ZHCSM88H July 2008 – October 2023 TPS54331
PRODUCTION DATA
随着 EMI 在越来越多的应用中日益受到关注,TPS54331 器件的内部设计包括用于减少 EMI 的特性。高侧 MOSFET 栅极驱动旨在减少 PH 引脚电压振铃。内部 IC 电源轨被隔离,以降低噪声灵敏度。封装键合线方案用于降低寄生效应。
为了获得最佳的 EMI 性能,外部元件选择和电路板布局布线同样重要。遵循节 8.2.2中列出的步骤来防止潜在的 EMI 问题。