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ONET8551T

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RSSI를 지원하는 11.3Gbps 제한 트랜스임피던스 증폭기

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제품 상세 정보

Type Transimpedance and limiting amplifier Data rate (max) (Mbps) 11300 Supply current (typ) (µA) 28000 Supply current (max) (µA) 40000 Deterministic jitter (typ) (ps) 6 Operating temperature range (°C) -40 to 100
Type Transimpedance and limiting amplifier Data rate (max) (Mbps) 11300 Supply current (typ) (µA) 28000 Supply current (max) (µA) 40000 Deterministic jitter (typ) (ps) 6 Operating temperature range (°C) -40 to 100
WAFERSALE (YS) — See data sheet DIESALE (Y) — See data sheet
  • 9-GHz Bandwidth
  • 10-kΩ Differential Small Signal
    Transimpedance
  • –20-dBm Sensitivity
  • 0.9-µARMS Input Referred Noise
  • 2.5-mAp-p Input Overload Current
  • Received Signal Strength Indication
    (RSSI)
  • 92-mW Typical Power Dissipation
  • CML Data Outputs With On-Chip
    50-Ω Back-Termination
  • On Chip Supply Filter Capacitor
  • Single +3.3-V Supply
  • Die Size: 870 µm x 1036 µm
  • 9-GHz Bandwidth
  • 10-kΩ Differential Small Signal
    Transimpedance
  • –20-dBm Sensitivity
  • 0.9-µARMS Input Referred Noise
  • 2.5-mAp-p Input Overload Current
  • Received Signal Strength Indication
    (RSSI)
  • 92-mW Typical Power Dissipation
  • CML Data Outputs With On-Chip
    50-Ω Back-Termination
  • On Chip Supply Filter Capacitor
  • Single +3.3-V Supply
  • Die Size: 870 µm x 1036 µm

The ONET8551T device is a high-speed, high-gain, limiting transimpedance amplifier used in optical receivers with data rates up to 11.3 Gbps. It features low-input referred noise, 9-GHz bandwidth, 10-kΩ small signal transimpedance, and a received signal strength indicator (RSSI.

The ONET8551T device is available in die form, includes an on-chip VCC bypass capacitor, and is optimized for packaging in a TO can.

The ONET8551T device requires a single +3.3-V supply. The power-efficient design typically dissipates less than 95 mW. The device is characterized for operation from –40°C to 100°C case (IC back-side) temperature.

The ONET8551T device is a high-speed, high-gain, limiting transimpedance amplifier used in optical receivers with data rates up to 11.3 Gbps. It features low-input referred noise, 9-GHz bandwidth, 10-kΩ small signal transimpedance, and a received signal strength indicator (RSSI.

The ONET8551T device is available in die form, includes an on-chip VCC bypass capacitor, and is optimized for packaging in a TO can.

The ONET8551T device requires a single +3.3-V supply. The power-efficient design typically dissipates less than 95 mW. The device is characterized for operation from –40°C to 100°C case (IC back-side) temperature.
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* 데이터 시트 11.3 Gbps Limiting Transimpedance Amplifier With RSSI, ONET8551T datasheet 2013. 10. 24

설계 및 개발

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레퍼런스 디자인

TIDA-00088 — 10G SFP+ LR 광학 모듈 호환 폼 팩터의 TI ONET 부품을 위한 완벽한 레퍼런스 디자인

This Texas Instruments Reference Design was designed to demonstrate the optical performance of the ONET1151L Laser Driver, the ONET8551T high gain Transimpedance Amplifier (TIA) and the ONET1151P Limiting Amplifier. It is available in a form factor that is compatible with 10.3125Gbps SFP+ LR (...)

지원되는 제품 및 하드웨어
패키지 핀 CAD 기호, 풋프린트 및 3D 모델
WAFERSALE (YS) — Ultra Librarian
DIESALE (Y) — Ultra Librarian
TI의 평가 항목에 대한 표준 약관이 적용됩니다.

주문 및 품질

권장 제품에는 본 TI 제품과 관련된 매개 변수, 평가 모듈 또는 레퍼런스 디자인이 있을 수 있습니다.

지원 및 교육

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포럼 주제 모두 보기(영문)

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