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ADS921x 是一个带有集成驱动器的 18 位、高速、双通道、同步采样的模数转换器 (ADC) 系列,适用于 ADC 输入。集成的 ADC 驱动器可简化信号链,降低精密应用的功耗,并支持超出 1MHz 的高频信号。集成 ADC 基准缓冲器无需外部去耦电容器,因此针对宽带宽应用进行了优化。
ADS921x 使用串行 LVDS (SLVDS) 数据接口,可实现高速数字通信,同时更大限度地降低数字开关噪声。可以使用每个 ADC 通道的单独 SLVDS 输出或两个 ADC 通道的一个 SLVDS 输出来读取双通道 ADC 数据。
器件型号 | 封装(1) | 封装尺寸(2) |
---|---|---|
ADS9218 | RHA(VQFN,40) | 6mm × 6mm |
ADS9219 (3) | RHA(VQFN,40) | 6mm × 6mm |
ADS9217 (4) | RHA(VQFN,40) | 6mm × 6mm |
引脚 | 类型(1) | 说明 | |
---|---|---|---|
名称 | 编号 | ||
AINAM | 4 | I | ADC A 的负模拟输入。 |
AINAP | 3 | I | ADC A 的正模拟输入。 |
AINBM | 8 | I | ADC B 的负模拟输入。 |
AINBP | 7 | I | ADC B 的正模拟输入。 |
AVDD_5V | 1、10 | P | 5V 模拟电源引脚。 |
CS | 17 | I | 配置接口的片选输入引脚;低电平有效。 |
DCLKM | 23 | O | 负差分数据时钟输出。在 DCLKP 和 DCLKM 之间靠近接收器的位置连接一个 100Ω 电阻器。 |
DCLKP | 24 | O | 正差分数据时钟输出。在 DCLKP 和 DCLKM 之间靠近接收器的位置连接一个 100Ω 电阻器。 |
DOUTAM | 27 | O | 负差分数据输出。在 DOUTAP 和 DOUTAM 之间靠近接收器的位置连接一个 100Ω 电阻器。 在双路模式下发送 ADC A 数据。 在单路模式下发送 ADC A 和 ADC B 数据。 |
DOUTAP | 28 | O | 与 ADC A 对应的正差分数据输出。在 DOUTAP 和 DOUTAM 之间靠近接收器的位置连接一个 100Ω 电阻器。 在双路模式下发送 ADC A 数据。 在单路模式下发送 ADC A 和 ADC B 数据。 |
DOUTBM | 25 | O | 与双路模式对应的负差分数据输出。在 DOUTBP 和 DOUTBM 之间靠近接收器的位置连接一个 100Ω 电阻器。未在单路模式下使用。 |
DOUTBP | 26 | O | 与双路模式下的 ADC B 对应的正差分数据输出。在 DOUTBP 和 DOUTBM 之间靠近接收器的位置连接一个 100Ω 电阻器。未在单路模式下使用。 |
FCLKM | 29 | O | 负差分数据帧时钟输出。在 FCLKP 和 FCLKM 之间靠近接收器的位置连接一个 100Ω 电阻器。 |
FCLKP | 30 | O | 正差分数据帧时钟输出。在 FCLKP 和 FCLKM 之间靠近接收器的位置连接一个 100Ω 电阻器。 |
GND | 2、9、12、15、34、38 | P | 接地。 |
PWDN | 22 | I | 断电控制;低电平有效。如果未使用,则连接到 VDD_1V8。 |
REFIO | 39 | I/O | 内部基准电压输出。外部基准电压输入。将 10µF 去耦电容器连接到 REFM。 |
REFM | 6、11、40 | P | 基准接地。连接至 GND。 |
RESET | 21 | I | 复位输入;低电平有效。如果未使用,则连接到 VDD_1V8。 |
SCLK | 18 | I | 配置接口的串行时钟输入。 |
SDI / EXTREF | 19 | I | SDI 是一个多功能逻辑输入;引脚功能由 SPI_EN 引脚决定。SDI 具有一个连接至 GND 的内部 100kΩ 下拉电阻。SPI_EN = 0b:SDI 是在内部或外部基准之间进行选择的逻辑输入。将 SDI 连接到 GND 以提供外部基准。将 SDI 连接到 VDD_1V8 以提供内部基准。SPI_EN = 1b:配置接口的串行数据输入 |
SDO | 20 | O | 配置接口的串行数据输出。 |
SMPL_CLKM | 31 | I | ADC 采样时钟输入。LVDS 采样时钟的负差分输入。针对 CMOS 采样时钟,将此引脚连接至 GND。 |
