为 ACL 电路选择 MOSFET 通常用于复位正向/反激式转换器拓扑中的变压器磁芯或防止电感电压尖峰，这需要仔细优化电压应力额定值、开关速度特性和栅极驱动要求。

1.击穿电压 (${\mathit{V}}_{\mathit{D}\mathit{S}\mathit{S}}$)

MOSFET 必须能够承受最大钳位电压，而不会进入雪崩击穿。A $V_{DSS}$ 所选峰值钳位电压应至少比预期峰值钳位电压高 30%（如方程式 7 中所计算），以便为输入电压变化和瞬态电压尖峰提供足够裕度。

2.体二极管特性

ACL MOSFET 依靠其内部体二极管在初始复位阶段传导电流。体二极管必须具有足够电流处理能力来承受峰值反射电流。由于电流传导通过 MOSFET 的内部体二极管发生，因此由于缺少固有体二极管，氮化镓 (GaN) 器件不是此应用的优选方案。

基于$I_{clamp}$（在节 2.2.1 中计算），可以确定 FET 的初始电流额定值；但是，这仅表示 RMS 值。要获得峰值电流 ($I_{clamp\_peak}$)，电路仿真是必要的，或者可以通过参考“利用 PSFB 转换器中的有源钳位实现高转换器效率”中概述的方法进行分析计算。应根据计算得出的峰值电流来验证器件数据表中指定的“源漏脉冲电流”额定值。更新了脉冲漏极电流$I_{D,pulse}$，其属于 PMOS 接近或超过此额定值的情况，可以加入一个串联功率电阻器来限制电流量级。