer (LET) = 75MeV-cm2/mg
    • Single-event transient (SET) and single-event functional interrupt (SEFI) characterized up to LET = 75MeV-cm2/mg
  • 1.3A peak source, 2.5A peak sink current
  • Two operational modes:
    • Single PWM input with adjustable dead time
    • Two independent inputs
  • Selectable input interlock protection in independent input mode
  • Split outputs for adjustable turn-on and turn-off times
  • 30ns typical propagation delay in independent input mode
  • 5.5ns typical delay matching
  • Plastic packages outgas tested per ASTM E595
  • Available in military temperature range (–55°C to 125°C)
  • Radiation performance:
    • Radiation-hardness-assurance (RHA) up to total ionizing dose (TID) of 100krad(Si)
    • Single-event transient (SET), single-event burnout (SEB), and single-event gate rupture (SEGR) immune to linear energy transfer (LET) = 75MeV-cm2/mg
    • Single-event transient (SET) and single-event functional interrupt (SEFI) characterized up to LET = 75MeV-cm2/mg
  • 1.3A peak source, 2.5A peak sink current
  • Two operational modes:
    • Single PWM input with adjustable dead time
    • Two independent inputs
  • Selectable input interlock protection in independent input mode
  • Split outputs for adjustable turn-on and turn-off times
  • 30ns typical propagation delay in independent input mode
  • 5.5ns typical delay matching
  • Plastic packages outgas tested per ASTM E595
  • Available in military temperature range (–55°C to 125°C)

The TPS7H60x5 series of radiation-hardness-assured (RHA) gallium nitride (GaN) field effect transistor (FET) gate drivers is designed for high frequency, high efficiency, and high current applications. The series consists of the TPS7H6005 (200V rating), the TPS7H6015 (60V rating), and the TPS7H6025 (22V rating). Each of these devices has a 56-pin HTSSOP plastic package and availability in both the QMLP and Space Enhanced Plastic (SEP) grades. The drivers feature adjustable dead time capability, small 30ns propagation delay, and 5.5ns high-side and low-side matching. These parts also include internal high-side and low-side LDOs, which ensure a drive voltage of 5V regardless of supply voltage. The TPS7H60x5 drivers all have split-gate outputs, providing flexibility to adjust the turn-on and turn-off strength of the outputs independently.

The TPS7H60x5 drivers feature two control input modes: independent input mode (IIM) and PWM mode. In IIM each of the outputs is controlled by a dedicated input. In PWM mode, two complementary outputs signals are generated from a single input and the user can adjust the dead time for each edge.

The gate drivers also offer user configurable input interlock in independent input mode as anti-shoot through protection. Input interlock disallows turn-on of both outputs when both inputs are on simultaneously. The user has the option to enable or disable this protection in independent input mode, which allows the driver to be used in a number of different converter configurations. The drivers can also be utilized for both half-bridge and dual-low side converter applications.

The TPS7H60x5 series of radiation-hardness-assured (RHA) gallium nitride (GaN) field effect transistor (FET) gate drivers is designed for high frequency, high efficiency, and high current applications. The series consists of the TPS7H6005 (200V rating), the TPS7H6015 (60V rating), and the TPS7H6025 (22V rating). Each of these devices has a 56-pin HTSSOP plastic package and availability in both the QMLP and Space Enhanced Plastic (SEP) grades. The drivers feature adjustable dead time capability, small 30ns propagation delay, and 5.5ns high-side and low-side matching. These parts also include internal high-side and low-side LDOs, which ensure a drive voltage of 5V regardless of supply voltage. The TPS7H60x5 drivers all have split-gate outputs, providing flexibility to adjust the turn-on and turn-off strength of the outputs independently.

The TPS7H60x5 drivers feature two control input modes: independent input mode (IIM) and PWM mode. In IIM each of the outputs is controlled by a dedicated input. In PWM mode, two complementary outputs signals are generated from a single input and the user can adjust the dead time for each edge.

