封装信息
| 封装 | 引脚 SOIC (DWV) | 8 |
| 工作温度范围 (°C) -40 to 125 |
| 包装数量 | 包装 1,000 | LARGE T&R |
ISO6721-Q1 的特性
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提供功能安全
- 可提供用于功能安全系统设计的文档：ISO6720-Q1、ISO6721-Q1
- 具有符合 AEC-Q100 标准的下列特性：
- 器件温度等级 1：–40°C 至 +125°C 环境工作温度范围
- 满足 VDA320 隔离要求
- 50Mbps 数据速率
- 稳健可靠的隔离栅：
- 在 1060VRMS 工作电压下具有长工作寿命
- 隔离等级高达 5000VRMS
- CMTI 典型值为 ±150kV/µs
- 宽电源电压范围：1.71V 到 1.89V 和 2.25V 到 5.5V
- 1.71V 至 5.5V 电平转换
- 默认输出高电平 (ISO672x-Q1) 和低电平 (ISO672xF-Q1) 选项
- 1Mbps 时的每通道电流典型值为 1.8mA
- 低传播延迟：11ns（典型值）
- 优异的电磁兼容性 (EMC)
- 系统级 ESD、EFT 和浪涌抗扰性
- 在整个隔离栅具有 ±8kV IEC 61000-4-2 接触放电保护
- 低干扰 (EMI)
- 窄 SOIC (D-8) 和宽 SOIC (DWV-8) 封装
- 安全相关认证：
- DIN VDE V 0884-11:2017-01
- UL 1577 组件认证计划
- IEC 62368-1、IEC 61010-1、IEC 60601-1
- GB 4943.1-2011
ISO6721-Q1 的说明
ISO672x-Q1 器件是高性能双通道数字隔离器，可提供符合 UL 1577 的 5000VRMS（DWV 封装）和 3000VRMS（D 封装）隔离额定值，非常适合具有此类需求的成本敏感型应用。这些器件还通过了 VDE、TUV、CSA 和 CQC 认证。
在隔离 CMOS 或 LVCMOS 数字 I/O 的同时， ISO672x-Q1 器件可提供高电磁抗扰度和低辐射，同时具备低功耗特性。每条隔离通道的逻辑输入和输出缓冲器均由 TI 的双电容二氧化硅 (SiO2) 绝缘栅相隔离。 ISO6720-Q1 器件具有 2 条同向隔离通道。 ISO6721-Q1 器件具有 2 条反向隔离通道。如果输入功率或信号出现损失，不带后缀 F 的器件默认输出高电平，带后缀 F 的器件默认输出低电平。更多详细信息，请参见器件功能模式部分。