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  • LM656x5-Q1 高性能电源转换器、3V 至 65V、引脚兼容、2.5A/3.5A/4.5A、汽车级、低 EMI 同步降压转换器

    • ZHCSX17 September   2024 LM65645-Q1

      ADVANCE INFORMATION  

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  • LM656x5-Q1 高性能电源转换器、3V 至 65V、引脚兼容、2.5A/3.5A/4.5A、汽车级、低 EMI 同步降压转换器
  1.   1
  2. 1 特性
  3. 2 应用
  4. 3 说明
  5. 4 器件比较表
  6. 5 引脚配置和功能
  7. 6 规格
    1. 6.1 绝对最大额定值
    2. 6.2 ESD 等级
    3. 6.3 建议运行条件
    4. 6.4 热性能信息
    5. 6.5 电气特性
    6. 6.6 系统特性
  8. 7 详细说明
    1. 7.1 概述
    2. 7.2 功能方框图
    3. 7.3 特性描述
      1. 7.3.1 输出电压选择
      2. 7.3.2 EN 引脚和 VIN UVLO 用途
      3. 7.3.3 模式选择
        1. 7.3.3.1 MODE/SYNC 引脚用于同步
        2. 7.3.3.2 时钟锁定
      4. 7.3.4 可调开关频率
      5. 7.3.5 双随机展频 (DRSS)
      6. 7.3.6 内部 LDO、VCC UVLO 和 BIAS 输入
      7. 7.3.7 自举电压（BST 引脚）
      8. 7.3.8 软启动和从压降中恢复
      9. 7.3.9 安全功能
        1. 7.3.9.1 电源正常监视器
        2. 7.3.9.2 过流和短路保护
        3. 7.3.9.3 断续
        4. 7.3.9.4 热关断
    4. 7.4 器件功能模式
      1. 7.4.1 关断模式
      2. 7.4.2 工作模式
        1. 7.4.2.1 峰值电流模式运行
        2. 7.4.2.2 自动模式运行
          1. 7.4.2.2.1 二极管仿真
        3. 7.4.2.3 FPWM 模式运行
  9. 8 应用和实施
    1. 8.1 应用信息
    2. 8.2 典型应用
      1. 8.2.1 设计要求
      2. 8.2.2 详细设计过程
        1. 8.2.2.1 使用 WEBENCH® 工具创建定制设计方案
        2. 8.2.2.2 选择开关频率
        3. 8.2.2.3 可调节或固定输出电压模式的 FB
        4. 8.2.2.4 电感器选型
        5. 8.2.2.5 输出电容器选型
        6. 8.2.2.6 输入电容器选型
        7. 8.2.2.7 CBOOT
        8. 8.2.2.8 外部 UVLO
        9. 8.2.2.9 最高环境温度
    3. 8.3 最佳设计实践
    4. 8.4 电源相关建议
    5. 8.5 布局
      1. 8.5.1 布局指南
        1. 8.5.1.1 接地及散热注意事项
      2. 8.5.2 布局示例
  10. 9 器件和文档支持
    1. 9.1 器件支持
      1. 9.1.1 第三方产品免责声明
      2. 9.1.2 开发支持
        1. 9.1.2.1 使用 WEBENCH® 工具创建定制设计方案
    2. 9.2 文档支持
      1. 9.2.1 相关文档
    3. 9.3 接收文档更新通知
    4. 9.4 支持资源
    5. 9.5 商标
    6. 9.6 静电放电警告
    7. 9.7 术语表
  11. 10修订历史记录
  12. 11机械、封装和可订购信息
    1. 11.1 卷带包装信息
  13. 重要声明
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Data Sheet

LM656x5-Q1 高性能电源转换器、3V 至 65V、引脚兼容、
2.5A/3.5A/4.5A、汽车级、低 EMI 同步降压转换器

本资源的原文使用英文撰写。 为方便起见，TI 提供了译文；由于翻译过程中可能使用了自动化工具，TI 不保证译文的准确性。 为确认准确性，请务必访问 ti.com 参考最新的英文版本（控制文档）。

