LMG3522EVM-042 LMG3522R030-Q1 automotive 650-V 30-mΩ GaN FET with integrated driver daughter card angled board image

LMG3522EVM-042

LMG3522R030-Q1 具有集成驱动器子卡的汽车类 650V 30mΩ GaN FET

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LMG3522EVM-042 的特性

  • 输入电压高达 650V
  • 用于评估 LMG3522R030-Q1 性能的简单开环设计
  • 用于 PWM 信号的单路/双路板载 PWM 输入(具有可变死区时间)
  • 逐周期过流保护功能
  • 用于使用示波器探针(具有短接地弹簧探针)进行逻辑和功率级测量的便利探测点

LMG3522EVM-042 的说明

LMG3522EVM-042 在半桥中配置两个 LMG3522R030 GaN FET,具有逐周期过流保护、短路锁存保护功能和所有必要的辅助外围电路。该 EVM 旨在与大型系统配合使用。

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