ZHCS116G May   2011  – December 2015 TPD4S014

PRODUCTION DATA.  

  1. 特性
  2. 应用范围
  3. 说明
  4. 修订历史记录
  5. Pin Configuration and Functions
  6. Specifications
    1. 6.1 Absolute Maximum Ratings
    2. 6.2 ESD Ratings
    3. 6.3 Recommended Operating Conditions
    4. 6.4 Thermal Information
    5. 6.5 Electrical Characteristics, EN, ACK, D+, D-, ID Pins
    6. 6.6 Electrical Characteristics OVP Circuits
    7. 6.7 Supply Current Consumption
    8. 6.8 Thermal Shutdown Feature
    9. 6.9 Typical Characteristics
  7. Detailed Description
    1. 7.1 Overview
    2. 7.2 Functional Block Diagram
    3. 7.3 Feature Description
      1. 7.3.1 Input Voltage Protection at VBUS up to 28 V DC
      2. 7.3.2 Low RON nFET Switch
      3. 7.3.3 ESD Performance D+/D-/ID/VBUS Pins
      4. 7.3.4 Overvoltage and Undervoltage Lockout Features
      5. 7.3.5 Capacitance TVS ESD Clamp for USB2.0 Hi-Speed Data Rate
      6. 7.3.6 Start-up Delay
      7. 7.3.7 OVP Glitch Immunity
      8. 7.3.8 Integrated Input Enable and Status Output Signal
      9. 7.3.9 Thermal Shutdown
    4. 7.4 Device Functional Modes
  8. Application and Implementation
    1. 8.1 Application Information
    2. 8.2 Typical Applications
      1. 8.2.1 For Non-OTG USB Systems
        1. 8.2.1.1 Design Requirements
        2. 8.2.1.2 Detailed Design Procedure
        3. 8.2.1.3 Application Curves
      2. 8.2.2 For OTG USB Systems
        1. 8.2.2.1 Design Requirements
        2. 8.2.2.2 Detailed Design Procedure
        3. 8.2.2.3 Application Curves
  9. Power Supply Recommendations
  10. 10Layout
    1. 10.1 Layout Guidelines
    2. 10.2 Layout Example
  11. 11器件和文档支持
    1. 11.1 社区资源
    2. 11.2 商标
    3. 11.3 静电放电警告
    4. 11.4 Glossary
  12. 12机械、封装和可订购信息

封装选项

机械数据 (封装 | 引脚)
散热焊盘机械数据 (封装 | 引脚)
订购信息

特性

  • VBUS 上达 28 V 的输入电压保护
  • 导通电阻 (Ron) 较低的 N 沟道场效应晶体管 (FET) 开关
  • 支持大于 2A 的充电电流
  • 静电放电 (ESD) 性能 D+/D–/ID/VBUS 引脚:
    • ±15kV 接触放电 (IEC 61000-4-2)
    • ±15kV 空气间隙放电 (IEC 61000-4-2)
  • 过压和欠压锁定 功能
  • 针对 USB2.0 高速数据率的低电容瞬态电压抑制器 (TVS) ESD 钳位
  • 内部 17ms 启动延迟
  • 集成输入使能和状态输出信号
  • 热关断特性
  • 采用节省空间的小外形尺寸无引线 (SON) 封装 (2 mm × 2 mm)

应用范围

  • 手机
  • 电子书
  • 便携式媒体播放器
  • 数码摄像机

说明

TPD4S014 是一款用于 USB 充电器端口保护的单芯片解决方案。该器件为 D+、D- 提供低电容瞬态电压抑制器 (TVS) 静电放电 (ESD) 钳位并为 ID 引脚提供标准电容。该器件在 VBUS 引脚提供直流电压高达 28V 的过压保护 (OVP)。过压锁定功能可确保当 VBUS 线路出现故障情况时,TPD4S014 能够隔离 VBUS 线路,从而避免内部电路受损。VBUS 升至欠压锁定 (UVLO) 阈值后存在 17ms 开机延迟,从而在 nFET 导通前使电压趋于稳定。该功能可去除毛刺脉冲并避免因线路连接过程中出现的任何振铃问题导致意外开关。

器件信息(1)

器件型号 封装 封装尺寸(标称值)
TPD4S014 WSON (10) 2.00mm x 2.00mm
  1. 要了解所有可用封装,请见数据表末尾的可订购产品附录。

简化框图

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