ZHCSYE6 June   2025 TXGS441-SEP

ADVANCE INFORMATION  

  1.   1
  2. 1 特性
  3. 2 应用
  4. 3 说明
  5. 4 引脚配置和功能
  6. 5 规格
    1. 5.1  绝对最大额定值
    2. 5.2  ESD 等级
    3. 5.3  建议运行条件
    4. 5.4  热性能信息
    5. 5.5  电气特性
    6. 5.6  开关特性，VCCA = 1.8V ± 0.15V
    7. 5.7  开关特性，VCCA = 2.5V ± 0.2V
    8. 5.8  开关特性，VCCA = 3.3V ± 0.3V
    9. 5.9  开关特性，VCCA = 5.0 ± 0.5V
    10. 5.10 开关特性：Tsk，TMAX
    11. 5.11 典型特性
  7. 6 参数测量信息
    1. 6.1 负载电路和电压波形
  8. 7 详细说明
    1. 7.1 概述
    2. 7.2 功能方框图
    3. 7.3 特性说明
      1. 7.3.1 具有集成下拉电阻的 CMOS 施密特触发器输入
        1. 7.3.1.1 带有集成静态下拉电阻的输入
      2. 7.3.2 平衡型高驱动 CMOS 推挽式输出
      3. 7.3.3 VCC 断开
      4. 7.3.4 过压容限输入
      5. 7.3.5 无干扰电源定序
      6. 7.3.6 负钳位二极管
      7. 7.3.7 完全可配置的双轨设计
      8. 7.3.8 支持高速转换
      9. 7.3.9 交流噪声抑制
    4. 7.4 器件功能模式
  9. 8 应用和实施
    1. 8.1 应用信息
    2. 8.2 典型应用
      1. 8.2.1 设计要求
      2. 8.2.2 详细设计过程
      3. 8.2.3 应用曲线
    3. 8.3 电源相关建议
    4. 8.4 布局
      1. 8.4.1 布局指南
      2. 8.4.2 布局示例
  10. 9 器件和文档支持
    1. 9.1 文档支持
      1. 9.1.1 相关文档
    2. 9.2 接收文档更新通知
    3. 9.3 支持资源
    4. 9.4 商标
    5. 9.5 静电放电警告
    6. 9.6 术语表
  11. 10修订历史记录
  12. 11机械、封装和可订购信息

1 特性

  • VID：待定

  • 抗辐射：

    • 单粒子锁定 (SEL) 在 125°C 下的抗扰度可达 43MeV-cm2/mg

    • 每个晶圆批次的辐射批次验收测试 (RLAT) 电离辐射总剂量 (TID) 高达 20krad(Si)

  • 支持高达 40V 的直流接地偏移
  • 高达 5MHz 的 80VPP 交流噪声抑制
  • CMTI 为 1kV/µs
  • 低传播延迟 (<5ns) 和通道间偏斜 (0.35ns)
  • 大于 250Mbps
  • 低功耗（1Mbps、1.8V 时每通道 0.65mA）
  • 完全可配置的双电源轨设计可允许各个端口在 1.71V 至 5.5V 范围内运行
  • 支持 VCC 断开功能（I/O 强制进入高阻态）
  • 施密特触发输入允许慢速和高噪声信号
  • 带集成静态下拉电阻器的输入阻止通道悬空
  • 工作温度范围为 –55°C 至 +125°C
  • 闩锁性能超过 100mA，符合 JESD 78 II 类规范的要求
  • ESD 保护性能超过 JESD 22 规范要求
    • 4000V 人体放电模型
    • 500V 充电器件模型
  • 小型 SOT-24 (DYY-14) 封装