LM5111

AKTIV

5-A/3-A-Zweikanal-Gate-Treiber mit Active-High- oder Active-Low-Ausgang 4-V-UVLO

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UCC27624

AKTIV

2-Kanal-Low-Side-Treiber, 5 A/5 A, mit 4 V UVLO, 30 V VDD und geringer Ausbreitungsverzögerung Wide VDD and enable

LM5111

AKTIV

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Produktdetails

Number of channels

2

Power switch

MOSFET

Peak output current (A)

5

Input supply voltage (min) (V)

3.5

Input supply voltage (max) (V)

14

Features

UVLO Configured to Drive PFET through OUT_A

Operating temperature range (°C)

-40 to 125

Rise time (ns)

14

Fall time (ns)

12

Propagation delay time (µs)

0.025

Input threshold

TTL

Channel input logic

Combination, Inverting, Non-Inverting

Input negative voltage (V)

0

Rating

Catalog

Undervoltage lockout (typ) (V)

3

Driver configuration

Dual, Independent

Number of channels

2

Power switch

MOSFET

Peak output current (A)

5

Input supply voltage (min) (V)

3.5

Input supply voltage (max) (V)

14

Features

UVLO Configured to Drive PFET through OUT_A

Operating temperature range (°C)

-40 to 125

Rise time (ns)

14

Fall time (ns)

12

Propagation delay time (µs)

0.025

Input threshold

TTL

Channel input logic

Combination, Inverting, Non-Inverting

Input negative voltage (V)

0

Rating

Catalog

Undervoltage lockout (typ) (V)

3

Driver configuration

Dual, Independent

SOIC (D)

8

29.4 mm² (4.9 mm × 6 mm)

HVSSOP (DGN)

8

14.7 mm² (3 mm × 4.9 mm)

Independently Drives Two N-Channel MOSFETs
Compound CMOS and Bipolar Outputs Reduce Output Current Variation
5-A Sink and 3-A Source Current Capability
Two Channels can be Connected in Parallel to Double the Drive Current
Independent Inputs (TTL Compatible)
Fast Propagation Times (25 ns Typical)
Fast Rise and Fall Times (14 ns and 12 ns Rise and Fall, Respectively, With 2-nF Load)
Available in Dual Noninverting, Dual Inverting and Combination Configurations
Supply Rail Undervoltage Lockout Protection (UVLO)ƒ
LM5111-4 UVLO Configured to Drive PFET through OUT_A and NFET through OUT_B
Pin Compatible With Industry Standard Gate Drivers

Independently Drives Two N-Channel MOSFETs
Compound CMOS and Bipolar Outputs Reduce Output Current Variation
5-A Sink and 3-A Source Current Capability
Two Channels can be Connected in Parallel to Double the Drive Current
Independent Inputs (TTL Compatible)
Fast Propagation Times (25 ns Typical)
Fast Rise and Fall Times (14 ns and 12 ns Rise and Fall, Respectively, With 2-nF Load)
Available in Dual Noninverting, Dual Inverting and Combination Configurations
Supply Rail Undervoltage Lockout Protection (UVLO)ƒ
LM5111-4 UVLO Configured to Drive PFET through OUT_A and NFET through OUT_B
Pin Compatible With Industry Standard Gate Drivers

The LM5111 Dual Gate Driver replaces industry standard gate drivers with improved peak output current and efficiency. Each compound output driver stage includes MOS and bipolar transistors operating in parallel that together sink more than 5-A peak from capacitive loads. Combining the unique characteristics of MOS and bipolar devices reduces drive current variation with voltage and temperature. Undervoltage lockout protection is also provided. The drivers can be operated in parallel with inputs and outputs connected to double the drive current capability. This device is available in the SOIC package or the thermally enhanced
MSOP-PowerPAD package.

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Technische Dokumentation

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Top-Dokumentation	Typ	Titel	Format-Optionen	Datum
*	Datenblatt	LM5111 Dual 5-A Compound Gate Driver datasheet (Rev. H)	PDF \| HTML	28.09.2016
	Anwendungshinweis	Why use a Gate Drive Transformer?	PDF \| HTML	04.03.2024
	Anwendungshinweis	Review of Different Power Factor Correction (PFC) Topologies' Gate Driver Needs	PDF \| HTML	22.01.2024
	Anwendungshinweis	Static Magnet Power Supply Design for Magnetic Resonance Imaging Application	PDF \| HTML	22.01.2024
	Anwendungshinweis	Benefits of a Compact, Powerful, and Robust Low-Side Gate Driver	PDF \| HTML	10.11.2021
	Application brief	External Gate Resistor Selection Guide (Rev. A)		28.02.2020
	Application brief	Understanding Peak IOH and IOL Currents (Rev. A)		28.02.2020
	Anwendungshinweis	Improving Efficiency of DC-DC Conversion through Layout		07.05.2019
	Application brief	How to overcome negative voltage transients on low-side gate drivers' inputs		18.01.2019
	Application brief	High-Side Cutoff Switches for High-Power Automotive Applications (Rev. A)		26.11.2018
	Weitere Dokumente	Fundamentals of MOSFET and IGBT Gate Driver Circuits (Replaces SLUP169) (Rev. A)		29.10.2018
	Auswahlhilfe	Power Management Guide 2018 (Rev. R)		25.06.2018
	Application brief	Low-Side Gate Drivers With UVLO Versus BJT Totem-Pole		16.03.2018

Design und Entwicklung

Weitere Bedingungen oder erforderliche Ressourcen enthält gegebenenfalls die Detailseite, die Sie durch Klicken auf einen der unten stehenden Titel erreichen.

Evaluierungsplatine

UCC27423-4-5-Q1EVM — UCC2742xQ1 Dual 4-A Highspeed-Low-Side-MOSFET-Treiber mit Aktivierung – Evaluierungsmodul (EVM)

Das UCC2742xQ1-EVM ist ein Highspeed-Dual-MOSFET-Evaluierungsmodul, das eine Testplattform für die schnelle und einfache Inbetriebnahme des UCC2742xQ1-Treibers bereitstellt. Die Stromversorgung findet über eine einzelne externe Stromversorgung mit 4 V bis 15 V statt und das EVM ist mit einem (...)

Benutzerhandbuch: PDF

Unterstützte Produkte und Hardware

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LM5111-1M TINA-TI Transient Reference Design

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Unterstützte Produkte und Hardware

Gehäuse	Pins	CAD-Symbole, Footprints und 3D-Modelle
SOIC (D)	8	Ultra Librarian
HVSSOP (DGN)	8	Ultra Librarian

LM5111

5-A/3-A-Zweikanal-Gate-Treiber mit Active-High- oder Active-Low-Ausgang 4-V-UVLO

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