下载最新的英语版本

1 特性

  • 符合面向汽车应用的 AEC-Q100 标准：
    • 温度等级 1：–40°C 至 +125°C，TA
  • 宽输入电压范围：3V 至 65V
  • 专为满足低 EMI 要求而设计
    • 有助于符合 CISPR 25 5 级标准
    • 通过模式引脚可配置 ±5% 或 ±10% 双随机展频，可降低峰值发射
    • 具有对称引脚排列的增强型 HotRod™ QFN 封装
    • 开关频率范围为 300kHz 至 2.2MHz
    • 可通过引脚配置 400kHz 和 2.2MHz
    • 引脚可配置自动或 FPWM 运行
  • 最小导通时间较短：40ns（最大值）
    • 在 2.2MHz 下实现 36V 至 3.3V 的转换
  • 可在所有负载下进行高效电源转换
    • 24VIN、5VOUT、400kHz 时峰值效率 > 94%
    • 2.5µA PFM 空载输入电流
  • 高功率密度
    • 内部补偿、电流限值和 TSD
    • 3.6mm× 2.6mm 可湿性侧面 20 引脚封装
    • ϴJA = 25.5°C/W (LM65645-Q1EVM)
  • 使用 LM656x5-Q1 并借助 WEBENCH® Power Designer 创建定制设计方案

2 应用

  • 高级驾驶辅助系统 (ADAS)
  • 汽车信息娱乐系统与仪表组
  • 混合动力、电动和动力总成系统

3 说明

LM656x5-Q1 是汽车级降压转换器系列，经过设计，可实现高效率、高功率密度和超低电磁干扰 (EMI)。该系列转换器在 3V 至 65V（可耐受 70V）的宽输入电压范围内工作，减少了对外部输入浪涌保护的需求。LM656x5-Q1 提供可通过引脚选择的 3.3V 和 5V 固定输出电压，或者也可以采用可调节配置。得益于超小的环路电感和优化的开关节点压摆率，可实现低 EMI 运行。可通过引脚选择的 ±5% 或 ±10% 双随机展频 (DRSS) 可通过三角调制与假随机调制的组合显著降低峰值发射，同时保持超低的输出电压纹波。电流模式控制架构，搭配 30ns 典型最短导通时间，可在高频下实现高转换比，同时提供快速瞬态响应以及出色的负载和线路调整。

器件信息
器件型号(3) 封装 (1) 封装尺寸(2)
LM65625-Q1(4)、LM65635-Q1(4)、LM65645-Q1 RZT（WQFN-FCRLF，20） 2.60mm × 3.60mm
(1) 有关更多信息，请参阅节 11。
(2) 封装尺寸（长 × 宽）为标称值，并包括引脚（如适用）。
(3) 请参阅器件比较表。
(4) 预发布信息（非预告信息）。
LM65645-Q1 简化原理图简化原理图

4 器件比较表

可订购器件型号 电流 是否提供样片
LM65645SRZTRQ1 4.5A 是
LM65635SRZTRQ1(2) 3.5A(1) 否
LM65625SRZTRQ1(2) 2.5A 否
(1) 有关样片申请的更多信息，请联系德州仪器 (TI)。
(2) 预发布信息（非预告信息）。

