ZHCSM52B June 2024 – January 2025 TMUXHS4612
PRODUCTION DATA
TMUXHS4612 基于专有的 TI 技术,该技术使用由集成电荷泵产生的高电压驱动的 FET 开关来实现低导通状态电阻。凭借低功耗技术,TMUXHS4612 在工作模式下功耗仅为 800µA,在断电 (EN = L) 模式下功耗仅为 32µA。该器件集成了 ESD 保护,能够支持高达 1.5kV 的人体放电模型 (HBM) 和高达 750V 的充电器件模型 (CDM)。TMUXHS4612 还有一项特殊功能,该功能可在 VCC 电源不可用且在 I/O 引脚上施加模拟信号时防止器件反向供电。在这种情况下,此特殊功能可防止器件中出现漏电流。TMUXHS4612 不适合用于传递具有负摆幅的信号。