ZHCSXM1A December   2024  – February 2025 ISO6520-Q1 , ISO6521-Q1

PRODUCTION DATA  

  1.   1
  2. 1 特性
  3. 2 应用
  4. 3 说明
  5. 4 引脚配置和功能
  6. 5 规格
    1. 5.1  绝对最大额定值
    2. 5.2  ESD 等级
    3. 5.3  建议运行条件
    4. 5.4  热性能信息
    5. 5.5  封装特性
    6. 5.6  电气特性 - 5V 电源
    7. 5.7  电源电流特性 - 5V 电源
    8. 5.8  电气特性 - 3.3V 电源
    9. 5.9  电源电流特性 - 3.3V 电源
    10. 5.10 电气特性 - 2.5V 电源 
    11. 5.11 电源电流特性 - 2.5V 电源
    12. 5.12 电气特征 - 1.8V 电源
    13. 5.13 电源电流特征 - 1.8V 电源
    14. 5.14 开关特性 - 5V 电源
    15. 5.15 开关特性 - 3.3V 电源
    16. 5.16 开关特性 - 2.5V 电源
    17. 5.17 开关特征 - 1.8V 电源
    18. 5.18 典型特性
  7. 6 参数测量信息
  8. 7 详细说明
    1. 7.1 概述
    2. 7.2 功能方框图
    3. 7.3 特性说明
    4. 7.4 器件功能模式
      1. 7.4.1 器件 I/O 原理图
  9. 8 应用和实施
    1. 8.1 应用信息
    2. 8.2 典型应用
      1. 8.2.1 设计要求
    3. 8.3 电源相关建议
    4. 8.4 布局
      1. 8.4.1 布局指南
        1. 8.4.1.1 PCB 材料
      2. 8.4.2 布局示例
  10. 9 器件和文档支持
    1. 9.1 文档支持
      1. 9.1.1 相关文档
    2. 9.2 接收文档更新通知
    3. 9.3 支持资源
    4. 9.4 商标
    5. 9.5 静电放电警告
    6. 9.6 术语表
  11. 10修订历史记录
  12. 11机械、封装和可订购信息
    1. 11.1 封装选项附录
    2. 11.2 卷带包装信息

3 说明

ISO652x-Q1 器件是高性能双通道功能隔离器，适用于需要与非安全应用隔离的成本敏感、空间受限型应用。该隔离栅支持 450VRMS 的工作电压，以及 1000VDC 的瞬态过压。

在隔离互补金属氧化物半导体 (CMOS) 或者低电压互补金属氧化物半导体 (LVCMOS) 数字 I/O 的同时，ISO652x-Q1 器件还可提供高电磁抗扰度和低辐射，同时具备低功耗特性。每条隔离通道的逻辑输入和输出缓冲器均由 TI 的双电容二氧化硅 (SiO2) 绝缘栅相隔离。ISO6520-Q1 具有 2 个同向隔离通道。ISO6521-Q1 具有 2 个隔离通道，每个方向各一个通道。如果输入功率或信号出现损失，不带后缀 F 的器件默认输出高电平，带后缀 F 的器件默认输出低电平。更多详细信息，请参见器件功能模式部分。

这些器件有助于防止数据总线上的混合电压域系统（例如 CAN 和 LIN）之间的接地环路和噪声电流导致数据损坏。得益于芯片设计和布局布线技术，ISO652x-Q1 器件的电磁兼容性得到了显著增强，可缓解系统级 ESD 问题并符合辐射标准。

封装信息
器件型号封装 (1)封装尺寸(2)
ISO6520-Q1、ISO6520F-Q1D

SOIC (8)

4.9mm × 6.0mm
ISO6521-Q1、ISO6521F-Q1
(1) 如需了解所有可用封装，请参阅数据表末尾的可订购产品附录。
(2) 封装尺寸（长 × 宽）为标称值，并包括引脚（如适用）。