5 引脚配置和功能

图 5-1 20 引脚 RZT、WQFN-FCRLF 封装（顶视图）
表 5-1 引脚功能
引脚 类型(1) 说明
名称 编号
NC 1 — 无连接引脚。保持悬空。
PG 2 O 电源正常标志输出。开漏输出，如果 VOUT 超出指定的调节窗口，该输出会变为低电平。
FB 3 A 反馈配置引脚。连接到 GND 以配置 3.3V 固定输出电压。连接到 VCC 以配置 5V 固定输出电压。将此引脚连接到反馈分压器以提供可调输出选项。调节阈值为 0.8V。
VCC 4 P 内部 LDO 输出。用作内部控制电路的电源。不要将此引脚连接至任何外部负载。可用于逻辑上拉至控制或标志引脚。在该引脚和 GND 之间连接一个 1µF 优质电容器。
MODE/SYNC 5 I/O 模式和同步输入引脚。连接到 GND，或将引脚驱动为低电平以在自动模式下运行。连接到 VCC，或将引脚驱动为高电平，或发送同步时钟信号以在 FPWM 模式下运行。当与外部时钟同步时，使用 RT 引脚将内部频率设置为接近同步频率。
RT 6 I/O 开关频率编程引脚。将该引脚连接到 VCC 以实现 400KHz 运行，或连接到 GND 以实现 2.2MHz 运行。通过一个电阻器将该引脚接地，以将开关频率设置在 300kHz 和 2200kHz 之间。不能悬空。
EN/UVLO 7 P 精密使能引脚。高电平 = 开启，低电平 = 关闭。该引脚可直接连接至 VIN。该输入端的精密阈值可用作可调节 UVLO。不能悬空。
NC 8 — 无连接引脚。保持悬空。
PGND1 9 G 低侧 MOSFET 的电源地。连接到系统地。在该引脚和 VIN1 之间连接一个或多个优质旁路电容器。
NC 10 — 无连接引脚。保持悬空。
VIN1 11 P 到稳压器的输入电源。将优质旁路电容器从该引脚连接到 PGND1。提供到 VIN2 的低阻抗连接。
NC 12 — 无连接引脚。保持悬空。
SW1、SW2 13、14 P 器件开关引脚。连接到输出电感器。
BOOT 15 P 高侧驱动器上部电源轨。在 SW 节点和 BOOT 之间连接一个 100nF 优质电容器。当 SW 节点为低电平时，内部二极管为电容器充电。
NC 16 — 无连接引脚。保持悬空。
VIN2 17 P 到稳压器的输入电源。将优质旁路电容器从该引脚连接到 PGND2。提供到 VIN1 的低阻抗连接。
NC 18 — 无连接引脚。保持悬空。
PGND2 19 G 内部低侧 MOSFET 的电源地。连接到系统地。在该引脚和 VIN2 之间连接优质旁路电容器。
BIAS 20 P 内部稳压器的输入端。如果配置为固定 VOUT，则将该引脚连接到 VOUT 节点以闭合控制环路。如果配置为可调 VOUT，则将该引脚连接到 VOUT 节点或 3.3V 至 30V 的外部辅助电源。如果输出电压高于 30V 且未使用外部电源，则将该引脚连接到 GND。
DAP — G 裸露的地焊盘。连接到 PCB 上的系统 GND。该引脚是芯片的主要散热路径。必须通过焊接到 PCB 上的 GND 覆铜将焊盘用于散热。采用示例电路板布局布线中所建议的尽可能多的散热过孔可确保实现更低的封装热阻和更高的热性能。
(1) I = 输入，O = 输出，A = 模拟，P = 电源，G = 接地

6 规格

6.1 绝对最大额定值

在工作结温范围内测得（除非另有说明）(1)
最小值 最大值 单位
输入电压 VIN 至 PGND -0.3 70 V
输入电压 EN/UVLO 至 PGND -0.3 70 V
输入电压 RT 至 PGND -0.3 70 V
输入电压 BIAS 至 PGND -0.3 40 V
输入电压 MODE/CLKIN 至 PGND -0.3 5.5 V
输入电压 FB 至 PGND -0.3 5.5 V
输出电压 SW 到 PGND -0.6 VIN + 0.3 V
输出电压 PGOOD 至 PGND -0.3 40 V
输出电压 BST 至 SW -0.3 5.5 V
输出电压 VCC 至 PGND -0.3 5.5 V
TJ 工作结温 -40 150 °C
Tstg 贮存温度 -65 150 °C
(1) 超出“绝对最大额定值”运行可能会对器件造成永久损坏。绝对最大额定值并不表示器件在这些条件下或在建议运行条件以外的任何其他条件下能够正常运行。如果超出“建议运行条件”但在“绝对最大额定值”范围内使用，器件可能不会完全正常运行，这可能影响器件的可靠性、功能和性能并缩短器件寿命。

