封装信息
| 封装 | 引脚 SOIC (D) | 8 |
| 工作温度范围 (°C) -40 to 125 |
| 包装数量 | 包装 2,500 | LARGE T&R |
ISO7710-Q1 的特性
- 符合汽车应用 要求
- 具有符合 AEC-Q100 标准的下列结果：
- 器件温度 1 级：-40℃ 至 +125℃ 的环境运行温度范围
- 器件 HBM ESD 分类等级 3A
- 器件 CDM ESD 分类等级 C6
- 信号传输速率：高达 100Mbps
- 宽电源电压范围：2.25V 至 5.5V
- 2.25V 至 5.5V 电平转换
- 默认输出高电平 和低电平 选项
- 低功耗，
1Mbps 时的电流典型值为 1.7mA - 低传播延迟：典型值为 11ns
（由 5V 电源供电） - 高 CMTI：±100kV/µs（典型值）
- 优异的电磁兼容性 (EMC)
- 系统级 ESD、EFT 和浪涌抗扰性
- 低辐射
- 隔离栅寿命：> 40 年
- 宽体小外形尺寸集成电路 (SOIC) (DW-16) 和窄体小外形尺寸集成电路 (SOIC) (D-8) 封装选项
- 安全及管理批准：
- VDE 增强型隔离，符合 DIN V VDE
V 0884-10 (VDE V 0884-10):2006-12 标准 - UL 1577 组件认证计划
- CSA 组件验收通知
5A、IEC 60950-1 和 IEC 60601-1 终端设备标准 - 符合 GB4943.1-2011 的 CQC 认证
- 符合 EN 60950-1 和 EN 61010-1 的 TUV 认证
- 完成 DW-16 封装的 VDE、UL、CSA 和 TUV 认证；已规划其他所有认证
- VDE 增强型隔离，符合 DIN V VDE
ISO7710-Q1 的说明
ISO7710-Q1 器件是一款高性能单通道数字隔离器，可提供符合 UL 1577 的 5000VRMS（DW 封装）和 3000VRMS（D 封装）隔离额定值。此器件还通过了 VDE、TUV、CSA 和 CQC 认证。
在隔离互补金属氧化物半导体 (CMOS) 或者低电压互补金属氧化物半导体 (LVCMOS) 数字 I/O 的同时，ISO7710-Q1 器件还可提供高电磁抗扰度和低辐射，同时具备低功耗特性。隔离通道具有逻辑输入和输出缓冲器，二者通过二氧化硅 (SiO2) 绝缘栅相隔离。如果输入功率或信号出现损失，不带后缀 F 的器件默认输出高电平，带后缀 F 的器件默认输出低电平。更多详细信息，请参见。
与隔离式电源结合使用时，该器件有助于防止数据总线或者其他电路中的噪声电流进入本地接地，进而干扰或损坏敏感电路。凭借创新型芯片设计和布线技术，ISO7710-Q1 器件的电磁兼容性得到了显著增强，可缓解系统级 ESD、EFT 和浪涌问题并符合辐射标准。ISO7710-Q1 器件可提供 16 引脚 SOIC 宽体 (DW) 和 8 引脚 SOIC 窄体 (D) 封装。