ZHDA043 January 2026 TMS320F28P659DK-Q1
通常,可以使用低侧栅极驱动器来驱动 PMOS 器件,如图 2-6 所示。电容器 C1 用于为 PMOS 生成负栅极电压,以 10nF 的初始值作为起点。二极管 D1 将最大正电压钳位到其正向压降 (VF);因此,施加到 PMOS 的有效负栅源电压为 (VDD - VF)。
请注意,如果 C1 的电容过大,PMOS 的栅极信号将表现出较慢的下降时间。在解决转换器软启动运行期间的漏源电压 (Vds) 过压问题时,必须特别注意这一现象。
当 ACL 电路中使用 NMOS 器件作为钳位 MOSFET 时,需要使用隔离式栅极驱动器,如图 2-7 所示。或者,可以使用与低侧驱动器相结合的数字隔离器,如图 2-8 所示。自举电路可以为隔离式元件供电。表 2-3 介绍了 TI 的一系列优先用于在 ACL 电路应用中实现的栅极驱动器集成电路。
| 类型 | 器件型号 | 规格 |
|---|---|---|
| 低侧驱动器 | UCC27511A | 具有 4A 峰值拉电流和 8A 峰值灌电流的单通道、高速、低侧栅极驱动器 |
| UCC27524A1 | 具有负输入电压能力的双通道 5A 高速低侧栅极驱动器 | |
| 隔离式驱动器 | UCC5350 | 单通道隔离式栅极驱动器 |
| UCC21331 | 4A/6A 3.0kVRMS 隔离式双通道栅极驱动器 | |
| 数字隔离器 | ISO7710 | EMC 性能优异的高速、增强型单通道数字隔离器 |
| ISO6420 | 通用、基础型及增强型双通道数字隔离器 |