AMC3302-Q1 是一款精密的隔离放大器,针对基于分流器的电流测量进行了优化。这款完全集成的隔离式直流/直流转换器可实现器件低侧的单电源运行,使该器件成为空间受限应用的独特解决方案。增强型电容式隔离栅已通过 VDE V 0884-11 和 UL1577 认证,并支持高达 1.2kVRMS 的工作电压。
该隔离栅可将系统中以不同共模电压电平运行的各器件隔开,并保护电压较低的器件免受高电压冲击。
AMC3302-Q1 的输入针对直接连接低阻抗分流电阻器或另一个具有低信号电平的低阻抗电压源的情况进行了优化。出色的直流精度和低温漂支持在 –40°C 至 +125°C 的温度范围内进行精确的电流测量。
AMC3302-Q1 的集成直流/直流转换器故障检测和诊断输出引脚可简化系统级设计和诊断。
器件型号 | 封装 | 封装尺寸(标称值) |
---|---|---|
AMC3302-Q1 | SOIC (16) | 10.30mm × 7.50mm |
Date Letter Revision History Changes Intro HTML* (February 2021)to RevisionA (July 2021)
引脚 | 类型 | 说明 | |
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编号 | 名称 | ||
1 | DCDC_OUT | 电源 | 隔离式直流/直流转换器的高侧输出;将此引脚连接到 HLDO_IN 引脚。(1) |
2 | DCDC_HGND | 高侧电源接地 | 隔离式直流/直流转换器的高侧接地基准;将此引脚连接到 HGND 引脚。 |
3 | HLDO_IN | 电源 | 高侧 LDO 的输入;将此引脚连接到 DCDC_OUT 引脚(1) |
4 | NC | — | 无内部连接;将此引脚连接到 HGND 或不连接此引脚。 |
5 | HLDO_OUT | 电源 | 高侧 LDO 的输出。(1) |
6 | INP | 模拟输入 | 同相模拟输入。INP 或 INN 必须有一个到 HGND 的直流电流路径来定义共模输入电压。(2) |
7 | INN | 模拟输入 | 反相模拟输入。INP 或 INN 必须有一个到 HGND 的直流电流路径来定义共模输入电压。(2) |
8 | HGND | 高侧信号接地 | 高侧模拟接地;将此引脚连接到 DCDC_HGND 引脚。 |
9 | GND | 低侧信号接地 | 低侧模拟接地;将此引脚连接到 DCDC_GND 引脚。 |
10 | OUTN | 模拟输出 | 反相模拟输出。 |
11 | OUTP | 模拟输出 | 同相模拟输出。 |
12 | VDD | 低侧电源 | 低侧电源。(1) |
13 | LDO_OUT | 电源 | 低侧 LDO 的输出;将此引脚连接到 DCDC_IN 引脚。LDO 的输出不得由外部电路加载。(1) |
14 | DIAG | 数字输出 | 低电平有效、开漏状态指示输出;使用一个电阻将此引脚连接到上拉电源(例如,VDD),如果不使用,则将此引脚悬空。 |
15 | DCDC_GND | 低侧电源接地 | 隔离式直流/直流转换器的低侧接地基准;将此引脚连接到 GND 引脚。 |
16 | DCDC_IN | 电源 | 隔离式直流/直流转换器的低侧输入;将此引脚连接到 LDO_OUT 引脚。(1) |
最小值 | 最大值 | 单位 | ||
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电源电压 | VDD 至 GND | –0.3 | 6.5 | V |
模拟输入电压 | INP、INN | HGND – 6 | VHLDO_OUT + 0.5 | V |
模拟输出电压 | OUTP、OUTN | GND – 0.5 | VDD + 0.5 | V |
数字输出电压 | DIAG | GND – 0.5 | 6.5 | V |
输入电流 | 连续,除电源引脚外的任何引脚 | -10 | 10 | mA |
温度 | 结温,TJ | 150 | °C | |
贮存温度,Tstg | -65 | 150 |
值 | 单位 | |||
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V(ESD) | 静电放电 | 人体放电模型 (HBM),符合 AEC Q100-002(1), HBM ESD 分类等级 2 |
±2000 | V |
充电器件模型 (CDM),符合 AEC Q100-011, CDM ESD 分类等级 C6 |
±1000 |
最小值 | 标称值 | 最大值 | 单位 | |||
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电源 | ||||||
VDD | 低侧电源 | VDD 至 GND | 3 | 3.3 | 5.5 | V |
模拟输入 | ||||||
VClipping | 削波输出前的差分输入电压 | VIN = VINP – VINN | ±64 | mV | ||
