ZHCSSU0B June   2025  – January 2026 LMR60420-Q1

PRODUCTION DATA  

  1.   1
  2. 1 特性
  3. 2 应用
  4. 3 说明
  5. 4 器件比较表
  6. 5 引脚配置和功能
  7. 6 规格
    1. 6.1 绝对最大额定值
    2. 6.2 ESD 等级
    3. 6.3 建议运行条件
    4. 6.4 热性能信息
    5. 6.5 电气特性
    6. 6.6 典型特性
  8. 7 详细说明
    1. 7.1 概述
    2. 7.2 功能方框图
    3. 7.3 特性说明
      1. 7.3.1 使能和欠压锁定 (UVLO)
      2. 7.3.2 软启动和从压降中恢复
      3. 7.3.3 通过 RT 进行频率选择
      4. 7.3.4 MODE/SYNC 引脚控制
      5. 7.3.5 输出电压选择
      6. 7.3.6 电流限值
      7. 7.3.7 断续模式
      8. 7.3.8 电源正常功能
      9. 7.3.9 展频
    4. 7.4 器件功能模式
      1. 7.4.1 关断
      2. 7.4.2 工作模式
        1. 7.4.2.1 连续导通模式 (CCM)
        2. 7.4.2.2 自动模式 — 轻负载运行
        3. 7.4.2.3 FPWM 运行 – 轻负载运行
        4. 7.4.2.4 最短导通时间
        5. 7.4.2.5 压降
  9. 8 应用和实施
    1. 8.1 应用信息
    2. 8.2 典型应用
      1. 8.2.1 设计要求
      2. 8.2.2 详细设计过程
        1. 8.2.2.1 开关频率选择
        2. 8.2.2.2 电感器选型
        3. 8.2.2.3 输出电容器选型
        4. 8.2.2.4 输入电容器选型
        5. 8.2.2.5 自举电容器 (CBOOT) 选型
        6. 8.2.2.6 支持可调节输出电压的 FB 分压器
          1. 8.2.2.6.1 前馈电容器 (CFF) 选型
        7. 8.2.2.7 RPG - PG 上拉电阻器
      3. 8.2.3 应用曲线
    3. 8.3 电源相关建议
    4. 8.4 布局
      1. 8.4.1 布局指南
        1. 8.4.1.1 接地及散热层注意事项
      2. 8.4.2 布局示例
  10. 9 器件和文档支持
    1. 9.1 器件支持
      1. 9.1.1 第三方产品免责声明
      2. 9.1.2 器件命名规则
    2. 9.2 文档支持
      1. 9.2.1 相关文档
    3. 9.3 接收文档更新通知
    4. 9.4 支持资源
    5. 9.5 商标
    6. 9.6 静电放电警告
    7. 9.7 术语表
  11. 10修订历史记录
  12. 11机械、封装和可订购信息

6.6 典型特性

VIN = 13.5V，TA = 25℃（除非另有说明）。指定温度为环境温度。

LMR60420-Q1 高侧 MOSFET 电流限制图 6-1 高侧 MOSFET 电流限制
LMR60420-Q1 高侧 MOSFET RDS-ON图 6-3 高侧 MOSFET RDS-ON
LMR60420-Q1 输出电压精度
5V 固定
图 6-5 输出电压精度
LMR60420-Q1 使能阈值电压图 6-7 使能阈值电压
LMR60420-Q1 输入电压 UVLO - 'A' 型号图 6-9 输入电压 UVLO - 'A' 型号
LMR60420-Q1 PGOOD 阈值图 6-11 PGOOD 阈值
LMR60420-Q1 低侧 MOSFET 电流限制图 6-2 低侧 MOSFET 电流限制
LMR60420-Q1 低侧 MOSFET RDS-ON图 6-4 低侧 MOSFET RDS-ON
LMR60420-Q1 软启动时间图 6-6 软启动时间
LMR60420-Q1 反馈电压精度图 6-8 反馈电压精度
LMR60420-Q1 输入电压 UVLO - 'B' 型号图 6-10 输入电压 UVLO - 'B' 型号