SN74AUP2G08 低功耗双路双输入正与门
- ZHCSW81E January 2008 – April 2024 SN74AUP2G08
  
  PRODUCTION DATA

Full reading width

Data Sheet

SN74AUP2G08 低功耗双路双输入正与门

本资源的原文使用英文撰写。为方便起见，TI 提供了译文；由于翻译过程中可能使用了自动化工具，TI 不保证译文的准确性。为确认准确性，请务必访问 ti.com 参考最新的英文版本（控制文档）。

下载最新的英语版本

1 特性

宽工作 V_CC 范围为 0.8V 至 3.6V
低静态功耗
（I_CC = 0.9μA，最大值）
低动态功耗
（C_pd = 4.3pF，3.3V 时的典型值）
低噪声 – 过冲和下冲
< V_CC 的 10%
I_off 支持局部关断模式运行
施密特触发器的运行可实现低输入转换以及输入上更好的开关噪声抗扰度
（V_hys = 250mV，这是 3.3V 时的典型值）
3.6V 耐压 I/O 支持混合模式的信号操作
3.3V 时，t_pd = 5.9ns（最大值）
闩锁性能超过 100mA，符合 JESD 78 II 类规范的要求

2 应用

3 说明

此双路双输入正与门可在 0.8V 至 3.6V V_CC 下运行并以正逻辑执行布尔函数 Y = A ● B。

该器件完全符合使用 I_off 的部分断电应用的规范要求。V_CC = 0V 时，I_off 电路可禁用输出，以防在器件断电时电流回流对器件造成损坏。

封装信息

器件型号	封装⁽¹⁾	封装尺寸⁽²⁾	本体尺寸（标称值）⁽³⁾
SN74AUP2G08	DCU（VSSOP，8）	3.1mm × 2mm	2.3mm × 2mm
	DQE（X2SON，8）	1mm × 1.4mm	1mm × 1.4mm
	RSE（UQFN，8）	1.5mm × 1.5mm	1.5mm × 1.5mm
	YFP（DSBGA，8）	0.76mm × 1.56mm	0.76mm × 1.56mm
	YZP（DSBGA，8）	0.89mm × 1.89mm	0.89mm × 1.89mm

(1) 如需更多信息，请参阅节 11。

(2) 封装尺寸（长 × 宽）为标称值，并包括引脚（如适用）。

(3) 本体尺寸（长 x 宽）为标称值，不包括引脚。

简化逻辑图（正逻辑）

4 引脚配置和功能

表 4-1 引脚功能

引脚		类型⁽¹⁾	说明
名称	编号	类型⁽¹⁾	说明
1A	1	I	通道 1 逻辑输入 A
1B	2	I	通道 1 逻辑输入 B
2Y	3	O	通道 2 输出
GND	4	G	接地
2A	5	I	通道 2 逻辑输入 A
2B	6	I	通道 2 逻辑输入 B
1Y	7	O	通道 1 输出
V_CC	8	P	电源

(1) 信号类型：I = 输入，O = 输出，G = 地，P = 电源

5 规格

5.1 绝对最大额定值

在自然通风条件下的工作温度范围内测得（除非另有说明）⁽¹⁾

			最小值	最大值	单位
V_CC	电源电压范围		-0.5	4.6	V
V_I	输入电压范围⁽²⁾		-0.5	4.6	V
V_O	在高阻抗或断电状态对任一输出施加的电压范围⁽²⁾		-0.5	4.6	V
V_O	高电平或低电平状态下的输出电压范围⁽²⁾		-0.5	V_CC + 0.5	V
I_IK	输入钳位电流	V_I < 0		-50	mA
I_OK	输出钳位电流	V_O < 0		-50	mA
I_O	持续输出电流			±20	mA
	通过 V_CC 或 GND 的持续电流			±50	mA
T_J	结温			150	°C
T_stg	贮存温度范围		-65	150	°C

(1) 超出绝对最大额定值 运行可能会对器件造成永久损坏。绝对最大额定值并不表示器件在这些条件下或在建议运行条件 以外的任何其他条件下能够正常运行。如果在建议运行条件 之外但在绝对最大额定值 范围内短暂运行，器件可能不会受到损坏，但可能无法完全正常工作。以这种方式运行器件可能会影响器件的可靠性、功能和性能，并缩短器件寿命。

(2) 如果遵守输入和输出电流额定值，有可能超过输入负电压和输出电压额定值。

5.2 ESD 等级

			值	单位
V _(ESD)	静电放电	人体放电模型 (HBM)，符合 ANSI/ESDA/JEDEC JS-001 标准⁽¹⁾	±2000	V
V _(ESD)	静电放电	充电器件模型 (CDM)，符合 ANSI/ESDA/JEDEC JS-002 标准⁽²⁾	±1000	V