6.2 ESD 等级

值 单位
V(ESD) 静电放电 人体放电模型 (HBM)，符合 AEC Q100-002 标准(1)
 		 ±2000 V
充电器件模型 (CDM)，符合 AEC Q100-011 标准
 		 ±750
(1) AEC Q100-002 指示必须按照 ANSI/ESDA/JEDEC JS-001 规范执行 HBM 应力测试。

6.3 建议运行条件

在工作结温范围内测得（除非另有说明）
最小值 最大值 单位
输入电压 VIN 3 65 V
输入电压 EN 0 65 V
输入电压 BIAS，PGOOD 0 30 V
输入电压 FB 0 5.5 V
输入电压 MODE/SYNC，RT 0 5.5 V
上拉电阻  RPU(PGOOD) 4 kΩ
上拉基准电压 VPU(PGOOD) 0.8 30 V
输出电压 VOUT 0.8 V
输出电流 LM65645/LM65645-Q1  0 4.5 A
输出电流 LM65635/LM65635-Q1  0 3.5 A
输出电流 LM65625/LM65645-Q1  0 2.5 A
TJ 工作结温 -40 150 °C

6.4 热性能信息

热性能指标(1) 器件 单位
RZT (WQFN-FCRLF)
20 引脚
RθJA 结至环境热阻(3) 25.5 °C/W
RθJA 结至环境热阻 (JESD 51-7)(2) 43.4 °C/W
RθJC(top) 结至外壳（顶部）热阻 14.9 °C/W
RθJB 结至电路板热阻 12.0 °C/W
ΨJT 结至顶部特征参数 1.0 °C/W
ΨJB 结至电路板特征参数 11.9 °C/W
RθJC(bot) 结至外壳（底部）热阻 6.0 °C/W
(1) 有关新旧热指标的更多信息，请参阅半导体和 IC 封装热指标应用手册。
(2) 此表中给出的 RΘJA 值仅用于与其他封装的比较，不能用于设计目的。这些值是根据 JESD 51-7 计算的，并在 4 层 JEDEC 板上进行了仿真。热参数并不代表在实际应用中获得的性能。  例如，EVM RΘJA = 25.5°C/W。  有关设计信息，请参阅“最高环境温度”一节。
(3) 有关电路板布局布线和其他信息，请参阅 LM65645EVM 用户指南。  有关热设计信息，请参阅“最高环境温度”一节。

