ZHCSXO6G July   2004  – August 2026 LM317L

PRODUCTION DATA  

  1.   1
  2. 1 特性
  3. 2 应用
  4. 3 说明
  5. 4 引脚配置和功能
  6. 5 规格
    1. 5.1 绝对最大额定值
    2. 5.2 ESD 等级
    3. 5.3 建议运行条件
    4. 5.4 热性能信息（SOIC 和 SOT-89）
    5. 5.5 热性能信息（TO-92 和 TSSOP）
    6. 5.6 电气特性
    7. 5.7 典型特性
  7. 6 详细说明
    1. 6.1 概述
    2. 6.2 功能方框图
    3. 6.3 特性说明
      1. 6.3.1 NPN 达林顿输出驱动
      2. 6.3.2 过载块
      3. 6.3.3 可编程反馈
    4. 6.4 器件功能模式
      1. 6.4.1 正常运行
      2. 6.4.2 低输入电压下的运行
      3. 6.4.3 轻负载下的运行
      4. 6.4.4 自保护模式下的运行
  8. 7 应用和实施
    1. 7.1 应用信息
    2. 7.2 典型应用
      1. 7.2.1 设计要求
      2. 7.2.2 详细设计过程
        1. 7.2.2.1 输入电容器
        2. 7.2.2.2 输出电容器
        3. 7.2.2.3 反馈电阻器
        4. 7.2.2.4 调节端子电容器
        5. 7.2.2.5 设计选项和参数
        6. 7.2.2.6 输出电压
        7. 7.2.2.7 输入短路保护
        8. 7.2.2.8 纹波抑制
      3. 7.2.3 应用曲线
    3. 7.3 系统示例
      1. 7.3.1 改进了纹波抑制功能的稳压器电路
      2. 7.3.2 0V 至 30V 稳压器电路
      3. 7.3.3 精密限流电路
      4. 7.3.4 跟踪前置稳压器电路
      5. 7.3.5 缓慢导通 15V 稳压器电路
      6. 7.3.6 50mA 恒流电池充电器电路
      7. 7.3.7 限流 6V 充电器
      8. 7.3.8 大电流可调节稳压器
    4. 7.4 电源相关建议
    5. 7.5 布局
      1. 7.5.1 布局指南
      2. 7.5.2 布局示例
    6. 7.6 估算结温
  9. 8 器件和文档支持
    1. 8.1 器件支持
      1. 8.1.1 器件命名规则
    2. 8.2 接收文档更新通知
    3. 8.3 支持资源
    4. 8.4 商标
    5. 8.5 静电放电警告
    6. 8.6 术语表
  10. 9 修订历史记录
  11. 10机械、封装和可订购信息

5.6 电气特性

在建议的工作虚拟结温范围内。除非另有说明，否则这些规格适用于以下测试条件：VI – VO = 5V 且 IO = 40mA。所有特性都是在输入端使用 0.1μF 电容器并在输出端使用 1μF 电容器时测量的。
参数 测试条件 最小值 典型值 最大值 单位
线路调整 VI – VO = 5V 至 35V TJ = 25°C 旧芯片（CSO:SHE 和 CSO:TID） 0.01 0.02 %/V
IO = 2.5mA 至 100mA 0.02 0.05
TJ = 25°C 新芯片 (CSO:RFB) 0.007 0.021
IO = 2.5mA 至 100mA 0.006 0.0275
纹波抑制 VO = 10V，f = 120Hz 55 dB
VO = 10V，在调节端与接地端之间使用 10μF 电容器，f = 120Hz 旧芯片（CSO:SHE 和 CSO:TID） 66 80
新芯片 (CSO:RFB) 64 71.5
输出电压调节 VI – VO = 5V 至 35V，TJ = 25°C，IO = 2.5mA 至 100mA VO ≤ 5 V 旧芯片（CSO:SHE 和 CSO:TID） 25 mV
VO ≥ 5 V 5 mV/V
VI - VO= 5V 至 35V，IO = 2.5mA 至 100mA VO ≤ 5 V 50 mV
VO ≥ 5 V 10 mV/V
VI – VO = 5V 至 35V，TJ = 25°C，IO = 2.5mA 至 100mA VO ≤ 5 V 新芯片 (CSO:RFB) 25 mV
VO ≥ 5 V 5 mV/V
VI - VO = 5V 至 35V，IO = 2.5mA 至 100mA VO ≤ 5 V 25 mV
VO ≥ 5 V 5 mV/V
输出电压随温度的变化 TJ = 0°C 至 125°C 旧芯片（CSO:SHE 和 CSO:TID） 10 mV/V
TJ = -40°C 至 125°C 新芯片 (CSO:RFB) 10
输出电压长期漂移 1000 小时后，TJ = 125°C 且 VI – VO = 35V 3 10 mV/V
输出噪声电压 f = 10Hz 至 10kHz，TJ = 25°C 10 µV/V
维持稳压所需的最小输出电流 VI – VO = 35V 旧芯片 (CSO:SHE) 1.5 2.5 mA
旧芯片 (CSO:TID) 3.5 5
新芯片 (CSO:RFB) 1.28 1.72
峰值输出电流 VI–VO ≤ 35V 旧芯片 (CSO:SHE) 100 200 mA
3V ≤ VI – VO ≤ 13V 旧芯片 (CSO:TID) 100 200
VI – VO = 35V 25 50 150
VI–VO ≤ 35V 新芯片 (CSO:RFB) 160 290
调节电流 旧芯片（CSO:SHE 和 CSO:TID） 50 100 µA
新芯片 (CSO:RFB) 44 57
调节电流变化 VI – VO = 2.5V 至 35V，IO = 2.5mA 至 100mA 旧芯片（CSO:SHE 和 CSO:TID） 0.2 5 µA
VI – VO = 2.8V 至 35V，IO = 2.5mA 至 100mA 新芯片 (CSO:RFB) 0.8 2.5 µA
基准电压（输出端至调节端） VI – VO = 5.0V 至 35V，IO = 2.5mA 至 100mA，P ≤ r额定耗散 旧芯片（CSO:SHE 和 CSO:TID） 1.2 1.25 1.3 V
新芯片 (CSO:RFB) 1.22 1.256 1.292