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  • CSD16301Q2 25V N 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET

    • ZHCSVL4E October   2009  – November 2024 CSD16301Q2

      PRODUCTION DATA  

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  • CSD16301Q2 25V N 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET
  1.   1
  2. 1特性
  3. 2应用
  4. 3说明
  5. 4Specifications
    1. 4.1 Electrical Characteristics
    2. 4.2 Thermal Information
    3. 4.3 Typical MOSFET Characteristics
  6. 5Device and Documentation Support
    1. 5.1 接收文档更新通知
    2. 5.2 支持资源
    3. 5.3 Trademarks
    4. 5.4 静电放电警告
    5. 5.5 术语表
  7. 6Revision History
  8. 7Mechanical, Packaging, and Orderable Information
  9. 重要声明
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Data Sheet

CSD16301Q2 25V N 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET

本资源的原文使用英文撰写。 为方便起见，TI 提供了译文；由于翻译过程中可能使用了自动化工具，TI 不保证译文的准确性。 为确认准确性，请务必访问 ti.com 参考最新的英文版本（控制文档）。

下载最新的英语版本

1 特性

  • 超低 Qg 和 Qgd
  • 低热阻
  • 无铅端子镀层
  • 符合 RoHS
  • 无卤素
  • SON 2mm × 2mm 塑料封装

2 应用

  • 直流/直流转换器
  • 电池和负载管理应用

3 说明

该 25V 19mΩ 2mm x 2mm SON NexFET™ 功率 MOSFET 可以极大地降低电源转换和负载管理应用中的损耗。2mm × 2mm SON 封装可提供相对于封装尺寸而言出色的热性能。

CSD16301Q2 顶视图顶视图

产品概要
TA = 25°C 典型值 单位
VDS 漏源电压 25 V
Qg 栅极电荷总量 (4.5V) 2 nC
Qgd 栅极电荷（栅极到漏极） 0.4 nC
RDS(on) 漏源导通电阻 VGS = 3V 27 mΩ
VGS = 4.5V 23
VGS = 8V 19
VGS(th) 阈值电压 1.1 V
器件信息
器件 数量 介质 封装(1) 运输
CSD16301Q2 3000 7 英寸卷带 SON
2.00mm × 2.00mm
塑料封装		 卷带
(1) 如需了解所有可用封装，请参阅数据表末尾的可订购产品附录。
绝对最大额定值
TA = 25°C 值 单位
VDS 漏源电压 25 V
VGS 栅源电压 +10/-8 V
ID 持续漏极电流（受封装限制） 5 A
持续漏极电流（受器件限制），TC = 25°C 时测得 20
持续漏极电流(1) 8.2
IDM 脉冲漏极电流(2) 85 A
PD 功率耗散(1) 2.5 W
功率耗散，TC = 25°C 15
TJ，
TSTG		 工作结温，
贮存温度		 -55 至 150 °C
EAS 雪崩能量，单脉冲
ID = 14A，L = 0.1mH，RG = 25Ω		 10 mJ
(1) 0.06 英寸厚 FR4 PCB 上 1 平方英寸、2oz 铜焊盘上的 RθJA = 50°C/W（典型值）。
(2) 最大 RθJC = 8.4°C/W，脉冲持续时间 ≤ 100μs，占空比 ≤ 1%。
CSD16301Q2 RDS(on) 与 VGS 之间的关系RDS(on) 与 VGS 之间的关系
CSD16301Q2 栅极电荷栅极电荷

