데이터 시트
SN54SC1G125-SEP
- VID V62/26602
- Radiation - total ionizing dose
(TID):
- TID characterized up to 50krad(Si)
- TID performance assurance up to 30krad(Si)
- Radiation Lot Acceptance Testing (RLAT) for every wafer lot up to 30krad(Si)
- Radiation - single-event effects
(SEE):
- Single event latch-up (SEL) immune up to 50MeV-cm2/mg at 125°C
- Single event transient (SET) characterized up to LET = 50MeV-cm2/mg
-
Wide operating range from 1.2V to 5.5V
- 5.5V tolerant input pins
- Supports standard pinouts
- Up to 150Mbps with 5V or 3.3V VCC
- Latch-up performance exceeds 100mA per JESD 78
- Space enhanced plastic:
- Supports Defense and Aerospace Applications
- Controlled baseline
- Au bond-wire and NiPdAu lead finish
- Meets NASA ASTM E595 out gassing specification
- One fabrication, assembly, and test site
- Extended product life cycle
- Product traceability
The SN54SC1G125-SEP is a single line driver with a 3-state output. The output is disabled when the output-enable (OE) input pin is at a logic high level. When (OE) is at a logic low level, true data is passed from the A input to the Y output.
기술 자료
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4개 모두 보기
| 상위 문서 | 유형 | 직함 | 형식 옵션 | 최신 영어 버전 다운로드 | 날짜 |
|---|---|---|---|---|---|
| * | 데이터 시트 | SN54SC1G125-SEP Radiation Tolerant, Single Bus Buffer Gate With 3-State Output datasheet (Rev. A) | PDF | HTML | 2026. 5. 5 | |
| * | 방사능 및 안정성 보고서 | SN54SC1G125-SEP Total Ionizing Dose (TID) | 2026. 4. 30 | ||
| * | 방사능 및 안정성 보고서 | SN54SC1G125-SEP Single-Event Effects (SEE) Radiation Report | PDF | HTML | 2026. 4. 29 | |
| * | 방사능 및 안정성 보고서 | SN54SC1G125-SEP Production Flow and Reliability Report | PDF | HTML | 2026. 4. 1 |
설계 및 개발
추가 조건 또는 필수 리소스는 사용 가능한 경우 아래 제목을 클릭하여 세부 정보 페이지를 확인하세요.
평가 보드
5-8-LOGIC-EVM — 5핀~8핀 DCK, DCT, DCU, DRL 및 DBV 패키지용 일반 논리 평가 모듈
5~8핀 수의 DCK, DCT, DCU, DRL 또는 DBV 패키지가 있는 모든 디바이스를 지원하도록 설계된 유연한 EVM.
사용 설명서:
PDF
재고 있음
제한:
??asset.out-of-stock-ti_ko_KR??
이용할 수 없음
| 패키지 | 핀 | CAD 기호, 풋프린트 및 3D 모델 |
|---|---|---|
| SOT-23 (DBV) | 5 | Ultra Librarian |