Home Energiemanagement Leistungsschutzschalter und Controller eFuses (integrierte Hot-Swaps)

TPS7H2211-SP

AKTIV

Radiation-hardened, QML-P and QML-V, 4.5V to 14V input 3.5A eFuse

TPS7H2211-SP

AKTIV

Produktdetails

Vabsmax_cont (V) 16 Vin (max) (V) 14 Vin (min) (V) 4.5 Features Overvoltage protection, Reverse current blocking always, Soft-start, Thermal shutdown Overcurrent response Circuit breaker Fault response Auto-retry Ron (typ) (mΩ) 54 Overvoltage response Cut-off Rating Space Soft start Adjustable Quiescent current (Iq) (typ) (A) 0.0058 Quiescent current (Iq) (max) (A) 0.008 Device type eFuses and hot swap controllers Operating temperature range (°C) -55 to 125
Vabsmax_cont (V) 16 Vin (max) (V) 14 Vin (min) (V) 4.5 Features Overvoltage protection, Reverse current blocking always, Soft-start, Thermal shutdown Overcurrent response Circuit breaker Fault response Auto-retry Ron (typ) (mΩ) 54 Overvoltage response Cut-off Rating Space Soft start Adjustable Quiescent current (Iq) (typ) (A) 0.0058 Quiescent current (Iq) (max) (A) 0.008 Device type eFuses and hot swap controllers Operating temperature range (°C) -55 to 125
CFP (HKR) 16 105.6 mm² (— mm × — mm) DIESALE (KGD) See data sheet mm² (— mm × — mm) HTSSOP (DAP) 32 89.1 mm² (11 mm × 8.1 mm)
  • Total ionizing dose (TID) characterized to 100krad(Si)
    • Radiation hardness assurance availability of 100krad(Si)
  • Single-event effects (SEE) characterized
    • Single-event latchup (SEL), single-event burnout (SEB), and single-event gate rupture (SEGR) immune to linear energy transfer (LET) = 75MeV-cm2/mg*
    • Single-event functional interrupt (SEFI) and single-event transient (SET) characterized to LET = 75MeV-cm2/mg*
  • Integrated single channel eFuse
  • Input voltage range: 4.5V to 14V
  • Low on-resistance (RON) of 60mΩ maximum at 25°C and VIN = 12V
  • 3.5A maximum continuous switch current
  • Low control input threshold aids in use of 1.2, 1.8, 2.5, and 3.3V logic
  • Configurable rise time (soft start)
  • Reverse current protection (RCP)
  • Overvoltage protection (OVP)
  • Internal current limit (fast-trip)
  • Thermal shutdown
  • Ceramic and plastic package with thermal pad
  • Available in military (–55°C to 125°C) temperature range
  • Total ionizing dose (TID) characterized to 100krad(Si)
    • Radiation hardness assurance availability of 100krad(Si)
  • Single-event effects (SEE) characterized
    • Single-event latchup (SEL), single-event burnout (SEB), and single-event gate rupture (SEGR) immune to linear energy transfer (LET) = 75MeV-cm2/mg*
    • Single-event functional interrupt (SEFI) and single-event transient (SET) characterized to LET = 75MeV-cm2/mg*
  • Integrated single channel eFuse
  • Input voltage range: 4.5V to 14V
  • Low on-resistance (RON) of 60mΩ maximum at 25°C and VIN = 12V
  • 3.5A maximum continuous switch current
  • Low control input threshold aids in use of 1.2, 1.8, 2.5, and 3.3V logic
  • Configurable rise time (soft start)
  • Reverse current protection (RCP)
  • Overvoltage protection (OVP)
  • Internal current limit (fast-trip)
  • Thermal shutdown
  • Ceramic and plastic package with thermal pad
  • Available in military (–55°C to 125°C) temperature range

The TPS7H2211 is a single channel eFuse (integrated FET load switch with additional features) that provides reverse current protection, overvoltage protection, and a configurable rise time to minimize inrush current, soft start. The device contains P-channel MOSFETs that operate over an input voltage range of 4.5V to 14V and supports a maximum continuous current of 3.5A.

