ZHCT929 May 2025 BQ76907-Q1
BQ76907-Q1是TI新一代多串数模拟前端(Analog Front End, AFE) 芯片。因为其具有采样精度高,功耗低,集成低边驱动,保护功能丰富,最高支持7S电池,集成均衡FET,性价比高等诸多优点,可以用于12V汽车电池包的电池监测。传统12V汽车电池包的系统在小电流情况下进入休眠模式以节省功耗,电流在超过一定阈值后(多数厂商要求1A)需要AFE发送硬件唤醒信号使能SBC进而使MCU重新上电工作。BQ76907-Q1有normal mode,sleep mode, deep sleep mode和shutdown mode 4种工作模式,其中只有normal mode才可以使用累积电荷积分功能,因此常规使用时需要让BQ76907-Q1一直处于normal mode下,没有sleep mode到normal mode时产生的ALERT 信号。如 Figure 1 所示。在这种情况下,如何让处于normal mode下的BQ76907-Q1产生1A唤醒信号成为难点。
图 1 传统12V汽车电池包1A唤醒示意图本篇文章以1A 唤醒阈值,电流采样电阻100uohm,系统最大电流2000A为例,介绍一种可同时实现充电和放电两个方向的唤醒检测方法,初始配置为CC1 Gain=Current Gain=39, CC1 LSB=Current LSB=61.548478mA。
一 、放电方向小电流唤醒
基本思路:注入CC1 offset,触发normal mode到sleep mode的ALERT pin 中断从而唤醒MCU。
Normal mode和sleep mode切换相关的阈值有两个,分别是Sleep current 和Wake Comparator Current。Sleep Current 使用的CC1数字滤波器CC1 Current() 的结果。Wake Comparator Current使用的是CC2数字滤波器Current()的结果。正确配置要求:Power:Sleep:Wake Comparator Current要大于Power:Sleep:Sleep Current,否则会出现退不出sleep mode或进不去sleep mode情况。
正确的normal mode和sleep mode切换状态Figure 2所示:
图 2 normal mode 和sleep
mode切换示意图具体步骤
首先进去CONFIG_UPDATE mode进行Data Memory相关设置:
注意Power:Sleep:Wake Comparator Current阈值要大于Power:Sleep:Sleep Current,实测设置成10后不会导致直接进sleep mode问题。
正确配置:
错误配置:
+2000mA/CC1 LSB mA = [0-Calibration:Current:CC1 Offset/256]*Calibration:Current:CC1 Gain/32 得出Calibration:Current:CC1 Offset=-6825
退出CONFIG_UPDATE mode。
完成上述配置后,在normal mode下当放电电流从0A升至100mA,CC1 Current 会下降,报告 1900mA,直至放电电流升至1000mA,CC1 Current 会下降,报告 1000mA,此时,芯片达到sleep current 阈值,从normal mode进入sleep mode,进而触发ALERT pin 拉低,给MCU唤醒信号,MCU完成初始化后立即发送子命令0x009A SLEEP_DISABLE() 使得芯片回到normal mode并向0x62 Alarm Status[Sleep]写1清除ALERT pin电平。ALERT pin 波形图如Figure 3所示:
图 3 放电方向1A唤醒ALERT波形图需要注意的是,使用BQ76907-Q1自带的累积电荷积分功能时,需要减掉CC1 Offset 2000mA乘以PASSTIME。
二 、充电方向小电流唤醒
基本思路:当不使用CHG 和DSG 驱动低边MOS而是额外加入高边驱动时,利用触发Body diode protection使得DSG 驱动从disable状态转变成enable状态,进而唤醒MCU,具体步骤如下:
进入CONFIG_UPDATE mode进行Data Memory相关设置:
Settings:Configuration:FET Options[SFET]=1,// 使能Body diode protection功能
Settings:Configuration:FET Options[HOST_FETON_EN]=1,//允许主机控制FET打开
Settings:Configuration:FET Options[HOST_FETOFF_EN]=1,//允许主控控制FET关闭
Settings:Configuration:FET Options[FET_EN]=0,//关闭芯片自主控制FET的功能
当充电电流从0A升至100mA,Current() 会上升,报告100mA,直至充电电流升至1000mA,Current ()上升至1000mA,此时,芯片达到Body diode protection 阈值,DSG driver打开,客户可加入高阻抗分压电路送入MCU唤醒。DSG pin波形如Figure 4所示:
图 4 充电方向1A唤醒DSG波形图总结:本文分别讨论了使用BQ76907-Q1实现充电方向和放电方向1A唤醒的软件方法,相对于外加硬件唤醒电路,该方法具有减少电路成本,缩小PCB尺寸,唤醒电流精度更高的优点。