ZHCSZ59A November   2025  – June 2026 TPS2291L02

PRODUCTION DATA  

  1.   1
  2. 1 特性
  3. 2 应用
  4. 3 说明
  5. 4 引脚配置和功能
  6. 5 规格
    1. 5.1 绝对最大额定值
    2. 5.2 ESD 等级
    3. 5.3 建议运行条件
    4. 5.4 热性能信息
    5. 5.5 电气特性
    6. 5.6 开关特性
    7. 5.7 典型特性
  7. 6 参数测量信息
  8. 7 详细说明
    1. 7.1 概述
    2. 7.2 功能方框图
    3. 7.3 特性说明
      1. 7.3.1 导通和关断控制
      2. 7.3.2 输入电容器 (CIN)
      3. 7.3.3 快速输出放电
      4. 7.3.4 热关断
    4. 7.4 器件功能模式
  9. 8 应用和实施
    1. 8.1 应用信息
      1. 8.1.1 待机功率降低
    2. 8.2 典型应用
      1. 8.2.1 设计要求
      2. 8.2.2 详细设计过程
      3. 8.2.3 应用曲线
    3. 8.3 电源相关建议
    4. 8.4 布局
      1. 8.4.1 布局指南
        1. 8.4.1.1 散热注意事项
      2. 8.4.2 布局示例
  10. 9 器件和文档支持
    1. 9.1 文档支持
      1. 9.1.1 相关文档
    2. 9.2 接收文档更新通知
    3. 9.3 支持资源
    4. 9.4 商标
    5. 9.5 静电放电警告
    6. 9.6 术语表
  11. 10修订历史记录
  12. 11机械、封装和可订购信息

7.3.2 输入电容器 (CIN)

要限制在开关打开进入放电的负载电容器或短路时由瞬态浪涌电流引起的输入电源压降，请在 VIN 和 GND 引脚之间放置一个电容器。靠近引脚放置的 1µF 陶瓷电容器 CIN 通常就足够了。可以使用更高的 CIN 值来进一步降低大电流应用期间的压降。在开关重负载时，可使用一个比输出电容器高大约 10 倍的输入电容器，避免出现过大的压降。

由于 MOSFET 中集成了体二极管，因此强烈建议使 CIN 大于 CL。如果 CL 大于 CIN，则在移除系统电源后，会导致 VOUT 超过 VIN。这可能导致电流通过体二极管从 VOUT 流向 VIN。建议 CIN 与 CL 之比为 10:1，以尽可能减少启动期间浪涌电流引起的 VIN 骤降。