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TPS7H6003-SP

활성

Radiation-hardened, QML-V, 200V half-bridge GaN gate driver

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TPS7H6003-SP

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제품 상세 정보

Bootstrap supply voltage (max) (V) 200 Power switch GaNFET Input supply voltage (min) (V) 10 Input supply voltage (max) (V) 16 Peak output current (A) 1.3 Operating temperature range (°C) -55 to 125 Undervoltage lockout (typ) (V) 8 Rating Space Propagation delay time (µs) 0.035 Rise time (ns) 0.4 Fall time (ns) 4 Iq (mA) 0.5 Input threshold TTL Channel input logic TTL/PWM Features Dead time control, Interlock, Internal LDO Driver configuration Half bridge
Bootstrap supply voltage (max) (V) 200 Power switch GaNFET Input supply voltage (min) (V) 10 Input supply voltage (max) (V) 16 Peak output current (A) 1.3 Operating temperature range (°C) -55 to 125 Undervoltage lockout (typ) (V) 8 Rating Space Propagation delay time (µs) 0.035 Rise time (ns) 0.4 Fall time (ns) 4 Iq (mA) 0.5 Input threshold TTL Channel input logic TTL/PWM Features Dead time control, Interlock, Internal LDO Driver configuration Half bridge
CFP (HBX) 48 468.72 mm² (16.74 mm × 28 mm)
  • Radiation Performance:
    • Radiation-hardness-assurance (RHA) up to total ionizing dose (TID) of 100krad(Si)
    • Single-event latchup (SEL), single-event burnout (SEB), and single-event gate rupture (SEGR) immune to linear energy transfer (LET) = 75MeV-cm2/mg
    • Single-event transient (SET) and single-event functional interrupt (SEFI) characterized up to LET = 75MeV-cm2/mg
  • 1.3A peak source, 2.5A peak sink current
  • Two operational modes:
    • Single PWM input with adjustable dead time
    • Two independent inputs
  • Selectable input interlock protection in independent input mode
  • Split outputs for adjustable turn-on and turn-off times
  • 30ns typical propagation delay in independent input mode
  • 5.5ns typical delay matching
  • Radiation Performance:
    • Radiation-hardness-assurance (RHA) up to total ionizing dose (TID) of 100krad(Si)
    • Single-event latchup (SEL), single-event burnout (SEB), and single-event gate rupture (SEGR) immune to linear energy transfer (LET) = 75MeV-cm2/mg
    • Single-event transient (SET) and single-event functional interrupt (SEFI) characterized up to LET = 75MeV-cm2/mg
  • 1.3A peak source, 2.5A peak sink current
  • Two operational modes:
    • Single PWM input with adjustable dead time
    • Two independent inputs
  • Selectable input interlock protection in independent input mode
  • Split outputs for adjustable turn-on and turn-off times
  • 30ns typical propagation delay in independent input mode
  • 5.5ns typical delay matching

The TPS7H60x3-SP series of radiation-hardness-assured (RHA) gallium nitride (GaN) field effect transistor (FET) gate drivers is designed for high frequency, high efficiency applications. The series consists of the TPS7H6003-SP (200V rating), TPS7H6013-SP (60V rating), and the TPS7H6023-SP (22V rating). The drivers feature adjustable dead time capability, small 30ns propagation delay, and 5.5ns high-side and low-side matching. These parts also include internal high-side and low-side LDOs which ensure a drive voltage of 5V regardless of supply voltage. The TPS7H60x3-SP drivers all have split-gate outputs, providing flexibility to adjust the turn-on and turn-off strength of the outputs independently.

The TPS7H60x3-SP drivers feature two control input modes: independent input mode (IIM) and PWM mode. In IIM each of the outputs is controlled by a dedicated input. In PWM mode, two complementary outputs signals are generated from a single input and the user can adjust the dead time for each edge.

The gate drivers also offer user configurable input interlock in independent input mode as anti-shoot through protection. Input interlock disallows turn-on of both outputs when both inputs are on simultaneously. The user has the option to enable or disable this protection in independent input mode, which allows the driver to be used in a number of different converter configurations. The drivers can also be utilized for both half-bridge and dual-low side converter applications.

The TPS7H60x3-SP series of radiation-hardness-assured (RHA) gallium nitride (GaN) field effect transistor (FET) gate drivers is designed for high frequency, high efficiency applications. The series consists of the TPS7H6003-SP (200V rating), TPS7H6013-SP (60V rating), and the TPS7H6023-SP (22V rating). The drivers feature adjustable dead time capability, small 30ns propagation delay, and 5.5ns high-side and low-side matching. These parts also include internal high-side and low-side LDOs which ensure a drive voltage of 5V regardless of supply voltage. The TPS7H60x3-SP drivers all have split-gate outputs, providing flexibility to adjust the turn-on and turn-off strength of the outputs independently.

