ZHCSXZ0B July   2002  – June 2025 TLC3702-EP

PRODUCTION DATA  

  1.   1
  2. 1特性
  3. 2说明
  4.   Pin Configuration and Functions
  5. 3Specifications
    1. 3.1 Absolute Maximum Ratings
    2. 3.2 Recommended Operating Conditions
    3. 3.3 Electrical Characteristics
    4. 3.4 Switching Characteristics
    5. 3.5 Typical Characteristics
  6. 4Detailed Description
    1. 4.1 Overview
    2. 4.2 Functional Block Diagrams
    3. 4.3 Feature Description
    4. 4.4 Device Functional Modes
      1. 4.4.1 Input
      2. 4.4.2 ESD Protection
      3. 4.4.3 Unused Inputs
      4. 4.4.4 Push-Pull Output
      5. 4.4.5 Hysteresis
        1. 4.4.5.1 Inverting Comparator With Hysteresis
        2. 4.4.5.2 Non-Inverting Comparator With Hysteresis
  7. 5Application and Implementation
    1. 5.1 Application Information
      1. 5.1.1 Basic Comparator Definitions
        1. 5.1.1.1 Operation
        2. 5.1.1.2 Propagation Delay
        3. 5.1.1.3 Overdrive and Underdrive Voltage
    2. 5.2 Typical Applications
      1. 5.2.1 Window Comparator
        1. 5.2.1.1 设计要求
        2. 5.2.1.2 Detailed Design Procedure
        3. 5.2.1.3 Application Curve
    3. 5.3 Power Supply Recommendations
    4. 5.4 Layout
      1. 5.4.1 Layout Guidelines
      2. 5.4.2 Layout Example
  8. 6Device and Documentation Support
    1. 6.1 Documentation Support
      1. 6.1.1 Related Documentation
    2. 6.2 接收文档更新通知
    3. 6.3 支持资源
    4. 6.4 Trademarks
    5. 6.5 静电放电警告
    6. 6.6 术语表
  9. 7Revision History
  10. 8Mechanical, Packaging, and Orderable Information

说明

TLC3702-EP 包含两个独立的微功耗电压比较器,这些比较器由单电源供电运行、并与现代 HCMOS 逻辑系统兼容。这些芯片在功能上与 LM339 类似,但使用二十分之一的功率来实现类似的响应时间。推挽式 CMOS 输出级直接驱动容性负载,无需使用功耗上拉电阻器即可实现规定的响应时间。消除上拉电阻器不仅可以降低功耗,还可以节省布板空间和元件成本。输出级也完全符合 TTL 要求。

德州仪器 (TI) LinCMOS 工艺为标准 CMOS 工艺提供了高质量模拟性能。除了在不牺牲速度的情况下低功耗、高输入阻抗和低偏置电流等标准 CMOS 优势外,LinCMOS 工艺还在宽差分输入电压下提供极为稳定的输入失调电压。该特性旨在构建可靠的 CMOS 比较器。

器件信息
TA封装 (1)可订购器件型号(2)正面标识
-55°C 至 125°CSOP− DTLC3702MDREP3702ME
如需了解所有可用封装,请参阅数据表末尾的可订购产品附录。
封装尺寸(长 × 宽)为标称值,并包括引脚(如适用)。
TLC3702-EP 符号(每个比较器)符号(每个比较器)