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TPS7H1210-SEP

활성

Radiation-tolerant, -3V to -16.5V input, 1A, negative linear regulator

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데이터 시트

TPS7H1210-SEP

활성
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제품 상세 정보

Rating Space Vin (max) (V) -3 Vin (min) (V) -16.5 Iout (max) (A) 1 Output options Adjustable Output, Negative Output Vout (max) (V) -1.2 Vout (min) (V) -15.5 Noise (µVrms) 13.7 PSRR at 100 KHz (dB) 61 Iq (typ) (mA) 0.21 Features Enable, Soft start Thermal resistance θJA (°C/W) 32.7 Load capacitance (min) (µF) 10 Regulated outputs (#) 1 Accuracy (%) 2 Dropout voltage (Vdo) (typ) (mV) 363 Operating temperature range (°C) -55 to 125 Radiation, SEL (MeV·cm2/mg) 43 Radiation, TID (typ) (krad) 30
Rating Space Vin (max) (V) -3 Vin (min) (V) -16.5 Iout (max) (A) 1 Output options Adjustable Output, Negative Output Vout (max) (V) -1.2 Vout (min) (V) -15.5 Noise (µVrms) 13.7 PSRR at 100 KHz (dB) 61 Iq (typ) (mA) 0.21 Features Enable, Soft start Thermal resistance θJA (°C/W) 32.7 Load capacitance (min) (µF) 10 Regulated outputs (#) 1 Accuracy (%) 2 Dropout voltage (Vdo) (typ) (mV) 363 Operating temperature range (°C) -55 to 125 Radiation, SEL (MeV·cm2/mg) 43 Radiation, TID (typ) (krad) 30
VQFN (RGW) 20 25 mm² (5 mm × 5 mm)
  • Vendor item drawing available, VID V62/21616
  • Total ionizing dose (TID) characterized to 30 krad(Si)
    • TID RLAT (radiation lot acceptance testing) for every wafer lot to 20 krad(Si)
  • Single-event effects (SEE) characterized
    • Single-event latchup (SEL), single-event burnout (SEB), and single-event gate rupture (SEGR) immune to linear energy transfer (LET) = 43 MeV-cm2/mg
    • Single-event functional interrupt (SEFI) and single-event transient (SET) characterized to LET = 43 MeV-cm2/mg
  • Low noise: 13.7-µVRMS typical (10 Hz to 100 kHz)
  • High power-supply rejection ration, PSRR (typical at VIN = –6 V, VOUT = –5 V, IOUT = 1 A):
    • 61 dB at 100 Hz
    • 61 dB at 100 kHz
    • 41 dB at 1 MHz
  • Input voltage range: –3 V to –16.5 V
  • Adjustable output: –1.2 V to –15.5 V
  • Up to 1-A output current
  • Stable with ceramic capacitors ≥ 10 µF
  • Built-in current-limit and thermal shutdown protection
  • Space Enhanced Plastic (SEP)
    • Controlled baseline
    • Gold bondwire
    • NiPdAu lead finish
    • One assembly and test site
    • One fabrication site
    • Military (–55°C to 125°C) temperature range
    • Extended product life cycle
    • Extended product-change notification (PCN)
    • Product traceability
    • Enhanced mold compound for low outgassing
  • Vendor item drawing available, VID V62/21616
  • Total ionizing dose (TID) characterized to 30 krad(Si)
    • TID RLAT (radiation lot acceptance testing) for every wafer lot to 20 krad(Si)
  • Single-event effects (SEE) characterized
    • Single-event latchup (SEL), single-event burnout (SEB), and single-event gate rupture (SEGR) immune to linear energy transfer (LET) = 43 MeV-cm2/mg
    • Single-event functional interrupt (SEFI) and single-event transient (SET) characterized to LET = 43 MeV-cm2/mg
  • Low noise: 13.7-µVRMS typical (10 Hz to 100 kHz)
  • High power-supply rejection ration, PSRR (typical at VIN = –6 V, VOUT = –5 V, IOUT = 1 A):
    • 61 dB at 100 Hz
    • 61 dB at 100 kHz
    • 41 dB at 1 MHz
  • Input voltage range: –3 V to –16.5 V
  • Adjustable output: –1.2 V to –15.5 V
  • Up to 1-A output current
  • Stable with ceramic capacitors ≥ 10 µF
  • Built-in current-limit and thermal shutdown protection
  • Space Enhanced Plastic (SEP)
    • Controlled baseline
    • Gold bondwire
    • NiPdAu lead finish
    • One assembly and test site
    • One fabrication site
    • Military (–55°C to 125°C) temperature range
    • Extended product life cycle
    • Extended product-change notification (PCN)
    • Product traceability
    • Enhanced mold compound for low outgassing

The TPS7H1210-SEP negative voltage linear regulator is a low noise, high PSRR regulator capable of sourcing a maximum load of 1 A.

The regulator include a CMOS logic-level-compatible enable pin (EN) to allow for user-customizable power management schemes. Other features include built-in current limit and thermal shutdown to protect the device and system during fault conditions.