4 Specifications

4.1 Electrical Characteristics

TA = 25°C (unless otherwise specified)
PARAMETERTEST CONDITIONSMINTYPMAXUNIT
STATIC CHARACTERISTICS
BVDSSDrain-to-source voltageVGS = 0V, ID = 250μA25V
IDSSDrain-to-source leakage currentVGS = 0V, VDS = 20V1μA
IGSSGate-to-source leakage currentVDS = 0V, VGS = +10/–8V100nA
VGS(th)Gate-to-source threshold voltageVDS = VGS, IDS = 250μA0.91.11.55V
RDS(on)Drain-to-source on resistanceVGS = 3V, IDS = 4A2734mΩ
VGS = 4.5V, IDS = 4A2329
VGS = 8V, IDS = 4A1924
gfsTransconductanceVDS = 15V, IDS = 4A16.5S
DYNAMIC CHARACTERISTICS
CISSInput capacitanceVGS = 0V, VDS = 12.5V, ƒ = 1MHz260340pF
COSSOutput capacitance165215pF
CRSSReverse transfer capacitance1317pF
RgSeries gate resistance1.32.6Ω
QgGate charge total (4.5 V)VDS = 10V, IDS = 4A2.02.8nC
QgdGate charge gate-to-drain0.4nC
QgsGate charge gate-to-source0.6nC
Qg(th)Gate charge at Vth0.3nC
QOSSOutput chargeVDS = 12.5V, VGS = 0V3.0nC
td(on)Turnon delay timeVDS = 12.5V, VGS = 4.5V, IDS = 4A
RG = 2Ω		2.7ns
trRise time4.4ns
td(off)Turnoff delay time4.1ns
tfFall time1.7ns
DIODE CHARACTERISTICS
VSDDiode forward voltageIDS = 4A, VGS = 0V0.81V
QrrReverse recovery chargeVDD = 12.5V, IF = 4A, di/dt = 200A/μs5.1nC
trrReverse recovery time11ns

4.2 Thermal Information

TA = 25°C (unless otherwise stated)
THERMAL METRICMINTYPMAXUNIT
RθJCJunction-to-case thermal resistance(1)8.4°C/W
RθJAJunction-to-ambient thermal resistance(1)(2)65°C/W
(1) RθJC is determined with the device mounted on a 1in2 (6.45cm2), 2oz (0.071mm) thick Cu pad on a 1.5in × 1.5in (3.81cm × 3.81cm), 0.06in (1.52mm) thick FR4 PCB. RθJC is specified by design, whereas RθJA is determined by the user’s board design.
(2) Device mounted on FR4 material with 1in2 (6.45cm2), 2oz (0.071mm) thick Cu.

CSD16301Q2
Max RθJA = 65°C/W when mounted on 1in2 (6.45cm2) of 2oz (0.071mm) thick Cu.
CSD16301Q2
Max RθJA = 250°C/W when mounted on minimum pad area of 2oz (0.071mm) thick Cu.

4.3 Typical MOSFET Characteristics

TA = 25°C (unless otherwise specified)

CSD16301Q2 Transient Thermal Impedance
Figure 4-1 Transient Thermal Impedance
CSD16301Q2 Saturation Characteristics
Figure 4-2 Saturation Characteristics
CSD16301Q2 Gate Charge
ID = 4AVDS = 50V
Figure 4-4 Gate Charge
CSD16301Q2 Threshold Voltage vs Temperature
ID = 250µA
Figure 4-6 Threshold Voltage vs Temperature
CSD16301Q2 Normalized On-State Resistance vs Temperature
VGS = 4.5VID = 4A
Figure 4-8 Normalized On-State Resistance vs Temperature
CSD16301Q2 Maximum Safe Operating Area
Single pulse, max RθJC = 8.4°C/W
Figure 4-10 Maximum Safe Operating Area
CSD16301Q2 Maximum Drain Current vs Temperature
Figure 4-12 Maximum Drain Current vs Temperature
CSD16301Q2 Transfer Characteristics
VDS = 5V
Figure 4-3 Transfer Characteristics
CSD16301Q2 Capacitance
Figure 4-5 Capacitance
CSD16301Q2 On-State Resistance vs Gate-to-Source Voltage
Figure 4-7 On-State Resistance vs Gate-to-Source Voltage
CSD16301Q2 Typical Diode Forward Voltage
Figure 4-9 Typical Diode Forward Voltage
CSD16301Q2 Single Pulse Unclamped Inductive Switching
Figure 4-11 Single Pulse Unclamped Inductive Switching

5 Device and Documentation Support

5.1 接收文档更新通知

要接收文档更新通知，请导航至 ti.com 上的器件产品文件夹。点击通知 进行注册，即可每周接收产品信息更改摘要。有关更改的详细信息，请查看任何已修订文档中包含的修订历史记录。