VFSR | 额定线性差分满量程电压 | VIN = VINP – VINN | -50 | 50 | mV | |
绝对共模输入电压(1) | (VINP + VINN) / 2 至 HGND | -2 | VHLDO_OUT | V | ||
VCM | 工作共模输入电压 | (VINP + VINN) / 2 至 HGND | –0.032 | 1 | V | |
温度范围 | ||||||
TA | 额定环境温度 | -40 | 125 | °C |
热指标(1) | AMC3302-Q1 | 单位 | |
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DWE (SOIC) | |||
16 引脚 | |||
RθJA | 结至环境热阻 | 73.5 | °C/W |
RθJC(top) | 结至外壳(顶部)热阻 | 31 | °C/W |
RθJB | 结至电路板热阻 | 44 | °C/W |
YJT | 结至顶部特征参数 | 16.7 | °C/W |
YJB | 结至电路板特征参数 | 42.8 | °C/W |
RθJC(bot) | 结至外壳(底部)热阻 | 不适用 | °C/W |
参数 | 测试条件 | 最小值 | 典型值 | 最大值 | 单位 | |
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PD | 最大功耗 | VDD = 5.5 V | 231 | mW | ||
VDD = 3.6 V | 151 |
参数 | 测试条件 | 值 | 单位 | |
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常规 | ||||
CLR | 外部间隙(1) | 引脚间的最短空间距离 | ≥ 8 | mm |
CPG | 外部爬电距离(1) | 引脚间的最短封装表面距离 | ≥ 8 | mm |
DTI | 绝缘穿透距离 | 最小内部间隙(内部间隙 – 电容式信号隔离) | ≥ 21 | µm |
最小内部间隙(内部间隙 – 变压器电源隔离) | ≥ 120 | |||
CTI | 相对漏电起痕指数 | DIN EN 60112 (VDE 0303-11);IEC 60112 | ≥ 600 | V |
材料组别 | 符合 IEC 60664-1 | I | ||
过压类别 (符合 IEC 60664-1) |
额定市电电压 ≤ 600 VRMS | I-III | ||
额定市电电压 ≤ 1000 VRMS | I-II | |||
DIN VDE V 0884-11 (VDE V 0884-11):2017-01(2) | ||||
VIORM | 最大重复峰值隔离电压 | 在交流电压下(双极) | 1700 | VPK |
VIOWM | 最大额定隔离 工作电压 |
在交流电压下(正弦波);时间依赖型电介质击穿 (TDDB) 测试 | 1200 | VRMS |
在直流电压下 | 1700 | VDC | ||
VIOTM | 最大瞬态 隔离电压 |
VTEST = VIOTM,t = 60s(合格测试) | 6000 | VPK |
VTEST = 1.2 × VIOTM,t = 1s(100% 生产测试) | 7200 | VPK | ||
VIOSM | 最大浪涌 隔离电压(3) |
符合 IEC 60065 的测试方法,1.2/50μs 波形, VTEST = 1.6 × VIOSM = 10000VPK(合格测试) |
6250 | VPK |
qpd | 视在电荷(4) | 方法 a,输入/输出安全测试子组 2/3 后, Vini = VIOTM,tini = 60s,Vpd(m) = 1.2 × VIORM,tm = 10s |
≤ 5 | pC |
方法 a,环境测试子组 1 后, Vini = VIOTM,tini = 60s;Vpd(m) = 1.6 × VIORM,tm = 10s |
≤ 5 | |||
方法 b1,常规测试(100% 量产测试)和预调节(类型测试), Vini = VIOTM,tini = 1s;Vpd(m) = 1.875 × VIORM,tm = 1s |
≤ 5 | |||
CIO | 势垒电容, 输入至输出(5) |
VIO = 0.5VPP (1MHz) | 约 4.5 | pF |
RIO | 绝缘电阻, 输入至输出(5) |
VIO = 500V (TA = 25°C) | > 1012 | Ω |
VIO = 500V (100°C ≤ TA ≤ 125°C) | > 1011 | |||
VIO = 500V,TS = 150°C | > 109 | |||
污染等级 | 2 | |||
气候类别 | 40/125/21 | |||
UL1577 | ||||
VISO | 可承受的隔离电压 | VTEST = VISO = 4250VRMS 或 6000VDC,t = 60s(鉴定测试), VTEST = 1.2 × VISO,t = 1s(100% 生产测试) |
4250 | VRMS |