ZHCSVR6B March 2024 – July 2026 ISOUSB211-Q1
PRODUCTION DATA
可以在 D+ 和 D- 线路上放置具有低电容和低动态电阻的 ESD 二极管,例如 PESD5V0C1USF。可以选择在连接器的 VBUS 引脚与 ISOUSB211-Q1 的VBUS 引脚之间放置一个直流电阻小于 100mΩ 的铁氧体磁珠(如图 8-1 所示),从而抑制 ESD 等瞬变。
如果使用的隔离式电源能够在 VBUS 上提供大于 1.5A 的电流,则可以根据电池充电器规范 BC 1.2 将该端口配置为 CDP 端口。为此,ISOUSB211-Q1 的 CDPENZ2 引脚必须按图中所示接地。在这种情况下,ISOUSB211-Q1 会对来自所连外设的 BC 1.2 信号做出响应,向外设表明该端口能够在 VBUS 上提供 1.5A 的电流。