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SN74CBTLV3857

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10-Kanal-FET-Busschalter, 3,3 V, 1:1 (SPST) mit internen Pulldown-Widerständen

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SN74CBTLV3857

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Produktdetails

Protocols Analog Configuration 1:1 SPST Number of channels 10 Bandwidth (MHz) 200 Ron (typ) (mΩ) 5000 Input/output voltage (min) (V) 0 Input/output voltage (max) (V) 3.6 Operating temperature range (°C) -40 to 85 Input/output continuous current (max) (mA) 48 COFF (typ) (pF) 5 OFF-state leakage current (max) (µA) 1000 Ron (max) (mΩ) 40000 VIH (min) (V) Vref+180mV VIL (max) (V) Vref-180mV Rating Catalog
Protocols Analog Configuration 1:1 SPST Number of channels 10 Bandwidth (MHz) 200 Ron (typ) (mΩ) 5000 Input/output voltage (min) (V) 0 Input/output voltage (max) (V) 3.6 Operating temperature range (°C) -40 to 85 Input/output continuous current (max) (mA) 48 COFF (typ) (pF) 5 OFF-state leakage current (max) (µA) 1000 Ron (max) (mΩ) 40000 VIH (min) (V) Vref+180mV VIL (max) (V) Vref-180mV Rating Catalog
SOIC (DW) 24 159.65 mm² (15.5 mm × 10.3 mm)
  • Enable Signal Is SSTL_2 Compatible
  • Flow-Through Architecture Optimizes PCB Layout
  • Designed for Use With 200 Mbit/s Double Data-Rate (DDR) SDRAM Applications
  • Switch On-State Resistance Is Designed to Eliminate Series Resistor to DDR SDRAM
  • Internal 10-k Pulldown Resistors to Ground on B Port
  • Internal 50-k Pullup Resistor on Output-Enable Input
  • Rail-to-Rail Switching on Data I/O Ports
  • Ioff Supports Partial-Power-Down Mode Operation
  • Latch-Up Performance Exceeds 100 mA Per JESD 78, Class II
  • Enable Signal Is SSTL_2 Compatible
  • Flow-Through Architecture Optimizes PCB Layout
  • Designed for Use With 200 Mbit/s Double Data-Rate (DDR) SDRAM Applications
  • Switch On-State Resistance Is Designed to Eliminate Series Resistor to DDR SDRAM
  • Internal 10-k Pulldown Resistors to Ground on B Port
  • Internal 50-k Pullup Resistor on Output-Enable Input
  • Rail-to-Rail Switching on Data I/O Ports
  • Ioff Supports Partial-Power-Down Mode Operation
  • Latch-Up Performance Exceeds 100 mA Per JESD 78, Class II

This 10-bit FET bus switch is designed for 3-V to 3.6-V VCC operation and SSTL_2 output-enable (OE\) input levels.

When OE\ is low, the 10-bit bus switch is on, and port A is connected to port B. When OE\ is high, the switch is open, and the high-impedance state exists between the two ports. There are 10-k pulldown resistors to ground on the B port.

The FET switch on-state resistance is designed to replace the series terminating resistor in the SSTL_2 data path.

This device is fully specified for partial-power-down applications using Ioff. The Ioff feature ensures that damaging current will not backflow through the device when it is powered down. The device has isolation during power off.

This 10-bit FET bus switch is designed for 3-V to 3.6-V VCC operation and SSTL_2 output-enable (OE\) input levels.

When OE\ is low, the 10-bit bus switch is on, and port A is connected to port B. When OE\ is high, the switch is open, and the high-impedance state exists between the two ports. There are 10-k pulldown resistors to ground on the B port.

The FET switch on-state resistance is designed to replace the series terminating resistor in the SSTL_2 data path.

This device is fully specified for partial-power-down applications using Ioff. The Ioff feature ensures that damaging current will not backflow through the device when it is powered down. The device has isolation during power off.
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Technische Dokumentation

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Top-Dokumentation Typ Titel Format-Optionen Neueste englische Version herunterladen Datum
* Datenblatt SN74CBTLV3857 datasheet (Rev. E) 13.10.2003
Anwendungshinweis Selecting the Correct Texas Instruments Signal Switch (Rev. E) PDF | HTML 02.06.2022
Anwendungshinweis Multiplexers and Signal Switches Glossary (Rev. B) PDF | HTML 01.12.2021
Application brief Eliminate Power Sequencing with Powered-off Protection Signal Switches (Rev. C) PDF | HTML 06.01.2021

Design und Entwicklung

Weitere Bedingungen oder erforderliche Ressourcen enthält gegebenenfalls die Detailseite, die Sie durch Klicken auf einen der unten stehenden Titel erreichen.

Schnittstellenadapter

LEADED-ADAPTER1 — Oberflächenmontierbarer DIP-Header-Adapter zur schnellen Prüfung der 5-, 8-, 10-, 16- und 24-poligen

Die EVM-LEADED1-Platine ermöglicht schnelles Testen und Testbrettaufbauten von gängigen bleihaltigen Gehäusen von TI.  Die Platine verfügt über Anschlussflächen, um die oberflächenmontierten Gehäuse D, DBQ, DCT,DCU, DDF, DGS, DGV und PW von TI in 100-mil-DIP-Stiftleisten umzuwandeln.     

Benutzerhandbuch: PDF
Unterstützte Produkte und Hardware
Vorrätig
Limit:
??asset.out-of-stock-ti_de_DE??
Nicht verfügbar
Simulationsmodell

SN74CBTLV3857 IBIS Model

SCDM053.ZIP (28 KB) - IBIS-Modell
Unterstützte Produkte und Hardware
Gehäuse Pins CAD-Symbole, Footprints und 3D-Modelle
SOIC (DW) 24 Ultra Librarian
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