SMPL_CLKP | 32 | I | ADC 采样时钟输入。LVDS 采样时钟的正差分输入。CMOS 采样时钟的时钟输入。 |
SMPL_SYNC | 33 | I | 内部均值滤波器的同步输入。 如果未使用则连接至 GND。有关如何使用 SMPL_SYNC 引脚的信息,请参阅同步多个 ADC 部分。 |
SPI_EN | 16 | I | 启用 SPI 接口配置的控制;高电平有效。 将上拉电阻器连接到 VDD_1V8 以保持配置接口启用。如果未使用 SPI 配置,则连接至 GND。当 SPI_EN = 0 时,通过 SDI/EXTREF 引脚选择基准电压。 |
散热焊盘 | — | P | 外露散热焊盘连接至 GND。 |
VCMOUT | 5 | O | 共模电压输出。使用 VCMOUT 设置 ADC 输入端的共模电压。将 1µF 去耦电容器连接到 GND。 |
VDD_1V8 | 13、14、35、36、37 | P | 1.8V 电源。将 1μF 和 0.1μF 去耦电容器连接到 GND。 |
最小值 | 最大值 | 单位 | ||
---|---|---|---|---|
VDD_1V8 至 GND | -0.3 | 2.1 | V | |
AVDD_5V 至 GND | -0.3 | 5.5 | V | |
AINAP、AINAM、AINBP 和 AINBM 至 GND | GND – 0.3 | AVDD_5V + 0.3 | V | |
REFIO 至 REFM | REFM – 0.3 | AVDD_5V + 0.3 | V | |
数字输入至 GND | GND – 0.3 | VDD_1V8 + 0.3 | V | |
REFM 至 GND | -0.3 | 0.3 | V | |
输入电流到电源引脚外的任意引脚(2) | -10 | 10 | mA | |
结温,TJ | -40 | 150 | °C | |
贮存温度,Tstg | -60 | 150 | °C |
值 | 单位 | |||
---|---|---|---|---|
V(ESD) | 静电放电 | 人体放电模型 (HBM),符合 ANSI/ESDA/JEDEC JS-001,模拟输入引脚 AINAP、AINAM、AINBP 和 AINBM(1) | ±2000 | V |
人体放电模型 (HBM),符合 ANSI/ESDA/JEDEC JS-001,其他所有引脚(1) | ±1000 | |||
充电器件模型 (CDM),符合 ANSI/ESDA/JEDEC JS-002 标准,所有引脚(2) | ±500 |
热指标(1) | ADS921x | 单位 | |
---|---|---|---|
RHA (VQFN) | |||
40 引脚 | |||
RθJA | 结至环境热阻 | 25.8 | °C/W |
RθJC(top) | 结至外壳(顶部)热阻 | 13.3 | °C/W |
RθJB | 结至电路板热阻 | 7.5 | °C/W |
ΨJT | 结至顶部特征参数 | 0.1 | °C/W |
ΨJB | 结至电路板特征参数 | 7.4 | °C/W |
RθJC(bot) | 结至外壳(底部)热阻 | 1.1 | °C/W |
参数 | 测试条件 | 最小值 | 典型值 | 最大值 | 单位 | |
---|---|---|---|---|---|---|
电源 | ||||||
AVDD_5V | 电源 | AVDD_5V 至 GND | 4.75 | 5 | 5.25 | V |
VDD_1V8 | 电源 | VDD_1V8 至 GND | 1.75 | 1.8 | 1.85 | V |
基准电压 | ||||||
VREF | 基准电压至 ADC | 外部基准 | 4.076 | 4.096 | 4.116 | V |
模拟输入 | ||||||
VIN | 绝对输入电压 | AINx(1) 至 GND | VCM – 1.6 | VCM + 1.6 | V | |
FSR | 满标量程输入范围 | (AINAP – AINAM) 和 (AINBP – AINBM) |
-3.2 | 3.2 | V | |
VCM | 共模输入范围(2) | (AINAP + AINAM) / 2 和 (AINBP + AINBM) / 2 |
VCMOUT – 0.05 | VCMOUT + 0.05 | V | |
温度范围 | ||||||
TA | 环境温度 | -40 | 25 | 125 | °C |