(1) JEDEC 文档 JEP155 规定：500V HBM 可实现在标准 ESD 控制流程下安全生产。

(2) JEDEC 文档 JEP157 规定：250V CDM 可实现在标准 ESD 控制流程下安全生产。

5.3 建议运行条件

在自然通风条件下的工作温度范围内测得（除非另有说明）⁽¹⁾

			最小值	最大值	单位
V_CC	电源电压		0.8	3.6	V
V_IH	高电平输入电压	V_CC = 0.8V	V_CC		V
		V_CC = 1.1V 至 1.95V	0.65 × V_CC
		V_CC = 2.3V 至 2.7V	1.6
		V_CC = 3V 至 3.6V	2
V_IL	低电平输入电压	V_CC = 0.8V		0	V
		V_CC = 1.1V 至 1.95V		0.35 × V_CC
		V_CC = 2.3V 至 2.7V		0.7
		V_CC = 3V 至 3.6V		0.9
V_I	输入电压		0	3.6	V
V_O	输出电压		0	V_CC	V
I_OH	高电平输出电流	V_CC = 0.8V		-20	μA
		V_CC = 1.1V		-1.1	mA
		V_CC = 1.4V		-1.7
		V_CC = 1.65V		-1.9
		V_CC = 2.3V		-3.1
		V_CC = 3V		-4
I_OL	低电平输出电流	V_CC = 0.8V		20	μA
		V_CC = 1.1V		1.1	mA
		V_CC = 1.4V		1.7
		V_CC = 1.65V		1.9
		V_CC = 2.3V		3.1
		V_CC = 3V		4
Δt/Δv	输入转换上升或下降速率	V_CC = 0.8V 至 3.6V		200	ns/V
T_A	自然通风条件下的工作温度范围		-40	125	°C

(1) 器件所有的未使用输入必须保持在 V_CC 或 GND 以确保器件正常运行。请参阅 CMOS 输入缓慢变化或悬空的影响。

5.4 热阻特性

热指标⁽¹⁾		DCU (VSSOP)	DQE (X2SON)	RSE (UQFN)	YPF (DSBGA)	YZP (DSBGA)	单位
热指标⁽¹⁾		8 引脚	8 引脚	8 引脚	8 引脚	8 引脚	单位
R_θJA	结至环境热阻	227	261	253	98.8	102	°C/W

(1) 有关新旧热指标的更多信息，请参阅半导体和 IC 封装热指标 应用报告。

5.5 电气特性

在自然通风条件下的建议工作温度范围内测得（除非另有说明）

参数		测试条件	V_CC	T_A = 25°C			T_A = -40°C 至 85°C		T_A = -40°C 至 125°C		单位
参数		测试条件	V_CC	最小值	典型值	最大值	最小值	最大值	最小值	最大值	单位
V_OH		I_OH = –20μA	0.8V 至 3.6V	V_CC – 0.1			V_CC – 0.1		V_CC – 0.1		V
		I_OH = -1.1mA	1.1V	0.75 × V_CC			0.7 × V_CC		0.7 × V_CC
		I_OH = -1.7mA	1.4V	1.11			1.03		1.03
		I_OH = -1.9mA	1.65V	1.32			1.3		1.3
		I_OH = -2.3mA	2.3V	2.05			1.97		1.97
		I_OH = -3.1mA	2.3V	1.9			1.85		1.85
		I_OH = -2.7mA	3V	2.72			2.67		2.67
		I_OH = -4mA	3V	2.6			2.55		2.55
V_OL		I_OL = 20μA	0.8V 至 3.6V			0.1		0.1		0.1	V
		I_OL = 1.1mA	1.1V			0.3 × V_CC		0.3 × V_CC		0.3 × V_CC
		I_OL = 1.7mA	1.4V			0.31		0.37		0.37
		I_OL = 1.9mA	1.65V			0.31		0.35		0.35
		I_OL = 2.3mA	2.3V			0.31		0.33		0.33
		I_OL = 3.1mA	2.3V			0.44		0.45		0.45
		I_OL = 2.7mA	3V			0.31		0.33		0.33
		I_OL = 4mA	3V			0.44		0.45		0.45
I_I	A 或 B 输入	V_I = GND 至 3.6V	0V 至 3.6V			0.1		0.5		0.5	μA
I_off		V_I 或 V_O = 0V 至 3.6V	0V			0.2		0.6		0.8	μA
ΔI_off		V_I 或 V_O = 0V 至 3.6V	0V 至 0.2V			0.2		0.9		0.9	μA
I_CC		V_I = GND 或 I_O = 0 （V_CC 至 3.6V）	0.8V 至 3.6V			0.5		0.9		1.2	μA
ΔI_CC		V_I = V_CC – 0.6V⁽¹⁾，I_O = 0	3.3V			40		50		50	μA
C_i		V_I = V_CC 或 GND	0V		2						pF
C_i		V_I = V_CC 或 GND	3.6V		2						pF
C_o		V_O = GND	0V		3						pF

