ZHCSZ71 September   2025 TPS7N48

PRODUCTION DATA  

  1.   1
  2. 1 特性
  3. 2 应用
  4. 3 说明
  5. 4 引脚配置和功能
  6. 5 规格
    1. 5.1 绝对最大额定值
    2. 5.2 ESD 等级
    3. 5.3 建议运行条件
    4. 5.4 热性能信息
    5. 5.5 电气特性
    6. 5.6 典型特性
  7. 6 详细说明
    1. 6.1 概述
    2. 6.2 功能方框图
    3. 6.3 特性说明
      1. 6.3.1 使能和关断
      2. 6.3.2 有源放电
      3. 6.3.3 电源正常状态输出 (PG)
      4. 6.3.4 内部电流限制
      5. 6.3.5 热关断保护 (TSD)
    4. 6.4 器件功能模式
      1. 6.4.1 正常运行
      2. 6.4.2 压降运行
      3. 6.4.3 禁用
  8. 7 应用和实施
    1. 7.1 应用信息
      1. 7.1.1 输入、输出和偏置电容器要求
      2. 7.1.2 压降电压
      3. 7.1.3 输出噪声
      4. 7.1.4 估算结温
      5. 7.1.5 软启动，时序控制和浪涌电流
      6. 7.1.6 电源正常操作
    2. 7.2 典型应用
      1. 7.2.1 设计要求
      2. 7.2.2 详细设计过程
      3. 7.2.3 应用曲线
    3. 7.3 电源相关建议
    4. 7.4 布局
      1. 7.4.1 布局指南
        1. 7.4.1.1 电路板布局
      2. 7.4.2 布局示例
  9. 8 器件和文档支持
    1. 8.1 器件支持
      1. 8.1.1 器件命名规则
    2. 8.2 文档支持
      1. 8.2.1 相关文档
    3. 8.3 接收文档更新通知
    4. 8.4 支持资源
    5. 8.5 商标
    6. 8.6 静电放电警告
    7. 8.7 术语表
  10. 9 修订历史记录
  11. 10机械、封装和可订购信息

5.5 电气特性

在 VEN = 1.1V、VIN = VOUT + 0.25V、CBIAS = 0.1μF、CIN = COUT = 10μF、CSS = 1nF、IOUT = 50mA、VBIAS = 5.5V(2) 和 TJ = –40°C 至 125°C 的条件下测得（除非另有说明）；典型值的测量温度为 TJ = 25°C
参数 测试条件 最小值 典型值 最大值 单位
VREF 内部基准（可调节） 0.5 V
VBIAS(UVLO) 上升偏置电源 UVLO 1.0 1.25 1.75 V
VBIAS(UVLO)，HYST 偏置电源 UVLO 迟滞 43 mV
精度(1)(3) VBIAS = 5.5V、50mA ≤ IOUT ≤ 1.5A -2 ±0.8 2 %
ΔVOUT(ΔIOUT) 线路调整 VOUT(nom) + 0.25V ≤ VIN ≤ 5.5V 0.03 %/V
VOUT 负载调整 50mA ≤ IOUT ≤ 1.5A 0.09 %/A
VDO(IN) VIN 压降电压 VFB = 0.97xVREF、0.75V ≤ VIN ≤ 3.6V、IOUT = 1.5A 95 150 mV
VDO(BIAS) VBIAS 压降电压 VFB = 0.97xVREF、IOUT = 1.5A、VIN = VBIAS = 2.7V  1.16 1.35 V
ICL 输出电流限制 VOUT = 80% × VOUT(nom)、VIN(nom) = VOUT(nom) + 0.5V 2.3 3.1 A
IBIAS BIAS 引脚电流 IOUT = 0mA 0.04 0.1 mA
IOUT = 50mA 0.67 1.1
ISHDN 关断电源电流 (IGND) VEN ≤ 0.4V、VOUT = 0.5V 0.9 10 µA
IFB 反馈引脚电流 -0.3 ±0.12 0.3 µA
PSRR 电源抑制比，VIN 至 VOUT 1kHz，IOUT = 1.5A，VIN = 1.1V，VOUT = 0.5V 72 dB
300kHz，IOUT = 1.5A，VIN = 1.1V，VOUT = 0.5V 46
电源抑制比，VBIAS 至 VOUT 1kHz，IOUT = 1.5A，VIN = 1.1V，VOUT = 0.5V 64
300kHz，IOUT = 1.5A，VIN = 1.1V，VOUT = 0.5V 33
Vn 输出噪声电压 BW = 10Hz 至 100kHz，IOUT = 1.5A 5.8 μVrms x VOUT
tSTR 最短启动时间 从 EN 为高电平且达到 VOUT(NOM) 的 98%、IOUT = 1.0A、CSS =开路开始 170 µs
ISS 软启动充电电流 VSS = 0.4V 7.5 µA
tSS 软启动时间 Css = 10nF 0.9 ms
VEN(hi) 使能输入高电平 1.1 5.5 V
VEN(lo) 使能输入低电平 0 0.4 V
VEN(hys) 使能引脚迟滞 55 mV
VEN(dg) 使能引脚抗尖峰脉冲时间 17 µs
IEN 使能引脚电流 VEN = 5V 0.1 0.5 µA
VIT PG 跳变阈值 VOUT 降低 85 90 94 %VOUT
VHYS PG 跳变迟滞 2.5 %VOUT
VPG(lo) PG 输出低电压 IPG = 1mA（灌电流），VOUT < VIT 0.125 V
IPG(lkg) PG 漏电流 VPG = 5.25V，VOUT > VIT 0.01 0.1 µA
TJ 工作结温 -40 125 ℃
TSD 热关断温度 关断，温度升高 165 ℃
复位，温度降低 140
(1) 器件在 0.5V 下测试；不考虑电阻器容差。
(2) VOUT ≥ 3.4V 时，VBIAS = VDO_MAX(BIAS) + VOUT
(3) 由于功率耗散高于封装的最大额定值，未在 VIN > VOUT + 1.65V 且 IOUT = 1.5A 的条件下测试该器件。此外，此精度规格不适用于超过受测封装功率耗散限制的任何应用条件。