封装信息
封装 | 引脚 SOIC (D) | 8 |
工作温度范围 (°C) -40 to 125 |
包装数量 | 包装 2,500 | LARGE T&R |
ISO7720-Q1 的特性
- 符合汽车应用要求
- 具有符合 AEC-Q100 标准的下列结果:
- 器件温度等级 1:–40°C 至 +125°C 环境工作温度范围
- 器件 HBM ESD 分类等级 3A
- 器件 CDM ESD 分类等级 C6
-
功能安全型
- 可提供用于功能安全系统设计的文档:ISO7720-Q1、ISO7721-Q1
- 100Mbps 数据速率
- 稳健可靠的隔离栅:
- 在 1.5 kVRMS 工作电压下预计寿命超过 30 年
- 隔离等级高达 5000VRMS
- 浪涌能力高达 12.8kV
- CMTI 典型值为 ±100kV/µs
- 宽电源电压范围:2.25V 至 5.5V
- 2.25V 至 5.5V 电平转换
- 默认输出高电平 (ISO772x) 和低电平 (ISO772xF) 选项
- 低功耗,1Mbps 时每通道的电流典型值为 1.7mA
- 低传播延迟:11ns(典型值)
- 优异的电磁兼容性 (EMC)
- 系统级 ESD、EFT 和浪涌抗扰性
- 在整个隔离栅具有 ±8kV IEC 61000-4-2 接触放电保护
- 低干扰 (EMI)
- 宽体 SOIC(DW-16、DWV-8)和窄体 SOIC (D-8) 封装选项
- 安全相关认证
- 符合 DIN EN IEC 60747-17 (VDE 0884-17) 标准的 VDE 增强型绝缘
- UL 1577 组件认证计划
- IEC 62368-1、IEC 61010-1、IEC 60601-1 和 GB 4943.1 认证
ISO7720-Q1 的说明
ISO772x-Q1 器件是一款高性能双通道数字隔离器,可提供符合 UL 1577 标准的 5000VRMS(DW 和 DWV )和 3000VRMS(D 封装)隔离额定值。该系列包含的器件具有符合 VDE、CSA、TUV 和 CQC 标准的增强绝缘等级。
在隔离互补金属氧化物半导体 (CMOS) 或者低电压互补金属氧化物半导体 (LVCMOS) 数字 I/O 的同时,ISO772x-Q1 器件还可提供高电磁抗扰度和低辐射,同时具备低功耗特性。每条隔离通道的逻辑输入和输出缓冲器均由双电容二氧化硅 (SiO2) 绝缘栅相隔离。ISO7720-Q1 器件具有两条同向通道,而 ISO7721-Q1 器件具有两条反向通道。如果输入功率或信号出现损失,不带后缀 F 的器件默认输出高电平,带后缀 F 的器件默认输出低电平。有关更多详细信息,请参阅器件功能模式 部分。
这些器件与隔离式电源结合使用,有助于防止 CAN 和 LIN 等数据总线损坏敏感电路。凭借创新型芯片设计和布线技术,ISO772x-Q1 器件的电磁兼容性得到了显著增强,可缓解系统级 ESD、EFT 和浪涌问题并符合辐射标准。ISO772x-Q1 系列器件可提供 16 引脚 SOIC 宽体 (DW)、8 引脚 SOIC 宽体 (DWV) 和 8 引脚 SOIC 窄体 (D) 封装。