LM74670-SQEVM 的特性
- 最大反向电压：-45V
- 快速响应动态电流反向：<10μs
- 最高输入电压为 MOSFET 的漏源极电压：40V
- 最大负载电流为漏电流 (Id)：75A
- 零 Iq 和低反向漏电流
- 符合汽车 ISO7637 和 CISPR25 要求
LM74670-SQEVM 的说明
LM74670-SQEVM 评估模块展示了可用于取代肖特基二极管和 P 通道 MOSFET 的反极性保护解决方案。在此反极性保护解决方案中，LM74670 智能二极管控制器用于为 40V (VDS) 外部 N 通道 MOSFET 提供栅极驱动。LM74670-SQEVM 与电源串联时模拟理想的二极管属性。在输入中感应到负电压时，LM74670 拉下 MOSFET 栅极并将连接的负载与电源隔离。TVS 电压钳位二极管 D1_1 和 D1_2 负责保护 LM74670-SQEVM 的安全以便进行 ISO7637 瞬态脉冲测试。