Data Sheet
TPSI31P1-Q1 具有 17V 集成栅极驱动器和辅助电源的汽车级有源预充电控制器
本资源的原文使用英文撰写。 为方便起见，TI 提供了译文；由于翻译过程中可能使用了自动化工具，TI 不保证译文的准确性。 为确认准确性，请务必访问 ti.com 参考最新的英文版本（控制文档）。
1 特性
- 使用开关转换器架构替代大型高功率预充电电阻器
- 与无源预充电解决方案相比，提高了热性能
- 迟滞电流控制用于对下游电容进行线性充电
- 驱动 Si、SiC MOSFET 或 IGBT 等外部功率晶体管
- 适用于栅极偏置的集成隔离式次级电源
- 17V 栅极驱动，1.5A 和 2.5A 峰值拉电流和灌电流
- 符合面向汽车应用的 AEC Q-100 标准：
- 温度等级 1：–40°C 至 +125°C，TA
- 功能安全型
- 安全相关认证
- 计划：符合 DIN EN IEC 60747-17 (VDE 0884-17) 的 7070VPK 增强型隔离
- 计划：符合 UL 1577 标准且长达 1 分钟的 5kVRMS 隔离
2 应用
TPSI31P1-Q1 简化版应用3 说明
TPSI31P1-Q1 旨在用于汽车级预充电系统，作为传统无源预充电架构的替代方案，该架构通常包含昂贵的机电继电器 (EMR) 以及庞大的大功率电阻器。TPSI31P1-Q1 与外部电源开关、功率电感器和二极管相结合，形成了有源预充电解决方案。TPSI31P1-Q1 在迟滞运行模式下持续监测和控制电感电流，以对下游系统的大电容进行线性充电。TPSI31P1-Q1 是一款隔离式开关驱动器，可通过初级侧接收到的电源自行产生次级辅助电源，因此无需隔离式次级电源。当栅极驱动电压为 17V，峰值拉电流和灌电流为 1.5A 和 2.5A 时，可以使用大量电源开关，包括 SiC FET 和 IGBT。
TPSI31P1-Q1 集成一个通信反向通道，该反向通道可通过开漏输出、PGOOD（电源正常状态）将状态信息从次级侧传输到初级侧，并且指示次级电源何时有效。
TPSI31P1-Q1 增强型隔离非常稳健，与光耦合器相比，其可靠性更高、功耗更低，且温度范围更宽。将 EMR 和功率电阻器替换为固态解决方案可降低成本并减小尺寸，同时提高可靠性。
(1) 如需了解所有可用封装，请参阅数据表末尾的可订购产品附录。
(2) 封装尺寸（长 × 宽）为标称值，并包括引脚（如适用）。
(3) 产品预发布。
4 引脚配置和功能
图 4-1 TPSI31P1-Q1 DVX 封装，16 引脚 SSOP（顶视图）
| 引脚 | I/O | 类型(1) | 说明 | |
|---|---|---|---|---|
| 编号 | 名称 | |||
| 1 | EN | I | — | 高电平有效预充电使能。内部 500kΩ 下拉至 VSSP。 |
| 2 | CE | I | — | 高电平有效芯片使能。当被置为低电平时，禁用器件。不使用时连接至 VDDP 或 EN。内部 500kΩ 下拉至 VSSP。 |
| 4 | VDDP | — | P | 初级侧的电源 |
| 5 | PGOOD | O | — | 电源正常状态指示器。开漏输出。使用时，需要从外部上拉至 VDDP。不使用时悬空或连接至 VSSP。 |
| 11、12 | IS+ | I | — | 电阻分流器正极。当分流电阻器上的电压超过内部基准电压 (1.23V) 时，VDRV 被置为低电平并保持低电平，直到分流电阻器上的电压降至内部基准电压 (160mV) 以下。内部 3MΩ 下拉至 VSSS。 |
| 13 | VDDM | — | P | 生成 1/2Vs，标称值为 5V。 |
| 15 | VDDH | — | P | 生成高电源电压，标称值为 17V。 |
| 16 | VDRV | O | — | 高电平有效驱动器输出。 |
| 6.7 | NC | NC | — | 无连接。保持悬空或连接至 VSSP。 |
| 3、8 | VSSP | — | GND | 初级侧的接地电源。所有 VSSP 引脚必须连接至初级侧接地端。 |
| 9、10、14 | VSSS | — | GND | 次级侧的接地电源。所有 VSSS 引脚必须连接至次级侧接地端。 |
(1) P = 电源，GND = 接地，NC = 无连接
