封装信息
封装 | 引脚 HTSSOP (DCA) | 48 |
工作温度范围 (°C) -25 to 85 |
包装数量 | 包装 2,000 | LARGE T&R |
TAS5780M 的特性
- 灵活的音频 I/O 配置
- 支持 I2S、TDM、LJ 和 RJ 数字输入
- 支持采样速率
- 立体声桥接负载 (BTL) 或单声道并行桥接负载 (PBTL) 运行
- 1SPW 放大器调制
- 支持三线制数字音频接口(无需 MCLK)
- 高性能闭环架构(PVDD = 12V,RSPK
= 8Ω,SPK_GAIN = 20dB)
- 空闲声道噪声 = 62µVRMS (A-Wtd)
- 总谐波失真 + 噪声 (THD+N) = 0.2% (1W/1kHz)
- 信噪比 (SNR) = 100dB A-Wtd(以THD+N = 1% 为基准)
- 固定功能处理 特性
- 12 个 BiQuad
- 12 个 BiQuad 实现快速变换的内部存储区切换
- 双波段高级动态范围压缩 (DRC) + 自动增益限制 (AGL)
- 动态参数均衡 (DPEQ)
- 采样速率转换器 (SRC) 支持的频率包括 32kHz、44.1kHz、48kHz、88.2kHz、96kHz
- 96kHz 处理器采样
- 12 个 BiQuad
- 通信
特性
- 通过 I2C 端口实现软件模式控制
- 两个地址选择引脚 – 多达 4 个器件
- 兼具稳定性
和可靠性
- 时钟误差和短路保护
- 过热和过流保护
TAS5780M 的说明
TAS5780M 器件是一款高性能、立体声闭环 D 类放大器,集成采用 96kHz 架构的音频处理器。为实现数模转换,该器件采用了应用 Burr-Brown™技术的高性能数模转换器 (DAC) 该器件仅需两个电源:一个是用于低压电路的 DVDD,另一个是用于高压电路的 PVDD。它采用标准的 I2C 通信软件控制端口实现控制。
输出金属氧化物半导体场效应晶体管 (MOSFET) 的 90mΩ rDS(on) 兼顾散热性能与器件成本,二者相得益彰。此外,该器件采用耐热增强型 48 引脚薄型小外形尺寸 (TSSOP),在现代消费类电子器件的较高工作环境温度下展现出优异的性能。