(1) 一个输入电压为 V_CC 至 0.6V，另一个输入电压为 V_CC 或 GND

5.6 开关特性 - C_L = 5pF

在建议的自然通风条件下的工作温度范围内测得（除非另有说明）（请参阅参数测量信息）

参数	从（输入）	至（输出）	V_CC	T_A = 25°C			T_A = -40°C 至 85°C		T_A = -40°C 至 125°C		单位
参数	从（输入）	至（输出）	V_CC	最小值	典型值	最大值	最小值	最大值	最小值	最大值	单位
t_pd	A 或 B	Y	0.8V		19.8						ns
			1.2V ± 0.1V	0.5	7.8	18.8	0.5	19.8	0.5	21.8
			1.5V ± 0.1V	0.5	5.4	11.8	0.5	13.9	0.5	15.3
			1.8V ± 0.15V	0.5	4.3	9	0.5	11.1	0.5	12.2
			2.5V ± 0.2V	0.5	3	5.7	0.5	7.8	0.5	8.6
			3.3V ± 0.3V	0.5	2.4	4.6	0.5	5.9	0.5	6.5

5.7 开关特性 - C_L = 10pF

在建议的自然通风条件下的工作温度范围内测得（除非另有说明）（请参阅参数测量信息）

参数	从（输入）	至（输出）	V_CC	T_A = 25°C			T_A = -40°C 至 85°C		T_A = -40°C 至 125°C		单位
参数	从（输入）	至（输出）	V_CC	最小值	典型值	最大值	最小值	最大值	最小值	最大值	单位
t_pd	A 或 B	Y	0.8V		23.1						ns
			1.2V ± 0.1V	0.5	8.9	21.1	0.5	22	0.5	24.2
			1.5V ± 0.1V	0.8	6.3	13.2	0.5	15.1	0.5	16.6
			1.8V ± 0.15V	0.6	5	10.1	0.5	12.2	0.5	13.4
			2.5V ± 0.2V	0.5	3.6	7.4	0.5	9	0.5	10
			3.3V ± 0.3V	0.5	2.9	5.1	0.5	6.5	0.5	7.2

5.8 开关特性 - C_L = 15pF

在建议的自然通风条件下的工作温度范围内测得（除非另有说明）（请参阅参数测量信息）

参数	从（输入）	至（输出）	V_CC	T_A = 25°C			T_A = -40°C 至 85°C		T_A = -40°C 至 125°C		单位
参数	从（输入）	至（输出）	V_CC	最小值	典型值	最大值	最小值	最大值	最小值	最大值	单位
t_pd	A 或 B	Y	0.8V		24.7						ns
			1.2V ± 0.1V	0.5	9.8	21.7	0.5	22.7	0.5	25
			1.5V ± 0.1V	1.3	4.6	14	0.5	15.7	0.5	17.3
			1.8V ± 0.15V	1.2	5.5	10.6	0.5	12.6	0.5	13.9
			2.5V ± 0.2V	0.7	4	7	0.5	8.9	0.5	9.8
			3.3V ± 0.3V	0.9	3.3	5.5	0.5	6.9	0.5	7.5

5.9 开关特性 - C_L = 30pF

在建议的自然通风条件下的工作温度范围内测得（除非另有说明）（请参阅参数测量信息）

参数	从（输入）	至（输出）	V_CC	T_A = 25°C			T_A = -40°C 至 85°C		T_A = -40°C 至 125°C		单位
参数	从（输入）	至（输出）	V_CC	最小值	典型值	最大值	最小值	最大值	最小值	最大值	单位
t_pd	A 或 B	Y	0.8V		31.8						ns
			1.2V ± 0.1V	0.6	12.6	26.3	0.5	27	0.5	29.7
			1.5V ± 0.1V	2.5	9	16.6	0.7	18.3	0.7	20.1
			1.8V ± 0.15V	2.3	7.3	12.9	0.5	14.8	0.5	16.3
			2.5V ± 0.2V	2.1	5.4	8.8	0.8	10.5	0.8	11.6
			3.3V ± 0.3V	2.1	4.5	6.7	0.9	8.2	0.9	9.1

5.10 工作特性

T_A = 25°C

参数		测试条件	V_CC	典型值	单位
C_pd	功率耗散电容	f = 10 MHz	0.8 V	4	pF
			1.2 V ± 0.1 V	4
			1.5 V ± 0.1 V	4
			1.8 V ± 0.15 V	4
			2.5 V ± 0.2 V	4.1
			3.3 V ± 0.3 V	4.3

