封装信息
| 封装 | 引脚 WQFN (RUK) | 20 |
| 工作温度范围 (°C) -40 to 85 |
| 包装数量 | 包装 3,000 | LARGE T&R |
TXS02324 的特性
- 平转换器
- VDDIO 范围： 1.7V 至 3.3V
- 低压降 (LDO) 稳压器
- 带启用功能的 50mA LDO 稳压器
- 1.8V 或 2.95V 可选输出电压
- 2.3V 至 5.5V 输入电压范围
- 超低压降： 在 50mA 电流条件下为 100mV （最大值）
- 通过 I2C 接口和基带处理器实现控制和通信
- ESD 保护等级超过了 JESD 22 规格的要求
- 2000V 人体模型 (A114-B)
- 1000V 充电器件模型 (C101)
- 封装
- 20 引脚 QFN (3mm x 3mm)
TXS02324 的说明
TXS02324 是一款完整的双电源待机智能身份模块 (SIM) 卡解决方案，用于将无线基带处理器与两个单独的 SIM 用户卡相连，以存储移动手机应用程序的数据。 这是一款定制器件，用于把单个 SIM/UICC 接口扩展至能够支持两个 SIM/UICC （通用集成芯片卡）。
该器件遵循 ISO / IEC 智能卡接口要求以及 GSM 和 3G 移动标准。 它包括一个能够支持 Class B (2.95V) 和 Class C (1.8V) 接口的高速电平转换器、两个具有可在 2.95V Class B 和 1.8V Class C 接口之间选择的输出电压的低压降 (LDO) 稳压器、一个用于配置的集成型 “快速模式” 400kb/s “从” I2C 控制寄存器接口、一个用于内部定时发生的 32kHz 时钟输入。
电压电平转换器具有两个电源电压引脚。 VDDIO 引脚负责设定用于基带接口的基准，并可采用 1.7V 至 3.3V 的工作电压。 VSIM1 和 VSIM2 被设置为 1.8V 或 2.95V，各由一个独立的内部 LDO 稳压器供电。 集成型 LDO 可接受 2.3V 至 5.5V 的输入电池电压，并向B侧电路及外部 Class B 或 Class C SIM 卡输出高达 50mA 的电流。