The TPS7H1210-SEP device is designed using bipolar technology primarily for high-accuracy, low-noise applications, where clean voltage rails are critical to maximize system performance. Therefore, it ideal to power op amps, ADCs, DACs, and other high-performance analog circuitry.

Additionally, the TPS7H1210-SEP device is suitable for post DC-DC converter regulation. By filtering the output voltage ripple inherent to DC-DC switching conversion, maximum system performance is ensured in sensitive devices and RF applications.

The TPS7H1210-SEP negative voltage linear regulator is a low noise, high PSRR regulator capable of sourcing a maximum load of 1 A.

The regulator include a CMOS logic-level-compatible enable pin (EN) to allow for user-customizable power management schemes. Other features include built-in current limit and thermal shutdown to protect the device and system during fault conditions.

The TPS7H1210-SEP device is designed using bipolar technology primarily for high-accuracy, low-noise applications, where clean voltage rails are critical to maximize system performance. Therefore, it ideal to power op amps, ADCs, DACs, and other high-performance analog circuitry.

Additionally, the TPS7H1210-SEP device is suitable for post DC-DC converter regulation. By filtering the output voltage ripple inherent to DC-DC switching conversion, maximum system performance is ensured in sensitive devices and RF applications.
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기술 자료

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14개 모두 보기
상위 문서 유형 직함 형식 옵션 최신 영어 버전 다운로드 날짜
* 데이터 시트 TPS7H1210-SEP –16.5-V, 1-A, Negative Linear Regulator in Space Enhanced Plastic datasheet PDF | HTML 2021. 11. 23
* 방사능 및 안정성 보고서 TPS7H1210-SEP Single-Event Effects (SEE) Test Report 2021. 12. 13
* 방사능 및 안정성 보고서 TPS7H1210-SEP Total Ionizing Dose (TID) 2021. 11. 24
* 방사능 및 안정성 보고서 TPS7H1210-SEP Neutron Displacement Damage (NDD) Characterization 2021. 11. 24
* 방사능 및 안정성 보고서 TPS7H1210-SEP Production Flow and Reliability Report PDF | HTML 2021. 11. 8
* VID TPS7H1210-SEP VID V62-21616 2022. 1. 4
선택 가이드 TI Space Products (Rev. L) 2026. 3. 27
기술 문서 우주 항공 강화 제품이 저지구 궤도 애플리케이션의 과제를 해결하는 방법 (Rev. A) PDF | HTML Download English Version (Rev.A) 2024. 1. 11
백서 Parallel LDO Architecture Design Using Ballast Resistors PDF | HTML 2022. 12. 14
백서 Comprehensive Analysis and Universal Equations for Parallel LDO's Using Ballast PDF | HTML 2022. 12. 13
애플리케이션 노트 Reduce the Risk in Low-Earth Orbit Missions with Space Enhanced Plastic Products (Rev. A) PDF | HTML 2022. 9. 15
사용 설명서 TPS7H1210EVM User's Guide PDF | HTML 2021. 11. 22
인증서 TPS7H1210EVM EU RoHS Declaration of Conformity (DoC) 2021. 10. 4
e북 Radiation Handbook for Electronics (Rev. A) 2019. 5. 21

설계 및 개발

추가 조건 또는 필수 리소스는 사용 가능한 경우 아래 제목을 클릭하여 세부 정보 페이지를 확인하세요.

평가 보드

TPS7H1210EVM — TPS7H1210-SEP -3V ~ -16.5V 입력, 1A, 음극 선형 레귤레이터용 평가 모듈

TPS7H1210 평가 모듈(EVM)은 TPS7H1210-SEP 우주 항공 강화, 저손실(LDO), 음극 전압 리니어 레귤레이터를 평가하기 위한 엔지니어링 데모 보드입니다.

지원되는 제품 및 하드웨어
재고 있음
제한:
??asset.out-of-stock-ti_ko_KR??
이용할 수 없음
시뮬레이션 모델

TPS7H1210-SEP PSpice Transient Model

SBVM985.ZIP (23 KB) - PSpice 모델
지원되는 제품 및 하드웨어
레퍼런스 디자인

TIDA-010274 — 우주 등급 개별 RF 샘플링 트랜시버 레퍼런스 설계

이 레퍼런스 설계에는 10GSPS 듀얼 디지털-아날로그 컨버터와 최대 X-대역을 지원하는 RF 인터페이스의 액티브 발룬을 갖춘 5GSPS 듀얼 아날로그-디지털 컨버터가 통합되어 있습니다. 또한 설계에는 우주 항공 등급 클로킹 도터 카드와 우주 항공 등급 전원 솔루션 도터 카드가 통합되어 있습니다.

지원되는 제품 및 하드웨어
패키지 핀 CAD 기호, 풋프린트 및 3D 모델
VQFN (RGW) 20 Ultra Librarian
TI의 평가 항목에 대한 표준 약관이 적용됩니다.

주문 및 품질

권장 제품에는 본 TI 제품과 관련된 매개 변수, 평가 모듈 또는 레퍼런스 디자인이 있을 수 있습니다.

지원 및 교육

TI 엔지니어의 기술 지원을 받을 수 있는 TI E2E™ 포럼

포럼 주제 모두 보기(영문)

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