The switch is controlled by an on and off input (EN), which is capable of interfacing directly with low-voltage control signals. Overvoltage protection and soft start are programmable with few external components through the OVP and SS pins. The TPS7H2211 is available in a ceramic and plastic package with an exposed thermal pad allowing for improved thermal performance. A standard microcircuit drawing (SMD) is available for the QML 5962R1822001VXC. A vendor item drawing (VID) is available for the -SEP variant, V62/23609.

The TPS7H2211 is a single channel eFuse (integrated FET load switch with additional features) that provides reverse current protection, overvoltage protection, and a configurable rise time to minimize inrush current, soft start. The device contains P-channel MOSFETs that operate over an input voltage range of 4.5V to 14V and supports a maximum continuous current of 3.5A.

The switch is controlled by an on and off input (EN), which is capable of interfacing directly with low-voltage control signals. Overvoltage protection and soft start are programmable with few external components through the OVP and SS pins. The TPS7H2211 is available in a ceramic and plastic package with an exposed thermal pad allowing for improved thermal performance. A standard microcircuit drawing (SMD) is available for the QML 5962R1822001VXC. A vendor item drawing (VID) is available for the -SEP variant, V62/23609.

Herunterladen Video mit Transkript ansehen Video

Ähnliche Produkte, die für Sie interessant sein könnten

Selbe Funktionalität wie der verglichene Baustein bei gleicher Anschlussbelegung.
TPS7H2201-SP AKTIV Radiation-hardened, QML-P and QML-V, 1.5V to 7V input 6A eFuse 7-V eFuse in identical package that is 6-A capable with additional protection features

Technische Dokumentation

Keine Ergebnisse gefunden. Bitte geben Sie einen anderen Begriff ein und versuchen Sie es erneut.
Alle anzeigen 21
Top-Dokumentation Typ Titel Format-Optionen Neueste englische Version herunterladen Datum
* Datenblatt TPS7H2211-SP and TPS7H2211-SEP Radiation-Hardness-Assured (RHA) 14V, 3.5A eFuse datasheet (Rev. F) PDF | HTML 06.03.2024
* Strahlungs- und Zuverlässigkeitsbericht TPS7H2211-SP Total Ionizing Dose (TID) Radiation Report (Rev. D) 06.07.2026
* Strahlungs- und Zuverlässigkeitsbericht TPS7H2211-QMLP Total Ionizing Dose (TID) Radiation Report PDF | HTML 06.12.2023
* Strahlungs- und Zuverlässigkeitsbericht Single-Event-Effects Test Report of the TPS7H2211-SP Load Switch (Rev. A) 06.12.2023
* Strahlungs- und Zuverlässigkeitsbericht TPS7H2211-SP Neutron Displacement Damage (NDD) Characterization 08.11.2021
* SMD TPS7H2211-SP SMD 5962-18220 02.09.2021
Auswahlhilfe TI Space Products (Rev. L) 27.03.2026
Anwendungshinweis Hermetic Package Reflow Profiles, Termination Finishes, and Lead Trim and Form (Rev. A) PDF | HTML 05.11.2025
Designleitfaden Radiation-Hardened Space Battery Management System (BMS) Reference Design PDF | HTML 30.07.2025
Application brief DLA Approved Optimizations for QML Products (Rev. C) PDF | HTML 17.06.2025
Anwendungshinweis Heavy Ion Orbital Environment Single-Event Effects Estimations (Rev. B) PDF | HTML 10.06.2025
Weitere Dokumente TI Engineering Evaluation Units vs. MIL-PRF-38535 QML Class V Processing (Rev. B) 20.02.2025
Anwendungshinweis QML flow, its importance, and obtaining lot information (Rev. C) 30.08.2023
Zertifikat TPS7H2211EVM EU Declaration of Conformity (DoC) 21.06.2023
Anwendungshinweis Single-Event Effects Confidence Interval Calculations (Rev. A) PDF | HTML 19.10.2022
Anwendungshinweis DLA Standard Microcircuit Drawings (SMD) and JAN Part Numbers Primer 21.08.2020
Technischer Artikel Simplifying radiation-hardened power-supply design with eFuses PDF | HTML 14.07.2020
Anwendungshinweis Failure Containment in Spacecraft Point-of-Load Power Supplies PDF | HTML 30.04.2020
Technischer Artikel 4 trends in space-grade power management PDF | HTML 12.02.2020
E-book Radiation Handbook for Electronics (Rev. A) 21.05.2019
Technischer Artikel When failure isn’t an option: power up your next satellite with integrated functio PDF | HTML 30.04.2019