The gate drivers also offer user configurable input interlock in independent input mode as anti-shoot through protection. Input interlock disallows turn-on of both outputs when both inputs are on simultaneously. The user has the option to enable or disable this protection in independent input mode, which allows the driver to be used in a number of different converter configurations. The drivers can also be utilized for both half-bridge and dual-low side converter applications.
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기술 자료

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* 데이터 시트 TPS7H60x5-SP and TPS7H60x5-SEP Radiation-Hardness-Assured Half Bridge GaN FET Gate Drivers datasheet (Rev. C) PDF | HTML 2025. 4. 11
* 방사능 및 안정성 보고서 TPS7H6005-SP/-SEP, TPS7H6015-SP/-SEP, TPS7H6025-SP/-SEP Neutron Displacement Damage Characterization Report (Rev. B) 2025. 12. 5
* 방사능 및 안정성 보고서 TPS7H6005-SP, TPS7H6015-SP, TPS7H6025-SP Single-Event Effects (SEE) Report PDF | HTML 2025. 2. 27
* 방사능 및 안정성 보고서 TPS7H6005-SP Total Ionizing Dose (TID) Preliminary Report 2024. 7. 16
선택 가이드 TI Space Products (Rev. L) 2026. 3. 27
Application brief DLA Approved Optimizations for QML Products (Rev. C) PDF | HTML 2025. 6. 17
애플리케이션 노트 Heavy Ion Orbital Environment Single-Event Effects Estimations (Rev. B) PDF | HTML 2025. 6. 10
기술 문서 전력 시스템으로 차세대 위성의 SWaP를 최적화하는 방법 (Rev. A) PDF | HTML Download English Version (Rev.A) 2025. 3. 20
애플리케이션 노트 QML flow, its importance, and obtaining lot information (Rev. C) 2023. 8. 30
애플리케이션 노트 Single-Event Effects Confidence Interval Calculations (Rev. A) PDF | HTML 2022. 10. 19
애플리케이션 노트 DLA Standard Microcircuit Drawings (SMD) and JAN Part Numbers Primer 2020. 8. 21
e북 Radiation Handbook for Electronics (Rev. A) 2019. 5. 21

설계 및 개발

추가 조건 또는 필수 리소스는 사용 가능한 경우 아래 제목을 클릭하여 세부 정보 페이지를 확인하세요.

평가 보드

TPS7H6005EVM — TPS7H6005-SEP 평가 모듈

TPS7H6005 평가 모듈은 TPS7H6005-SEP 게이트 드라이버의 작동을 보여줍니다. 기본적으로 평가 모듈은 하나의 스위칭 신호 입력을 수용하고 내부적으로 보완전 신호를 생성하는 TPS7H60XX-SP의 PWM 모드로 실행되도록 설정되어 있습니다. 이 모드는 두 출력이 서로 독립적으로 작동하는 장치의 IIM 모드로 변경할 수 있습니다.

사용 설명서: PDF | HTML
지원되는 제품 및 하드웨어
재고 있음
제한:
??asset.out-of-stock-ti_ko_KR??
이용할 수 없음
시뮬레이션 모델

TPS7H60x3-SP PSpice Transient Model

SNOM790.ZIP (46 KB) - PSpice 모델
지원되는 제품 및 하드웨어
시뮬레이션 모델

TPS7H60x3/TPS7H60x5 SIMPLIS Model

SNOM811.ZIP (22 KB) - SIMPLIS 모델
지원되는 제품 및 하드웨어
레퍼런스 디자인

PMP23598 — 우주 애플리케이션을 위한 75W 동기 포워드 컨버터 참조 설계

이 레퍼런스 설계는 방사능 내성 TPS7H5020-SEP PWM 컨트롤러와 방사선 내성 TPS7H6005-SEP 200V GaN 하프브리지 게이트 드라이버를 사용하여 고효율 동기 포워드 토폴로지를 구현합니다. 출력 전압을 정확하게 직접 감지하고 높은 루프 대역폭을 달성하기 위해 PWM 컨트롤러는 2차 측에 배치됩니다. 하프브리지 게이트 드라이버 내의 커패시티브 절연 TX 및 RX 레벨 시프터는 전기적 절연을 유지하면서 PWM 파형을 2차 측에서 1차 측으로 전달합니다.

지원되는 제품 및 하드웨어
패키지 핀 CAD 기호, 풋프린트 및 3D 모델
HTSSOP (DCA) 56 Ultra Librarian
TI의 평가 항목에 대한 표준 약관이 적용됩니다.

주문 및 품질

권장 제품에는 본 TI 제품과 관련된 매개 변수, 평가 모듈 또는 레퍼런스 디자인이 있을 수 있습니다.

지원 및 교육

TI 엔지니어의 기술 지원을 받을 수 있는 TI E2E™ 포럼

포럼 주제 모두 보기(영문)

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