ZHCSNE5D October   2020  – February 2024 LMG3522R030-Q1

PRODUCTION DATA  

  1.   1
  2. 特性
  3. 应用
  4. 说明
  5. Pin Configuration and Functions
  6. Specifications
    1. 5.1 Absolute Maximum Ratings
    2. 5.2 ESD Ratings
    3. 5.3 Recommended Operating Conditions
    4. 5.4 Thermal Information
    5. 5.5 Electrical Characteristics
    6. 5.6 Switching Characteristics
    7. 5.7 Typical Characteristics
  7. Parameter Measurement Information
    1. 6.1 Switching Parameters
      1. 6.1.1 Turn-On Times
      2. 6.1.2 Turn-Off Times
      3. 6.1.3 Drain-Source Turn-On Slew Rate
  8. Detailed Description
    1. 7.1 Overview
    2. 7.2 Functional Block Diagram
    3. 7.3 Feature Description
      1. 7.3.1  GaN FET Operation Definitions
      2. 7.3.2  Direct-Drive GaN Architecture
      3. 7.3.3  Drain-Source Voltage Capability
      4. 7.3.4  Internal Buck-Boost DC-DC Converter
      5. 7.3.5  VDD Bias Supply
      6. 7.3.6  Auxiliary LDO
      7. 7.3.7  Fault Detection
        1. 7.3.7.1 Overcurrent Protection and Short-Circuit Protection
        2. 7.3.7.2 Overtemperature Shutdown
        3. 7.3.7.3 UVLO Protection
        4. 7.3.7.4 Fault Reporting
      8. 7.3.8  Drive-Strength Adjustment
      9. 7.3.9  Temperature-Sensing Output
      10. 7.3.10 Ideal-Diode Mode Operation
        1. 7.3.10.1 Overtemperature-Shutdown Ideal-Diode Mode
    4. 7.4 Start-Up Sequence
    5. 7.5 Safe Operation Area (SOA)
      1. 7.5.1 Repetitive SOA
    6. 7.6 Device Functional Modes
  9. Application and Implementation
    1. 8.1 Application Information
    2. 8.2 Typical Application
      1. 8.2.1 Design Requirements
      2. 8.2.2 Detailed Design Procedure
        1. 8.2.2.1 Slew Rate Selection
          1. 8.2.2.1.1 Start-Up and Slew Rate With Bootstrap High-Side Supply
        2. 8.2.2.2 Signal Level-Shifting
        3. 8.2.2.3 Buck-Boost Converter Design
      3. 8.2.3 Application Curves
    3. 8.3 Do's and Don'ts
    4. 8.4 Power Supply Recommendations
      1. 8.4.1 Using an Isolated Power Supply
      2. 8.4.2 Using a Bootstrap Diode
        1. 8.4.2.1 Diode Selection
        2. 8.4.2.2 Managing the Bootstrap Voltage
    5. 8.5 Layout
      1. 8.5.1 Layout Guidelines
        1. 8.5.1.1 Solder-Joint Reliability
        2. 8.5.1.2 Power-Loop Inductance
        3. 8.5.1.3 Signal-Ground Connection
        4. 8.5.1.4 Bypass Capacitors
        5. 8.5.1.5 Switch-Node Capacitance
        6. 8.5.1.6 Signal Integrity
        7. 8.5.1.7 High-Voltage Spacing
        8. 8.5.1.8 Thermal Recommendations
      2. 8.5.2 Layout Examples
  10. Device and Documentation Support
    1. 9.1 Documentation Support
      1. 9.1.1 Related Documentation
    2. 9.2 接收文档更新通知
    3. 9.3 支持资源
    4. 9.4 Trademarks
    5. 9.5 静电放电警告
    6. 9.6 Export Control Notice
    7. 9.7 术语表
  11. 10Revision History
  12. 11Mechanical, Packaging, and Orderable Information

重要声明和免责声明

TI 均以原样提供技术性及可靠性数据(包括数据表)、设计资源(包括参考设计)、应用或其他设计建议、网络工具、安全信息和其他资源,不保证其中不含任何瑕疵,且不做任何明示或暗示的担保,包括但不限于对适销性、适合某特定用途或不侵犯任何第三方知识产权的暗示担保。

所述资源可供专业开发人员应用TI 产品进行设计使用。您将对以下行为独自承担全部责任:(1) 针对您的应用选择合适的TI 产品;(2) 设计、验证并测试您的应用;(3) 确保您的应用满足相应标准以及任何其他安全、安保或其他要求。所述资源如有变更,恕不另行通知。TI 对您使用所述资源的授权仅限于开发资源所涉及TI 产品的相关应用。除此之外不得复制或展示所述资源,也不提供其它TI或任何第三方的知识产权授权许可。如因使用所述资源而产生任何索赔、赔偿、成本、损失及债务等,TI对此概不负责,并且您须赔偿由此对TI 及其代表造成的损害。

TI 所提供产品均受TI 的销售条款 (http://www.ti.com.cn/zh-cn/legal/termsofsale.html) 以及ti.com.cn上或随附TI产品提供的其他可适用条款的约束。TI提供所述资源并不扩展或以其他方式更改TI 针对TI 产品所发布的可适用的担保范围或担保免责声明。IMPORTANT NOTICE

邮寄地址:上海市浦东新区世纪大道 1568 号中建大厦 32 楼,邮政编码:200122

Copyright © 2024 德州仪器半导体技术(上海)有限公司