ZHCSQM5C May   2022  – December 2025 ESD762

PRODUCTION DATA  

  1.   1
  2. 1 特性
  3. 2 应用
  4. 3 说明
  5. 4 引脚配置和功能
  6. 5 规格
    1. 5.1 绝对最大额定值
    2. 5.2 ESD 等级 - JEDEC 规格
    3. 5.3 ESD 等级 - IEC 规格
    4. 5.4 建议运行条件
    5. 5.5 热性能信息
    6. 5.6 电气特性
    7. 5.7 典型特性 - ESD762 (DBZ)
    8. 5.8 典型特性 - ESD762 (DXA)
  7. 6 详细说明
    1. 6.1 概述
    2. 6.2 功能方框图
    3. 6.3 特性说明
      1. 6.3.1 温度范围
      2. 6.3.2 IEC 61000-4-5 浪涌保护
      3. 6.3.3 IO 电容
      4. 6.3.4 动态电阻
      5. 6.3.5 直流击穿电压
      6. 6.3.6 超低漏电流
      7. 6.3.7 钳位电压
      8. 6.3.8 业界通用的引线式封装
    4. 6.4 器件功能模式
  8. 7 应用和实施
    1. 7.1 应用信息
    2. 7.2 典型应用
      1. 7.2.1 设计要求
      2. 7.2.2 详细设计过程
      3. 7.2.3 应用曲线
  9. 8 电源相关建议
  10. 9 布局
    1. 9.1 布局指南
    2. 9.2 布局示例
  11. 10器件和文档支持
    1. 10.1 文档支持
      1. 10.1.1 相关文档
    2. 10.2 接收文档更新通知
    3. 10.3 支持资源
    4. 10.4 商标
    5. 10.5 静电放电警告
    6. 10.6 术语表
  12. 11修订历史记录
  13. 12机械、封装和可订购信息

7.2.2 详细设计过程

ESD762 的 VRWM 为 ±24V，可防止二极管在短路事件期间发生损坏，短路事件可能发生在其中一条 USB-PD 低速线路（CC1、CC2、SBU1、SBU2、D+ 和 D-）短接至 VBUS 时。双向特性能够同时保护正极性和负极性。ESD762 器件具有 1.7pF 的低电容，可实现高达 480Mbps 的数据速率，从而使设计人员能够满足 D+ 和 D- 信号的要求。ESD762 具有 IPP = 2.5A (8/20µs) 的浪涌电流，因而适用于保护 VBUS 电源轨。