封装信息
| 封装 | 引脚 VSSOP (DGK) | 8 |
| 工作温度范围 (°C) -40 to 125 |
| 包装数量 | 包装 250 | SMALL T&R |
TLV2316-Q1 的特性
- 符合汽车应用 要求
- 具有符合 AEC-Q100 标准的下列结果：
- 器件温度 1 级：-40℃ 至 +125℃ 的环境运行温度范围
- 器件人体放电模型 (HBM) 静电放电 (ESD) 分类等级 3A
- 带电器件模型 (CDM) ESD 分类等级 C5
- 单位增益带宽：10MHz
- 低 IQ：每通道 400µA
- 出色的功率带宽比
- 在温度和电源电压范围内保持稳定的 IQ
- 宽电源电压范围：1.8V 至 5.5V
- 低噪声：1kHz 时为 12nV/√Hz
- 低输入偏置电流：±10pA
- 偏移电压：±0.75mV
- 单位增益稳定
- 内部射频干扰 (RFI) 和电磁干扰 (EMI) 滤波器
- 通道数量：
- TLV316-Q1：1
- TLV2316-Q1：2
- TLV4316-Q1：4
- 扩展温度范围：-40°C 至 +125°C
TLV2316-Q1 的说明
TLV316-Q1（单路）、TLV2316-Q1（双路）和 TLV4316-Q1（四路）器件构成了低功耗通用运算放大器系列。该器件系列将轨至轨 输入和输出摆幅、低静态电流（每通道的典型值为 400µA）等特性与 10MHz 的较宽带宽和超低噪声（1kHz 时为 12nV/√Hz）相结合，因此适用于要求兼具快速特性与良好功率比的电路。低输入偏置电流支持在 源阻抗高达兆欧级的 的应用。TLVx316-Q1 的低输入偏置电流产生的电流噪声极低，该器件系列因此备受高阻抗传感器接口的青睐。
TLVx316-Q1 采用稳健耐用的设计，方便电路设计人员使用。该器件具有单位增益稳定的集成 RFI 和 EMI 抑制滤波器，在过驱条件下不会出现反相，并且具有高静电放电 (ESD) 保护 (4kV HBM)。
此类器件经过优化，适合在 1.8V (±0.9V) 至 5.5V (±2.75V) 的低电压状态下工作。产品组合中最新补充的这款低压 CMOS 运算放大器与 TLVx313-Q1 和 TLVx314-Q1 系列相结合，为用户提供了广泛的带宽、噪声和功率选项，可以满足各种应用的 需求提供了灵活性和便利性。