ZHCSYG6G May   2004  – June 2025 LM2675

PRODUCTION DATA  

  1.   1
  2. 特性
  3. 应用
  4. 说明
  5. 引脚配置和功能
  6. 规格
    1. 5.1  绝对最大额定值
    2. 5.2  ESD 等级
    3. 5.3  建议运行条件
    4. 5.4  热性能信息
      1. 5.4.1 电气特性 ——3.3V
    5. 5.5  电气特性 ——5V
    6. 5.6  电气特性 ——12V
    7. 5.7  电气特性 ——可调节
    8. 5.8  电气特性 – 所有输出电压版本
    9. 5.9  典型特性
    10. 5.10 典型特性 — 固定输出电压版本
  7. 详细说明
    1. 6.1 概述
    2. 6.2 功能方框图
    3. 6.3 特性说明
      1. 6.3.1 可调节输出电压
    4. 6.4 器件功能模式
      1. 6.4.1 关断模式
      2. 6.4.2 工作模式
  8. 应用和实施
    1. 7.1 应用信息
    2. 7.2 典型应用
      1. 7.2.1 固定输出电压应用电路
        1. 7.2.1.1 设计要求
        2. 7.2.1.2 详细设计过程
          1. 7.2.1.2.1 使用 WEBENCH® 工具创建定制设计方案
          2. 7.2.1.2.2 电感器选择 (L1)
          3. 7.2.1.2.3 输出电容器选型 (COUT)
          4. 7.2.1.2.4 环流二极管选择 (D1)
          5. 7.2.1.2.5 输入电容器 (CIN)
          6. 7.2.1.2.6 升压电容器 (CB)
        3. 7.2.1.3 应用曲线
      2. 7.2.2 可调节输出电压应用
        1. 7.2.2.1 设计要求
        2. 7.2.2.2 详细设计过程
          1. 7.2.2.2.1 对输出电压进行编程
          2. 7.2.2.2.2 电感器选择 (L1)
          3. 7.2.2.2.3 输出电容器选型 (COUT)
          4. 7.2.2.2.4 环流二极管选择 (D1)
          5. 7.2.2.2.5 输入电容器 (CIN)
          6. 7.2.2.2.6 升压电容器 (CB)
        3. 7.2.2.3 应用曲线
    3. 7.3 电源相关建议
    4. 7.4 布局
      1. 7.4.1 布局指南
        1. 7.4.1.1 WSON 封装器件
      2. 7.4.2 布局示例
  9. 器件和文档支持
    1. 8.1 器件支持
      1. 8.1.1 开发支持
        1. 8.1.1.1 使用 WEBENCH® 工具创建定制设计方案
    2. 8.2 文档支持
      1. 8.2.1 相关文档
    3. 8.3 接收文档更新通知
    4. 8.4 支持资源
    5. 8.5 商标
    6. 8.6 静电放电警告
    7. 8.7 术语表
  10. 修订历史记录
  11. 10机械、封装和可订购信息

引脚配置和功能

LM2675 D 或 P 封装,8 引脚 SOIC 或 PDIP(俯视图视图)图 4-1 D 或 P 封装,8 引脚 SOIC 或 PDIP(俯视图视图)
LM2675 NHN 封装,16 引脚 WSON(俯视图)图 4-2 NHN 封装,16 引脚 WSON(俯视图)
表 4-1 引脚功能
引脚 类型(1) 说明
名称 D,P NHN
CB 1 1 I 用于高侧驱动器的自举电容器连接。在 CB 与 VSW 引脚之间连接一个优质的
470nF 电容器。
FB 4 8 I 反馈检测输入引脚。连接到反馈分压器的中点以设置 VOUT 以实现可调版本,或将此引脚直接连接到输出电容器以实现固定输出版本。
GND 6 11、12 电源接地引脚。连接到系统地。CIN 和 COUT 的接地引脚。尽量缩短到 CIN 的距离。
NC 2、3 2、3、4、5、
6、7、10、13
无连接引脚。
开启/关闭 5 9 I 电压稳压器的使能输入。高电平 = 开启,低电平 = 关闭。将该引脚拉高或悬空可启用稳压器。
VIN 7 14 I 供电输入引脚连接至高侧 FET 的集电极引脚。连接到电源和输入旁路电容器 CIN。从 VIN 引脚到高频旁路 CIN 和 GND 的路径必须尽可能短。
VSW 8 15、16 O 内部高侧 FET 的源极引脚。这是一个开关节点。将该引脚连接到电感器和外部二极管的阴极。
DAP 所有 DAP、散热片和焊盘连接点均处于接地电位,必须连接到系统地,以确保器件具备良好的散热性能和电气性能。
I = 输入,O = 输出