TPS51206EVM-745

具有 VTTREF 缓冲基准的 2A 峰值灌电流/拉电流 DDR 终端稳压器

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TPS51206EVM-745 的特性

  • VDD 电压:支持 5V 和 3.3V 电压轨
  • VLDOIN、VDDQ 电压范围:1.2V 至 1.8V
  • 内置板载瞬态负载(具有灌入和拉出能力)用于仿真瞬态灌入/拉出行为,有助于评估动态性能。为了方便使用,负载阶跃和瞬态时序都可以通过板载电阻器进行修改。
  • 开关 S1、S2 可实现 S3 和 S5 使能功能
  • 用于探测 VTT、VTTREF、CLK_IN 和环路响应测试的便捷测试点
  • 四层印刷电路板 (PCB),所有元件都位于底部

TPS51206EVM-745 的说明

TPS51206EVM-745 评估模块(EVM)采用了 TPS51206 器件。TPS51206 是一款具有 VTTREF 缓冲参考输出的灌电流/拉电流双倍数据速率 (DDR) 终端稳压器。该器件专门针对低输入电压、低成本、低外部元件数的空间受限型系统而设计。TPS51206EVM-745 旨在为 DDR 存储器提供适当的终止电压和 10mA 缓冲基准电压,该存储器涵盖 DDR2 (0.9VTT)、DDR3 (0.75VTT)、DDR3L (0.675VTT) 和 DDR4 (0.6VTT) 规格,并具有超少的外部元件。

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