5.2 支持资源

TI E2E™ 中文支持论坛是工程师的重要参考资料，可直接从专家处获得快速、经过验证的解答和设计帮助。搜索现有解答或提出自己的问题，获得所需的快速设计帮助。

链接的内容由各个贡献者“按原样”提供。这些内容并不构成 TI 技术规范，并且不一定反映 TI 的观点；请参阅 TI 的使用条款。

5.3 Trademarks

NexFET™ and TI E2E™ are trademarks of Texas Instruments.

All trademarks are the property of their respective owners.

5.4 静电放电警告

CSD16301Q2 静电放电 (ESD) 会损坏这个集成电路。德州仪器 (TI) 建议通过适当的预防措施处理所有集成电路。如果不遵守正确的处理和安装程序，可能会损坏集成电路。
ESD 的损坏小至导致微小的性能降级，大至整个器件故障。精密的集成电路可能更容易受到损坏，这是因为非常细微的参数更改都可能会导致器件与其发布的规格不相符。

5.5 术语表

    TI 术语表 本术语表列出并解释了术语、首字母缩略词和定义。

6 Revision History

Changes from Revision D (November 2016) to Revision E (March 2024)

  • 更新了整个文档中的表格、图和交叉参考的编号格式Go
  • 删除了 CSD16301Q2T 小卷带选项Go

Changes from Revision C (July 2011) to Revision D (November 2016)

  • 添加了器件和文档支持 部分Go
  • 更改了说明 文本Go
  • 将产品摘要 表中的 Qg 电压条件从 –4.5V 更改为 4.5VGo
  • 向绝对最大额定值 表中添加了受器件限制的持续漏极电流Go
  • 向绝对最大额定值 表中添加了 TC = 25°C 时的最大功率耗散Go
  • 更改了绝对最大额定值 表中的注释 1 和注释 2Go
  • Changed R θJA max from 69°C/W : to 65°C/WGo
  • Changed Figure 4-1 to reflect a transient RθJC curveGo
  • Changed the safe operating area in Figure 4-10 to reflect measured dataGo
  • Changed MECHANICAL DATA section to Mechanical, Packaging, and Orderable Information sectionGo

Changes from Revision B (April 2010) to Revision C (July 2011)

  • 在“订购信息”表中添加了 7 英寸卷带选项Go

Changes from Revision A (December 2009) to Revision B (April 2010)

  • Added title to Figure 4-11 - Single Pulse Unclamped Inductive SwitchingGo

Changes from Revision * (October 2009) to Revision A (December 2009)

  • Changed the Electrical Characteristics table - VGS(th) MAX value From: 1.4V To 1.55VGo

7 Mechanical, Packaging, and Orderable Information

The following pages include mechanical, packaging, and orderable information. This information is the most current data available for the designated devices. This data is subject to change without notice and revision of this document. For browser-based versions of this data sheet, refer to the left-hand navigation.

重要声明和免责声明

TI 均以“原样”提供技术性及可靠性数据（包括数据表）、设计资源（包括参考设计）、应用或其他设计建议、网络工具、安全信息和其他资源，不保证其中不含任何瑕疵，且不做任何明示或暗示的担保，包括但不限于对适销性、适合某特定用途或不侵犯任何第三方知识产权的暗示担保。

所述资源可供专业开发人员应用TI 产品进行设计使用。您将对以下行为独自承担全部责任：(1) 针对您的应用选择合适的TI 产品；(2) 设计、验证并测试您的应用；(3) 确保您的应用满足相应标准以及任何其他安全、安保或其他要求。所述资源如有变更，恕不另行通知。TI 对您使用所述资源的授权仅限于开发资源所涉及TI 产品的相关应用。除此之外不得复制或展示所述资源，也不提供其它TI或任何第三方的知识产权授权许可。如因使用所述资源而产生任何索赔、赔偿、成本、损失及债务等，TI对此概不负责，并且您须赔偿由此对TI 及其代表造成的损害。

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