ZHCSTC7B September   2000  – January 2026 INA114

PRODUCTION DATA  

  1.   1
  2. 1特性
  3. 2应用
  4. 3说明
  5. 4引脚配置和功能
  6. 5规格
    1. 5.1 绝对最大额定值
    2. 5.2 ESD 等级
    3. 5.3 建议运行条件
    4. 5.4 热性能信息
    5. 5.5 电气特性
    6. 5.6 典型特性
  7. 6应用和实施
    1. 6.1 应用信息
      1. 6.1.1 设置增益
      2. 6.1.2 噪声性能
      3. 6.1.3 失调修整
      4. 6.1.4 输入偏置电流返回路径
      5. 6.1.5 输入共模范围
      6. 6.1.6 输入保护
      7. 6.1.7 输出电压检测（仅限 SOIC-16 封装）
    2. 6.2 典型应用
  8. 7器件和文档支持
    1. 7.1 器件命名规则
    2. 7.2 接收文档更新通知
    3. 7.3 支持资源
    4. 7.4 商标
    5. 7.5 静电放电警告
    6. 7.6 术语表
  9. 8修订历史记录
  10. 9机械、封装和可订购信息

5.5 电气特性

在 TA = 25°C、VS = ±15V、RL = 2kΩ、VREF = 0V、G = 1 时，所有芯片原产地 (CSO)，除非另有说明。
参数 测试条件 最小值 典型值 最大值 单位
输入
VOS 失调电压 RTI INA114BP，BU ±10 + 20/G ±50 + 150/G µV
INA114AP，AU ±25 + 30/G ±125 + 500/G
失调电压漂移 TA = –40℃ 至 +85℃，RTI INA114BP，BU ±0.1 + 0.5/G ±0.3 + 5/G µV/℃
INA114AP，AU ±0.25 + 5/G ±1 + 10/G
长期稳定性  ±0.2 + 0.5/G µV/mo
差分阻抗 100 || 6 GΩ || pF
共模阻抗 100 || 6 GΩ || pF
工作输入电压 (V–) + 4 (V+) – 4 V
PSRR 电源抑制比 RTI，±2.25V 至 ±18V 0.5 + 2/G 3 + 10/G µV/V
CMRR 共模抑制比 直流至 60Hz，RTI，
VCM = ±10V，
ΔRS = 1kΩ		 G = 1 INA114BP，BU 80 96 dB
INA114AP，AU 75 90
G = 10 INA114BP，BU 96 115
INA114AP，AU 90 106
G = 100 INA114BP，BU 110 120
INA114AP，AU 106 110
G = 1000 INA114BP，BU 115 120
INA114AP，AU 106 110
偏置电流
IB 输入偏置电流 VCM = VS/2 INA114BP，BU ±0.5 ±2 nA
INA114AP，AU ±0.5 ±5
输入偏置电流漂移 TA = -40°C 至 +85°C INA114BP，BU ±8 pA/℃
INA114AP，AU ±8
IOS 输入失调电流 VCM = VS/2 INA114BP，BU ±0.5 ±2 nA
INA114AP，AU ±0.5 ±5
输入失调电流漂移 TA = -40°C 至 +85°C INA114BP，BU ±8 pA/℃
INA114AP，AU ±8
噪声电压
电压噪声 G = 1000，RS = 0 Ω CSO：SHE f = 10Hz 15 nV/√Hz
f = 100Hz 11
f = 1kHz 11
CSO：TID f = 10Hz 至 1kHz 7
CSO：SHE fB = 0.1Hz 至 10Hz 0.4 µVPP
CSO：TID fB = 0.1Hz 至 10Hz 0.45
噪声电流 f = 10Hz 0.4 pA/√Hz
f = 1kHz 0.2
fB = 0.1Hz 至 10Hz 18 pAPP
增益
G 增益公式 1 + (50kΩ/RG) V/V
增益范围 1 10000 V/V
GE 增益误差 VO = ±10V，G = 1 ±0.01 ±0.05 %
VO = ±10V G = 10 INA114BP，BU ±0.02 ±0.4
INA114AP，AU ±0.02 ±0.5
G = 100 INA114BP，BU ±0.05 ±0.5
INA114AP，AU ±0.05 ±0.7
G = 1000 INA114BP，BU ±0.5 ±1
INA114AP，AU ±0.5 ±2
增益漂移 ±2 ±10 ppm/°C
RS = 50kΩ(1) ±25 ±100
增益非线性 VO = -10V 至 +10V G = 1 INA114BP，BU ±0.0001 ±0.001 FSR 百分比
INA114AP，AU ±0.0001 ±0.002
G = 10、100 INA114BP，BU ±0.0005 ±0.002
INA114AP，AU ±0.0005 ±0.004
G = 1000 INA114BP，BU ±0.002 ±0.01
INA114AP，AU ±0.002 ±0.02
输出
输出电压 IO = 5mA，TA = –40℃ 至 85℃ (V–) +1.5 (V+) -1.5 V
VS = ±11.4V (V–) + 1.4 (V+) – 1.4
VS = ±2.25V (V–) +1 (V+) – 1
负载电容稳定性 1000 pF
ISC 短路电流 持续达 VS/2 +20 / –15 mA
频率响应
BW 带宽，–3dB G = 1 CSO：SHE 1 MHz
CSO：TID 1.5
G = 10 CSO：SHE 100 kHz
CSO：TID 600
G = 100 CSO：SHE 10
CSO：TID 200
G = 1000 CSO：SHE 1
CSO：TID 30
SR 压摆率 G = 10，VO = ±10V CSO：SHE 0.3 0.6 V/µs
CSO：TID 1.2
tS 趋稳时间 0.01%，VSTEP = 10V G = 1 18 µs
G = 10 20
G = 100 120
G = 1000 1100
过载恢复
50% 过驱

 CSO：TID 2 µs
CSO：SHE 20
电源
IQ 静态电流 VS = ±2.25V 至 ±18V，VIN = 0V ±2.2 ±3 mA
(1) 增益公式中“50kΩ”项的温度系数。