ZHCSHX8D September   2017  – October 2019 TPS50601A-SP

PRODUCTION DATA.  

  1. 特性
    1.     VIN = PVIN = 5V 条件下的效率
  2. 应用
  3. 说明
  4. 修订历史记录
  5. Pin Configuration and Functions
    1.     Pin Functions
  6. Specifications
    1. 6.1 Absolute Maximum Ratings
    2. 6.2 ESD Ratings
    3. 6.3 Recommended Operating Conditions
    4. 6.4 Thermal Information
    5. 6.5 Electrical Characteristics
    6. 6.6 Typical Characteristics
  7. Detailed Description
    1. 7.1 Overview
    2. 7.2 Functional Block Diagram
    3. 7.3 Feature Description
      1. 7.3.1  VIN and Power VIN Pins (VIN and PVIN)
      2. 7.3.2  Voltage Reference
      3. 7.3.3  Adjusting the Output Voltage
      4. 7.3.4  Safe Start-Up Into Prebiased Outputs
      5. 7.3.5  Error Amplifier
      6. 7.3.6  Slope Compensation
      7. 7.3.7  Enable and Adjust UVLO
      8. 7.3.8  Adjustable Switching Frequency and Synchronization (SYNC)
      9. 7.3.9  Slow Start (SS/TR)
      10. 7.3.10 Power Good (PWRGD)
      11. 7.3.11 Sequencing (SS/TR)
      12. 7.3.12 Output Overvoltage Protection (OVP)
      13. 7.3.13 Overcurrent Protection
        1. 7.3.13.1 High-Side MOSFET Overcurrent Protection
        2. 7.3.13.2 Low-Side MOSFET Overcurrent Protection
      14. 7.3.14 Thermal Shutdown
      15. 7.3.15 Turn-On Behavior
      16. 7.3.16 Small Signal Model for Frequency Compensation
    4. 7.4 Device Functional Modes
      1. 7.4.1 Fixed-Frequency PWM Control
      2. 7.4.2 Continuous Current Mode (CCM) Operation
  8. Application and Implementation
    1. 8.1 Application Information
    2. 8.2 Typical Application
      1. 8.2.1 Design Requirements
      2. 8.2.2 Detailed Design Procedure
        1. 8.2.2.1 Operating Frequency
        2. 8.2.2.2 Output Inductor Selection
        3. 8.2.2.3 Output Capacitor Selection
        4. 8.2.2.4 Slow Start Capacitor Selection
        5. 8.2.2.5 Undervoltage Lockout (UVLO) Set Point
        6. 8.2.2.6 Output Voltage Feedback Resistor Selection
        7. 8.2.2.7 Compensation Component Selection
      3. 8.2.3 Parallel Operation
      4. 8.2.4 Application Curve
  9. Power Supply Recommendations
  10. 10Layout
    1. 10.1 Layout Guidelines
    2. 10.2 Layout Example
  11. 11器件和文档支持
    1. 11.1 文档支持
      1. 11.1.1 相关文档
    2. 11.2 接收文档更新通知
    3. 11.3 社区资源
    4. 11.4 商标
    5. 11.5 静电放电警告
    6. 11.6 Glossary
  12. 12机械、封装和可订购信息

特性

  • 5962-10221:
    • 耐辐射高达 100krad (Si) TID
    • 无低剂量率辐射损伤增强 (ELDRS) 100 krad (Si) – 10mrad(Si)/s
    • 单粒子锁定 (SEL) 对于
      LET 的抗扰度 = 75MeV-cm2/mg
    • SEB 和 SEGR 抗扰度可达到 75MeV-cm2/mg,提供 SOA 曲线
    • 提供 SET/SEFI 横截面图
  • 峰值效率:96.6% (VO = 3.3V)
  • 集成了 58mΩ/50mΩ MOSFET
  • 电源轨:3 至 7V(输入电压)
  • 6A 最大输出电流
  • 灵活的开关频率选项:
    • 100kHz 至 1MHz 可调内部振荡器
    • 外部同步功能的频率范围:100kHz 至 1MHz
    • 可针对主/从应用将同步引脚配置为 500kHz
  • 0.804V ±1.5% 的电压基准过热、辐射以及线路和负载调节
  • 单调启动至预偏置输出
  • 通过外部电容器进行可调节的软启动
  • 用于电源定序的输入使能和电源正常输出
  • 针对欠压和过压问题的电源正常输出监控
  • 可调节输入欠压锁定 (UVLO)
  • 20 引脚超小型耐热增强型陶瓷扁平封装 (HKH),适用于太空 应用
  • VIN = PVIN = 5V 条件下的效率

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