LM74720-Q1
- AEC-Q100 qualified with the following results
- Device temperature grade 1: –40°C to +125°C ambient operating temperature range
- Device HBM ESD classification level 2
- Device CDM ESD classification level C4B
- 3-V to 65-V input range
- Reverse input protection down to –65 V
- Low quiescent current, 35 µA (max) in operation
- Low 3.3-µA (max) shutdown current (EN = Low)
- Ideal diode operation with 17-mV A to C forward voltage drop regulation
- Drives external back-to-back N-Channel MOSFETs
- Integrated 29-mA boost regulator
- Fast response to reverse current blocking: 0.5 µs
- Active rectification up to 100 kHz
- Adjustable overvoltage protection
- Meets automotive ISO7637 transient requirements with a suitable TVS diode
- Available in space saving 12-pin WSON package
- Pin-to-pin compatible with LM74721-Q1
The LM74720-Q1 ideal diode controller drives and controls external back-to-back N-Channel MOSFETs to emulate an ideal diode rectifier with power path ON/OFF control and overvoltage protection. The wide input supply of 3 V to 65 V allows protection and control of 12-V and 24-V automotive battery powered ECUs. The device can withstand and protect the loads from negative supply voltages down to –65 V. An integrated ideal diode controller (GATE) drives the first MOSFET to replace a Schottky diode for reverse input protection and output voltage holdup. A strong boost regulator with fast turn ON and OFF comparators ensures robust and efficient MOSFET switching performance during automotive testing such as ISO16750 or LV124 where an ECU is subjected to input short interruptions and AC superimpose input signals up to 100-kHz frequency. Low Quiescent Current 35 µA (maximum) in operation enables always ON system designs. With a second MOSFET in the power path, the device allows load disconnect control using EN pin. Quiescent current reduces to 3.3 µA (maximum) with EN low. The device features an adjustable overvoltage cut-off protection feature for load dump protection.
관심 가지실만한 유사 제품
다른 핀 출력을 지원하지만 비교 대상 장치와 동일한 기능.
기술 자료
| 상위 문서 | 유형 | 직함 | 형식 옵션 | 최신 영어 버전 다운로드 | 날짜 |
|---|---|---|---|---|---|
| * | 데이터 시트 | LM74720-Q1 Low IQ Automotive Ideal Diode Controller with Active Rectification and Load Dump Protection datasheet (Rev. B) | PDF | HTML | 2022. 3. 29 | |
| 기능 안전 정보 | LM74720-Q1 Functional Safety FIT Rate, FMD and Pin FMA | PDF | HTML | 2025. 5. 27 | ||
| Product overview | Mobileye EyeQ™6H – Discrete Power Tree | PDF | HTML | 2024. 11. 7 | ||
| 기술 문서 | 3 ways to design a low quiescent-current (Iq) automotive reverse battery protectio | PDF | HTML | 2021. 11. 18 | ||
| 애플리케이션 노트 | Basics of Ideal Diodes (Rev. B) | PDF | HTML | 2021. 10. 5 | ||
| Application brief | Active Rectification and its Advantages in Automotive ECU Designs | PDF | HTML | 2021. 9. 29 | ||
| 아날로그 디자인 학술지 | Automotive EMC-compliant reverse-battery protection with ideal-diode controllers | 2020. 9. 22 |
설계 및 개발
추가 조건 또는 필수 리소스는 사용 가능한 경우 아래 제목을 클릭하여 세부 정보 페이지를 확인하세요.
LM7472EVM — 이상적인 다이오드 컨트롤러를 위한 LM74720-Q1 및 LM74722-Q1 평가 모듈(EVM)
TI의 평가 모듈 LM7472EVM은 설계자가 역방향 배터리 보호 애플리케이션에서 LM74720-Q1 및 LM74722-Q1 이상적인 다이오드 컨트롤러의 작동 및 성능을 평가하는 데 도움이 됩니다. 이 평가 모듈(EVM)은 낮은 IQ 및 빠른 과도 응답을 위한 부스트 레귤레이터가 통합된 LM7472x-Q1이 이상적인 다이오드 MOSFET을 먼저 연결한 후 스위치 출력 및 전원 경로 차단에 두 번째 MOSFET을 연결하여 두 개의 백-백 N 채널 파워 MOSFET을 제어하는 방법을 보여줍니다.
FET-INRUSH-SOA-CALC — FET SOA margin calculator for dvdt based startup
TIPA-020000 — Mobileye EyeQ™6H 전원 공급 장치 설계
이 전원 공급 장치 설계는 Mobileye EyeQ™6H SoC용 TI의 개별 전원 트리에 대한 테스트 보고서 요약본입니다. ADAS(자율 주행 보조 시스템)와 같은 차량용 애플리케이션은 Mobileye EyeQ™6H와 같은 ADAS 도메인 컨트롤러 프로세서를 사용합니다. 매우 낮은 전압에서 매우 높은 양의 전류를 필요로 하는 정교한 프로세서입니다. 또한 이러한 프로세서는 프로세서 부하 전류의 급격한 변화를 위해 출력 전압의 매우 빠른 과도 응답을 필요로 합니다. 이텍사스 인스트루먼트 설계는 효율적이고 비용 효율적인 방식으로 빠른 (...)
| 패키지 | 핀 | CAD 기호, 풋프린트 및 3D 모델 |
|---|---|---|
| WSON (DRR) | 12 | Ultra Librarian |
주문 및 품질
권장 제품에는 본 TI 제품과 관련된 매개 변수, 평가 모듈 또는 레퍼런스 디자인이 있을 수 있습니다.