Design und Entwicklung

Weitere Bedingungen oder erforderliche Ressourcen enthält gegebenenfalls die Detailseite, die Sie durch Klicken auf einen der unten stehenden Titel erreichen.

Evaluierungsplatine

TPS7H2211EVM — Platzoptimiertes Evaluierungsmodul mit 4,5- bis 14-V-Eingangsspannung, 3,5-A-Lastschalter und eFuse.

Das TPS7H2211EVM demonstriert den Betrieb eines einzelnen platzoptimierten TPS7H2211 eFuse-Produkts. Die Platine bietet Footprints, die mit zusätzlichen Komponenten bestückt werden können, um das Testen kundenspezifischer Konfigurationen zu ermöglichen, wie z. B. parallele oder redundante eFuses.

Benutzerhandbuch: PDF | HTML
Unterstützte Produkte und Hardware
Vorrätig
Limit:
??asset.out-of-stock-ti_de_DE??
Nicht verfügbar
Evaluierungsplatine

TPS7H2211EVM-CVAL — TPS7H2211-SP-Evaluierungsmodul mit 4,5- bis 14-V-Eingangsspannung, 3,5-A-Lastschalter und eFuse.

Das TPS7H2211EVM-CVAL ist das Evaluierungsmodul (EVM) für den TPS7H2211-SP. Es ermöglicht den Betrieb des Lastschalters sowie die Prüfung des vorgesehenen Gegenstromschutzschutzes, des Überspannungsschutzes und einer konfigurierbaren Anstiegszeit zur Minimierung des Einschaltstromes (Softstart) des (...)

Benutzerhandbuch: PDF | HTML
Unterstützte Produkte und Hardware
Vorrätig
Limit:
??asset.out-of-stock-ti_de_DE??
Nicht verfügbar
Simulationsmodell

TPS7H2211-SP PSpice Transient Model

SLVMDN6.ZIP (27 KB) - PSpice-Modell
Unterstützte Produkte und Hardware
Simulationsmodell

TPS7H2211-SP PSpice Worst-Case Analysis (WCA) Model

SLVMDQ4.ZIP (24 KB) - PSpice-Modell
Unterstützte Produkte und Hardware
Berechnungstool

TVS-RECOMMENDATION-CALC — TVS diode recommendation tool

This tool suggests suitable TVS for given system parameters and abs max voltage rating of the device.
Unterstützte Produkte und Hardware
Referenzdesign

TIDA-010931 — Referenzdesign für strahlungsfestes Batteriemanagementsystem (BMS) für die Raumfahrt

Dieses Referenzdesign demonstriert ein weltraumtaugliches Batteriemanagementsystem. Der Schaltkreis misst acht serielle Batteriezellen, um den Batteriezustand, den Ladezustand und die Temperatur zu überwachen.
Unterstützte Produkte und Hardware
Gehäuse Pins CAD-Symbole, Footprints und 3D-Modelle
CFP (HKR) 16 Ultra Librarian
DIESALE (KGD) Ultra Librarian
HTSSOP (DAP) 32 Ultra Librarian

Bestellen & Qualität

Empfohlene Produkte können Parameter, Evaluierungsmodule oder Referenzdesigns zu diesem TI-Produkt beinhalten.

Support und Schulungen

TI E2E™-Foren mit technischem Support von TI-Ingenieuren

Inhalte werden ohne Gewähr von TI und der Community bereitgestellt. Sie stellen keine Spezifikationen von TI dar. Siehe Nutzungsbedingungen.

Bei Fragen zu den Themen Qualität, Gehäuse oder Bestellung von TI-Produkten siehe TI-Support. ​​​​​​​​​​​​​​

Videos