ZHDT008 November 2025 ISOM8110-Q1
图 1 使用 ISOM8113-Q1 检测充电连接的示例电路设计注意事项
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- 符合充电标准（CHAdeMO、GB/T、COMBO1、COMBO2）且获得汽车级认证的低成本隔离产品
- 晶体管输出光耦仿真器的直接替代产品
- 相对于传统光耦合器实现性能提升；可以在不发生 LED 老化的情况下实现高水平 CTR 性能。
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推荐器件
晶体管输出光耦仿真器
| 目录 器件型号 |
汽车器件型号 | 输入类型 | 输出类型 | VF（最大值） | IF（最小值） | CTR |
|---|---|---|---|---|---|---|
| ISOM8113 | ISOM8113-Q1 | 直流输入 | 集电极开路/晶体管输出 | 1.4V | 700μA | 375% 至 560% |
| ISOM8118 | ISOM8118-Q1 | 交流输入 | 1.5V | 700μA | 375% 至 560% |
电阻选择
R1 用于限制流入光耦仿真器输入端的电流量。为了获得出色的效果，高电平输入电流可以达到 IF = 1mA，从而在 IF（最小值）= 700μA 时留出裕度。因此，选择 R1 时必须满足以下条件：
方程式 1. R1 < (VIN − VF) ÷ IFmin
选择的上拉电阻器 R2 旨在确保 ISOM8113-Q1 在输入变为高电平后输出低电平。选择一个 R2，以将集电极电流限制在期望的输出电流以下。为了获得出色的开关性能，R2 通常介于 1kΩ 到 25kΩ 之间，以在饱和模式下运行器件。有关应用和设计注意事项的更多详细信息，请参阅【常见问题解答】ISOM8110：如何设计 ISOM8110，来为开关应用提供出色的时序性能？