ZHCSV58M July   1999  – March 2024 SN65LVDS1 , SN65LVDS2 , SN65LVDT2

PRODUCTION DATA  

  1.   1
  2. 1 特性
  3. 2 应用
  4. 3 说明
  5. 4 器件选项
  6. 5 引脚配置和功能
  7. 6 规格
    1. 6.1 绝对最大额定值
    2. 6.2 ESD 等级
    3. 6.3 建议运行条件
    4. 6.4 热性能信息
    5. 6.5 驱动器电气特性
    6. 6.6 接收器电气特性
    7. 6.7 驱动器开关特性
    8. 6.8 接收器开关特性
    9. 6.9 典型特性
  8. 7 参数测量信息
  9. 8 详细说明
    1. 8.1 概述
    2. 8.2 功能方框图
    3. 8.3 特性说明
      1. 8.3.1 SN65LVDS1 特性
        1. 8.3.1.1 驱动器输出电压和上电复位
        2. 8.3.1.2 驱动器失调电压
        3. 8.3.1.3 可耐受 5V 输入
        4. 8.3.1.4 NC 引脚
        5. 8.3.1.5 驱动器等效原理图
      2. 8.3.2 SN65LVDS2 和 SN65LVDT2 特性
        1. 8.3.2.1 接收器开路失效防护
        2. 8.3.2.2 接收器输出电压和上电复位
        3. 8.3.2.3 共模范围与电源电压
        4. 8.3.2.4 通用比较器
        5. 8.3.2.5 接收器等效原理图
        6. 8.3.2.6 NC 引脚
    4. 8.4 器件功能模式
      1. 8.4.1 在 VCC < 1.5V 条件下运行
      2. 8.4.2 在 1.5V ≤ VCC < 2.4V 条件下运行
      3. 8.4.3 在 2.4V ≤ VCC < 3.6V 条件下运行
      4. 8.4.4 SN65LVDS1 真值表
      5. 8.4.5 SN65LVDS2 和 SN65LVDT2 真值表
  10. 9 应用和实施
    1. 9.1 应用信息
    2. 9.2 典型应用
      1. 9.2.1 点对点通信
        1. 9.2.1.1 设计要求
        2. 9.2.1.2 详细设计过程
          1. 9.2.1.2.1  驱动器电源电压
          2. 9.2.1.2.2  驱动器旁路电容
          3. 9.2.1.2.3  驱动器输入电压
          4. 9.2.1.2.4  驱动器输出电压
          5. 9.2.1.2.5  介质互连
          6. 9.2.1.2.6  PCB 传输线路
          7. 9.2.1.2.7  端接电阻器
          8. 9.2.1.2.8  驱动器 NC 引脚
          9. 9.2.1.2.9  接收器电源电压
          10. 9.2.1.2.10 接收器旁路电容
          11. 9.2.1.2.11 接收器输入共模范围
          12. 9.2.1.2.12 接收器输入信号
          13. 9.2.1.2.13 接收器输出信号
          14. 9.2.1.2.14 接收器 NC 引脚
      2. 9.2.2 应用曲线
      3. 9.2.3 多点通信
        1. 9.2.3.1 设计要求
        2. 9.2.3.2 详细设计过程
          1. 9.2.3.2.1 介质互连
        3. 9.2.3.3 应用曲线
  11. 10电源相关建议
  12. 11布局
    1. 11.1 布局指南
      1. 11.1.1 微带与带状线拓扑
      2. 11.1.2 电介质类型和电路板结构
      3. 11.1.3 建议的堆叠布局
      4. 11.1.4 引线间距
      5. 11.1.5 串扰和接地反弹最小化
      6. 11.1.6 去耦
    2. 11.2 布局示例
  13. 12器件和文档支持
    1. 12.1 器件支持
      1. 12.1.1 其他 LVDS 产品
    2. 12.2 第三方产品免责声明
    3. 12.3 文档支持
      1. 12.3.1 相关信息
    4. 12.4 接收文档更新通知
    5. 12.5 支持资源
    6. 12.6 商标
    7. 12.7 静电放电警告
    8. 12.8 术语表
  14. 13修订历史记录
  15. 14机械、封装和可订购信息
9.2.1.2.2 驱动器旁路电容

旁路电容器在配电电路中发挥着关键作用。具体而言，它们会在电源和地之间形成低阻抗路径。在低频下，良好的数字电源在其端子之间提供阻抗极低的路径。但是，随着更高频率的电流通过电源布线传输，该电源通常无法保持低阻抗的接地路径。旁路电容器便用于解决这一问题。通常，板级大旁路电容器（10μF 至 1000μF）在 kHz 范围内可以很好地工作。由于其尺寸和引线长度，它们往往在现代数字电路的开关频率下具有较大的电感值。要解决这个问题，必须使用较小的电容器（nF 至 μF 范围）并将其安装在集成电路旁边。

多层陶瓷芯片或表面贴装电容器（尺寸 0603 或 0805）可以在高速环境中尽可能地减小旁路电容器的引线电感，因为它们的引线电感约为 1nH。为进行比较，带引线的典型电容器具有约 5nH 的引线电感。

根据 Johnson1 公式 8.18 至 8.21，可以通过以下公式确定与 LVDS 芯片一起使用的局部旁路电容器值。200ps 的保守上升时间和 1A 的最坏情况下电源电流变化涵盖了德州仪器 (TI) 提供的 LVDS 器件的整个范围。在此示例中，所能承受的最大电源噪声为 200mV；但是，根据设计中可用的噪声预算，此数字会有所不同。

方程式 1. SN65LVDS1 SN65LVDS2 SN65LVDT2
方程式 2. SN65LVDS1 SN65LVDS2 SN65LVDT2

以下示例降低了引线电感，并涵盖了板级电容器 (>10µF) 与上述电容值 (0.001µF) 之间的中间频率。您应将最小电容值放置在尽可能靠近芯片的位置。

SN65LVDS1 SN65LVDS2 SN65LVDT2 建议的 LVDS 旁路电容器布局图 9-2 建议的 LVDS 旁路电容器布局
  1. Howard Johnson & Martin Graham.1993. High Speed Digital Design – A Handbook of Black Magic. Prentice Hall PRT. ISBN number 013395724.