6.5 电气特性

限值适用于推荐的 -40°C 至 +150°C 工作结温范围 (TJ)（除非另外说明）。最小和最大限制经过测试、设计和统计相关性分析确定。典型值表示 TJ = 25°C 条件下最有可能达到的参数标准，仅供参考。除非另有说明，以下条件适用：VIN = 13.5V，VEN = VIN，VOUT = 3.3V，fSW = 2.2MHz
参数 测试条件 最小值 典型值 最大值 单位
电源（VIN 引脚）
VINUVLO_R VIN UVLO 上升阈值 VIN 上升（启动所需），IVCC = 0A  3.25 3.5 3.65 V
VINUVLO_F VIN UVLO 下降阈值 VIN 下降（运行一次），IVCC = 0A  2.5 2.57 V
VINUVLO_H VIN UVLO 迟滞 0.9 V
IQ-SD VIN 关断电源电流 VEN = 0V，TJ = 25℃  0.81 µA
IVIN VIN 引脚输入电流，无开关  VBIAS = 3.3V + 2% 0.45 µA
IBIAS(FIX-3.3V) BIAS 引脚输入电流，固定 3.3V 输出，无开关 VBIAS = 3.3V + 2%，启用自动模式 8.0 µA
IQ(FIX-3.3V) 总 VIN 静态电流，固定 3.3V 输出，无开关 VIN = 24V，VBIAS = 3.3V + 2%，TJ = 25℃，启用自动模式 1.5 2 µA
TJ = 125℃  3.4 µA
IBIAS(ADJ-3.3V) BIAS 引脚输入电流，可调 3.3V 输出，无开关 VFB = 0.8V+2%，自动模式 6.5 µA
IQ(ADJ-3.3V) 总 VIN 静态电流，可调 3.3V 输出，无开关 VIN = 24.0V，VFB = 0.8V + 2%，自动模式 1.35 µA
使能（EN 引脚）
VEN_TH_R 使能电压上升阈值 VEN 上升 1.15 1.25 1.35 V
VEN_TH_F 使能输入低阈值 VEN 下降 0.9 1 1.1 V
VEN_HYS 启用电压迟滞 250 mV
IEN_LKG 使能输入漏电流 VEN = VIN 0.2 3.6 µA
内部 LDO（VCC 引脚）
VVCC 内部 LDO 输出电压 3.4V ≤ VIN ≤ ，VBIA S = 0V 3.35 V
3.4V ≤ VBIAS ≤ 30V 3.35 V
VVCC-UVLO_R VCC UVLO 上升阈值 VCC 上升欠压阈值，IVCC = 0A  3.23 3.5 3.65 V
V VCC-UVLO_H VCC UVLO 迟滞 迟滞低于 VVCC-UVLO_R 0.9 V
电压基准（FB 引脚）
VFB 内部反馈基准电压 FPWM 模式 0.792 0.8 0.808 V
IFB-LKG 反馈引脚输入漏电流 VFB = 0.8V，可调节版本 0.025 nA
RFB-SEL-5V FB 引脚至 VCC 固定 5.0V 设置下的电阻 200 Ω
RFB-SEL-3V FB 引脚至 GND 固定 3.3V 设置下的电阻 200 Ω
RFB-SEL-ADJ FB 引脚上用于选择可调输出电压设置的外部 FB 分压器的戴维南等效电阻 4 100 kΩ
固定输出电压（BIAS 引脚）
VOUT(3.3V) 3.3V 固定输出电压 FB 短路至 GND 3.267 3.3 3.333 V
VOUT(5V) 5.0V 固定输出电压 FB 短路至 VCC 4.95 5 5.05 V
启动（SS 引脚）
tEN_HIGH 使能高电平到开关延迟开始 VFB = VRT = VMODE = GND，VBIAS = VOUT 2 ms
tSS 内部固定软启动时间 从设定点的第一个 SW 脉冲到 90% VREF 的时间 2.9 4.8 8.1 ms
电流限值和断续
IHS-LIM 高侧峰值电流限值，4.5A 修整选项 占空比接近 0%。 5.7 6.6 7.25 A
ILS-LIM 低侧谷值电流限值，4.5A 修整选项 LS FET 上的谷值电流限制 4.4 5.2 5.65 A
IL-PEAK-MIN 最小占空比下的最小峰值电感器电流，4.5A 修整选项 VVCC = 3.3V，tpulse ≤ 100ns，自动模式 1.21 1.57 1.92 A
IL-PEAK-MAX 最大占空比下的最小峰值电感器电流，4.5A 修整选项 VVCC = 3.3V，tpulse ≥1µs，自动模式 0.66 A
IHS-LIM 高侧峰值电流限值，3.5A 修整选项 占空比接近 0%。 4.8 5.45 5.9 A
ILS-LIM 低侧谷值电流限值，3.5A 修整选项 LS FET 上的谷值电流限制 3.8 4.4 4.8 A
IL-PEAK-MIN 最小占空比下的最小峰值电感器电流，3.5A 修整选项 VCC = 3.3V，tpulse ≤ 100ns，自动模式 0.99 1.29 1.58 A