The TPS7H60x3-SP drivers feature two control input modes: independent input mode (IIM) and PWM mode. In IIM each of the outputs is controlled by a dedicated input. In PWM mode, two complementary outputs signals are generated from a single input and the user can adjust the dead time for each edge.

The gate drivers also offer user configurable input interlock in independent input mode as anti-shoot through protection. Input interlock disallows turn-on of both outputs when both inputs are on simultaneously. The user has the option to enable or disable this protection in independent input mode, which allows the driver to be used in a number of different converter configurations. The drivers can also be utilized for both half-bridge and dual-low side converter applications.
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* 데이터 시트 TPS7H60x3-SP Radiation-Hardness-Assured 1.3A, 2.5A, Half Bridge GaN FET Gate Drivers datasheet (Rev. C) PDF | HTML 2024. 4. 17
* 방사능 및 안정성 보고서 TPS7H6003-SP Total Ionizing Dose (TID) Radiation Report (Rev. B) 2026. 3. 19
* 방사능 및 안정성 보고서 TPS7H60X3-SP Neutron Displacement Damage (NDD) Characterization Report (Rev. A) PDF | HTML 2024. 8. 13
* 방사능 및 안정성 보고서 TPS7H60X3-SP Single-Event Effects (SEE) Report (Rev. A) PDF | HTML 2024. 6. 17
* SMD TPS7H6003-SP SMD 5962-22201 2023. 12. 21
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애플리케이션 노트 QML flow, its importance, and obtaining lot information (Rev. C) 2023. 8. 30
인증서 TPS7H6003EVM-CVAL EU Declaration of Conformity (DoC) 2023. 6. 29
애플리케이션 노트 Single-Event Effects Confidence Interval Calculations (Rev. A) PDF | HTML 2022. 10. 19
애플리케이션 노트 DLA Standard Microcircuit Drawings (SMD) and JAN Part Numbers Primer 2020. 8. 21
e북 Radiation Handbook for Electronics (Rev. A) 2019. 5. 21

설계 및 개발

추가 조건 또는 필수 리소스는 사용 가능한 경우 아래 제목을 클릭하여 세부 정보 페이지를 확인하세요.

평가 보드

TPS7H6003EVM-CVAL — 200V, 1.5A 및 3A, GaN FET 하프 브리지 드라이버용 TPS7H6003 평가 모듈

TPS7H6003 평가 모듈은 최대 150V 입력을 수용하며, EPC2307 부품을 구동하여 TPS7H6003-SP의 신뢰성을 테스트할 수 있습니다. 기본적으로 평가 모듈은 TPS7H6003-SP 장치와 함께 PWM 모드에서 하나의 스위칭 신호의 입력을 수용하고 내부적으로 보완적 신호를 생성하도록 설정되어 있습니다.

사용 설명서: PDF | HTML
지원되는 제품 및 하드웨어
재고 있음
제한:
??asset.out-of-stock-ti_ko_KR??
이용할 수 없음
시뮬레이션 모델

TPS7H60x3-SP PSpice Transient Model

SNOM790.ZIP (46 KB) - PSpice 모델
지원되는 제품 및 하드웨어
시뮬레이션 모델

TPS7H60x3/TPS7H60x5 SIMPLIS Model

SNOM811.ZIP (22 KB) - SIMPLIS 모델
지원되는 제품 및 하드웨어
레퍼런스 디자인

PMP23200 — 100W, 5V output hard-switched full-bridge converter reference design for 100kRad applications

이 레퍼런스 설계는 TPS7H5001-SP PWM(펄스 폭 변조) 컨트롤러와 3개의 TPS7H6003-SP 하프 브리지 드라이버를 사용하여 22V~36V의 입력을 받고 100W 부하를 지원하는 절연된 5V 출력을 생성하는 하드 스위치 풀 브리지 컨버터를 구성합니다. 컨트롤러, 드라이버 및 전력 FET는 정지궤도(GEO) 등급 방사 성능을 충족하도록 선택되었습니다. 2차측 동기 정류기는 기존 다이오드 정류기에 비해 효율을 높이고 열 성능을 향상시킵니다.
지원되는 제품 및 하드웨어
패키지 핀 CAD 기호, 풋프린트 및 3D 모델
CFP (HBX) 48 Ultra Librarian
TI의 평가 항목에 대한 표준 약관이 적용됩니다.

주문 및 품질

권장 제품에는 본 TI 제품과 관련된 매개 변수, 평가 모듈 또는 레퍼런스 디자인이 있을 수 있습니다.

지원 및 교육

TI 엔지니어의 기술 지원을 받을 수 있는 TI E2E™ 포럼

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