5.11 典型特性

图 5-1 t_PD 与 V_CC 间的关系，15pF 负载

图 5-2 t_PD 与温度间的关系，1.8V、15pF 负载

6 参数测量信息

图 6-1 负载电路和电压波形

6.1

图 6-2 负载电路和电压波形

7 详细说明

7.1 概述

AUP 系列是 TI 先进的解决方案，可满足电池供电便携式应用的低功耗要求。此系列可确保在整个 0.8V 至 3.6V 的 V_CC 范围内实现超低静态和动态功耗，从而延长电池的使用寿命。该产品还可以保持出色的信号完整性。

此双路双输入正与门可在 0.8V 至 3.6V V_CC 下运行并以正逻辑执行布尔函数 Y = A ● B。

该器件完全符合使用 I_off 的部分断电应用的规范要求。I_off 电路可禁用输出，以防在器件断电时电流回流对器件造成损坏。

7.2 功能方框图

7.3 特性说明

7.3.1 平衡 CMOS 推挽式输出

该器件包括平衡 CMOS 推挽输出。术语平衡表示器件可以灌入和拉出相似的电流。此器件的驱动能力可能在轻负载时产生快速边缘，因此应考虑布线和负载条件以防止振铃。此外，该器件的输出能够驱动的电流比此器件能够承受的电流更大，而不会损坏器件。务必限制器件的输出功率，以避免因过流而损坏器件。必须始终遵守绝对最大额定值 中规定的电气和热限值。

未使用的推挽 CMOS 输出必须保持断开状态。

7.3.2 CMOS 施密特触发输入

此器件包括具有施密特触发架构的输入。这些输入为高阻抗，通常建模为从输入到接地的电阻器并与输入电容并联，如电气特性 表中所示。最坏情况下的电阻是根据绝对最大额定值 表中给出的最大输入电压和电气特性 表中给出的最大输入漏电流，使用欧姆定律 (R = V ÷ I) 计算得出的。

施密特触发输入架构可提供由电气特性 表中的 ΔV_T 定义的迟滞，因而此器件能够很好地耐受慢速或高噪声输入。虽然输入的驱动速度可能比标准 CMOS 输入慢得多，但仍建议正确端接未使用的输入。用缓慢的转换信号驱动输入会增加器件的动态电流消耗。有关施密特触发输入的更多信息，请参阅了解施密特触发。

7.3.3 局部断电 (I_off)

该器件包含当电源引脚保持为 0V 时禁用所有输出的电路。禁用时，无论施加的输入电压是多少，输出都不会拉出或灌入电流。每个输出端的漏电流大小由电气特性 表中的 I_off 规格定义。

7.3.4 标准 CMOS 输入

此器件包括标准 CMOS 输入。标准 CMOS 输入为高阻抗，通常建模为与输入电容并联的电阻器，如电气特性 中所示。最坏情况下的电阻是根据绝对最大额定值 中给出的最大输入电压和电气特性 中给出的最大输入漏电流，使用欧姆定律 (R = V ÷ I) 计算得出的。

标准 CMOS 输入要求输入信号在有效逻辑状态之间快速转换，如建议运行条件 表中的输入转换时间或速率所定义。不符合此规范将导致功耗过大并可能导致振荡。更多详细信息，请参阅 CMOS 输入缓慢或悬空的影响。

在运行期间，任何时候都不要让标准 CMOS 输入悬空。未使用的输入必须在 V_CC 或 GND 端接。如果系统不会一直主动驱动输入，则可以添加上拉或下拉电阻器，以在这些时间段提供有效的输入电压。电阻值将取决于多种因素；但建议使用 10kΩ 电阻器，这通常可以满足所有要求。

7.3.5 钳位二极管结构

图 7-1 展示了该器件的输入和输出仅布置负钳位二极管。

警告：电压超出绝对最大额定值 表中规定的值可能会损坏器件。如果遵守输入和输出钳制电流额定值，输入和输出电压可超过额定值。

图 7-1 每个输入和输出的钳位二极管的电气布置

7.4 器件功能模式

表 7-1 功能表

输入		输出 Y
A	B	输出 Y
L	L	L
L	H	L
H	L	L
H	H	H

8 应用和实施

注：

以下应用部分中的信息不属于TI 器件规格的范围，TI 不担保其准确性和完整性。TI 的客户应负责确定器件是否适用于其应用。客户应验证并测试其设计，以确保系统功能。

8.1 应用信息

在该应用中，将三个 2 输入与门相组合，可达到 4 输入与门的功能，如图 8-1 所示。多个 SN74AUP2G08 用于直接控制电机控制器的 RESET 引脚。要启用控制器，需要四个输入信号都处于高电平，并且在任何一个信号变为低电平时应禁用控制器。4 输入与门功能将四个单独的复位信号组合成一个低电平有效复位信号。

方程式 1.

8.2 典型应用

图 8-1 典型应用框图