IL-PEAK-MAX 最大占空比下的最小峰值电感器电流，3.5A 修整选项 VCC = 3.3V，tpulse ≥ 1µs，自动模式 0.52 A
IHS-LIM 高侧峰值电流限值，2.5A 修整选项 占空比接近 0%。 3.6 4.1 4.5 A
ILS-LIM 低侧谷值电流限值，2.5A 修整选项 LS FET 上的谷值电流限制 2.9 3.3 3.6 A
IL-PEAK-MIN 最小占空比下的最小峰值电感器电流，2.5A 修整选项 VCC = 3.3V，tpulse ≤ 100ns，自动模式 0.8 1.1 1.2 A
IL-PEAK-MAX 最大占空比下的最小峰值电感器电流，2.5A 修整选项 VCC = 3.3V，tpulse ≥ 1µs，自动模式 0.43 A
ILS-NEG-LIM 低侧负电流限值 LS FET 上的灌电流限值，FPWM 模式 -6 -4.3 -2.8 A
IL-ZC-LIM 过零电流限值 VCC = 3.3V，自动模式 45 mA
VHIC FB 引脚上的过流断续阈值 LS FET 导通时间 > 165ns，不是在软启动期间 0.32 V
tHIC_DLY 断续模式激活延迟 128 256 周期
tHIC 断续模式持续时间 40 ms
电源正常（PG 引脚）
VPG-OVP-R PG 过压上升阈值 FB 电压（可调）或偏置电压（固定）百分比 103 105 107 %
VPG-OVP-F PG 过压下降阈值 FB 电压（可调）或偏置电压（固定）百分比 102 104 106 %
VPG-UVP-R PG 欠压上升阈值 FB 电压（可调）或偏置电压（固定）百分比 94 96 98 %
VPG-UVP-F PG 欠压下降阈值 FB 电压（可调）或偏置电压（固定）百分比 93 95 97 %
tPG-DEGLITCH-F PG 下降沿的抗尖峰脉冲滤波器延迟 55 114 175 µs
tPG-DEGLITCH-R PG 上升沿的抗尖峰脉冲滤波器延迟 1.4 2 4.5 ms
VIN-PG-VALID 有效 PG 输出所需的最小 VIN VOL(PG) < 0.4V，RPU = 50kΩ，VPU = 5V 1.25 V
VOL-PG 输出低电压 IOL = 1mA，VIN = 1.2V 0.4 V
RON-PG PGOOD 导通电阻 IPG = 1mA 40 125 Ω
开关频率（RT 引脚）
fSW1(FPWM) 开关频率，FPWM 运行 RRT = GND 1.98 2.2 2.42 MHz
fSW2(FPWM) 开关频率，FPWM 运行 RRT = 15.8kΩ，1% 900 1000 1100 kHz
fSW3(FPWM) 开关频率，FPWM 运行 RRT = VCC 360 400 440 kHz
同步（MODE/SYNC 引脚）
VIH(MODE/CLKIN) MODE/CLKIN 输入高电平阈值 1.3 V
VIL(MODE/CLKIN) MODE/CLKIN 输入低电平阈值 0.45 V
fCLKIN-RANGE(FPWM) 针对设定 2.2MHz fSW 的同步频率范围 RRT = 6.81kΩ，1% 1.76 2.64 MHz
tCLKIN(TON) 外部同步信号的最小正脉冲宽度 80 ns
tCLKIN(TOFF) 外部同步信号的最小负脉冲宽度 80 ns
tCLKIN-SW-DLY CLKIN 到 SW 延迟时间 -15 15 ns
双随机展频
ΔfSS1-LF 低频三角展频调制范围 - 标准 模式引脚接地短路 8.5 %
ΔfSS2-LF 低频三角展频调制范围 - 扩展 RMODE = 149.9kΩ，1% 17 %
fm1-LF 三角调制频率 - 标准 模式引脚接地短路 7.2 12 16.8 kHz
fm2-LF 三角调制频率 - 扩展 RMODE = 149.9kΩ，1% 3.6 6 8.4 kHz
ΔfSS-HF 高频假随机展频调制范围 RMODE = 149.9kΩ，1% 2.0 %
功率级
RDS-ON-HS 高侧 FET 导通电阻 ISW = 500mA，VBOOT-SW = 3.3V 99 mΩ
RDS-ON-LS 低侧 FET 导通电阻 50 mΩ
tON-MIN(FPWM) 最短导通时间 FPWM：IOUT = 0A，VIN = 36V，RT = GND 30 40 ns
tON-MIN(AUTO)
最短导通时间
 		 自动：IOUT = 2A，VIN = 36V，RT = GND 28 40 ns
tOFF-MIN 最短关断时间 VIN = 4V 80 110 ns
tON-MAX 最大导通时间 fSW = 400kHz，RRT = 40.2kΩ 13.3 µs
热关断
TSD 热关断(1) 关断阈值 155 165 177 ºC
恢复阈值 156 ºC
(1) 根据设计确定。

