ZHCSWD9A September   2019  – October 2025 SN74LVC2GU04-Q1

PRODUCTION DATA  

  1.   1
  2. 1 特性
  3. 2 应用
  4. 3 说明
  5. 4 引脚配置和功能
  6. 5 规格
    1. 5.1 绝对最大额定值
    2. 5.2 ESD 等级
    3. 5.3 建议运行条件
    4. 5.4 热性能信息
    5. 5.5 电气特性
    6. 5.6 开关特性：–40°C 至 85°C
    7. 5.7 开关特性：–40°C 至 125°C
    8. 5.8 工作特性
    9. 5.9 典型特性
  7. 6 参数测量信息
  8. 7 详细说明
    1. 7.1 概述
    2. 7.2 功能方框图
    3. 7.3 特性说明
      1. 7.3.1 平衡型高驱动 CMOS 推挽式输出
      2. 7.3.2 标准 CMOS 输入
      3. 7.3.3 负钳位二极管
      4. 7.3.4 过压耐受输入
      5. 7.3.5 非缓冲逻辑
    4. 7.4 器件功能模式
  9. 8 应用和实施
    1. 8.1 应用信息
    2. 8.2 典型应用
      1. 8.2.1 设计要求
      2. 8.2.2 详细设计过程
      3. 8.2.3 应用曲线
    3. 8.3 电源相关建议
    4. 8.4 布局
      1. 8.4.1 布局指南
      2. 8.4.2 布局示例
  10. 9 器件和文档支持
    1. 9.1 接收文档更新通知
    2. 9.2 支持资源
    3. 9.3 商标
    4. 9.4 静电放电警告
    5. 9.5 术语表
  11. 10修订历史记录
  12. 11机械、封装和可订购信息
    1. 11.1 卷带包装信息
    2. 11.2 机械数据

7.3.5 非缓冲逻辑

标准 CMOS 逻辑功能通常至少包含三个级：输入反相器、逻辑功能和输出反相器。出于各种原因，一些器件在输入或输出端具有多个级。非缓冲 CMOS 逻辑功能可消除额外的输入和输出级；该器件仅包含所需的逻辑功能，且该功能由输入直接驱动并直接驱动输出。

非缓冲反相器通常用于振荡器电路，因为其总增益低于等效缓冲反相器，因此对振荡器电路参数变化不敏感。欲了解在振荡器电路中使用非缓冲反相器的更多信息，请参阅 在振荡器电路中使用 CMOS 非缓冲反相器。