6.6 系统特性

以下规格仅适用于具有标称元件值的典型应用电路。典型值列中的规格仅适用于 TJ = 25°C 的情况。最小值 (MIN) 和最大值 (MAX) 列中的规格适用于典型元件在 TJ = -40°C 至 150°C 温度范围内的情况。量产测试未指定这些规格。
参数 测试条件 最小值 典型值 最大值 单位
电源
VIN_MIN1 在启动后实现完整功能的 VIN VVOUT 设置为 3.3V 3 V
IQ_VIN VIN 引脚上的工作输入静态电流（对于固定 VOUT 选项） VIN = 24.0V，IOUT = 0A，VOUT = 3.3V（固定），VFB = 0V，VBIAS = VVOUT，PFM 模式 1.8 µA
VIN 引脚上的工作输入静态电流（对于固定 VOUT 选项） VIN = 24.0V，IOUT = 0A，VOUT = 5.0V（固定），VFB = VVCC，VBIAS = VVOUT，PFM 模式 1.8 µA
IQ_VIN VIN 引脚上的工作输入静态电流（对于固定 VOUT 选项） VIN = 13.5V，IOUT = 0A，VOUT = 3.3V（固定），VFB = 0V，VBIAS = VOUT，PFM 模式 3.0 µA
VIN 引脚上的工作输入静态电流（对于固定 VOUT 选项） VIN = 13.5V，IOUT = 0A，VOUT = 5.0V（固定），VFB = VVCC，VBIAS = VVOUT，PFM 模式 3.0 µA
输出电压
VVOUT_5V_ACC 5V VOUT 的负载和线路调整（固定和可调节） VIN = 4V 至 42V，IOUT = 0A 至满载，FPWM 模式 -1.5 1.5 %
VIN = 4V 至 42，IOUT = 0A 至满载，PFM 模式 -1.5 2.5 %
VVOUT_3P3V_ACC 3.3V VOUT 的负载和线路调整（固定和可调节） VIN = 4V 至 42V，IOUT = 0A 至满载，FPWM 模式 -1.5 1.5 %
VIN = 4V 至 42，IOUT = 0A 至满载，PFM 模式 -1.5 2.5 %
DMAX 最大开关占空比 FSW = 400kHz，在频率折返期间 99 %
效率
其他
VDROP 输入到输出电压差分，以保持 fSW ≥ 1.85MHz，无电感器 DCR 压降 待定

 
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