本资源的原文使用英文撰写。 为方便起见,TI 提供了译文;由于翻译过程中可能使用了自动化工具,TI 不保证译文的准确性。 为确认准确性,请务必访问 ti.com 参考最新的英文版本(控制文档)。
TMP1826 是一款高精度、1-Wire® 兼容的数字输出温度传感器,配有集成式 2Kb EEPROM 且适用的工作温度范围较大,从 –55°C 至 +150°C。 TMP1826 在 +10°C 至 +45°C 的温度范围,精度可高达 ±0.1°C(典型值)/±0.2°C(最大值)。每个器件都带有一个工厂编程的 64 位唯一标识号,用于寻址和 NIST 可追溯性。 TMP1826 支持传统应用的标准速度模式和具有 90kbps 数据速率的过驱模式,可在 1.7V 至 5.5V 的宽电压范围内实现低延迟通信。
在最简单的运行模式下, TMP1826 1-Wire® 接口在数据引脚上集成了 8kV IEC-61000-4-2 ESD 保护,在总线供电模式下只需要一个连接和一个接地回路,从而通过减少电线和外部保护元件的数量来降低成本。此外,VDD 电源引脚还可用于需要专用电源的应用中。
1-Wire® 是 Maxim Integrated Products Inc. 的注册商标。
TMP1826 上的 2Kb EEPROM 允许主机以 64 位为增量存储应用数据。用户可编程256 位页面大小的写保护可避免意外覆盖,EEPROM 可用作非易失性只读存储器。四个数字 I/O 引脚可配置用于通用功能、温度警报或提供主机以识别器件在共享总线上的位置。
特性 | TMP1826 | TMP1827 | TMP1827N(1) |
---|---|---|---|
最佳精度 | 0.2°C | 0.2°C | 0.9°C |
温度范围 | –55°C 至 +150°C | –55°C 至 +150°C | –55°C 至 +150°C |
存储大小 | 2Kb | 2Kb | 2Kb |
存储器写保护 | 是 | 是 | 是 |
认证存储器写入 | - | 是 | 是 |
身份验证类型 | - | SHA-256-HMAC | SHA-256-HMAC |
总线速度 | 标准和过驱 | 标准和过驱 | 标准和过驱 |
直接替代封装 | NGR (2.5mm × 2.5mm, WSON) | NGR (2.5mm × 2.5mm, WSON) | NGR (2.5mm × 2.5mm, WSON) |
替代封装 | DGK (3.0mm × 4.9mm, VSSOP) | - | - |
引脚 | 类型(1) | 说明 | ||
---|---|---|---|---|
名称 | WSON | VSSOP | ||
ADDR | 3 | 3 | I | 电阻地址选择。如果未使用,TI 建议将引脚接地 |
GND | 4 | 4 | — | 接地 |
IO0 | 6 | 6 | I/O | 通用数字开漏 IO。如果未使用,TI 建议将引脚接地 |
IO1 | 7 | 7 | I/O | 通用数字开漏 IO。如果未使用,TI 建议将引脚接地 |
IO2/ALERT | 8 | 8 | I/O | 通用数字开漏 IO 或可配置为温度警报。如果未使用,TI 建议将引脚接地 |
IO3 | 5 | 5 | I/O | 通用数字开漏 IO。如果未使用,TI 建议将引脚接地 |
SDQ | 2 | 2 | I/O | 串行双向数据。在总线供电模式下,该引脚用于为内部电容器供电 |
VDD | 1 | 1 | I | VDD 供电模式下的电源电压。在总线供电模式下,必须接地 |
最小值 | 最大值 | 单位 | ||
---|---|---|---|---|
电源电压 | VDD | 6.5 | V | |
I/O电压 | SDQ,总线供电模式 | –0.3 | 6.5 | V |
SDQ,电源供电模式 | –0.3 | VDD + 0.3 | ||
I/O电压 | IO0、IO1、IO2、IO3 | –0.3 | 6.5 | V |
输入电压 | ADDR | -0.3 | 1.65 | V |
运行结温,TJ | -55 | 155 | °C | |
贮存温度,Tstg | -65 | 155 | °C |
最小值 | 标称值 | 最大值 | 单位 | ||
---|---|---|---|---|---|
VDD | VDD 供电模式下的电源电压 | 1.7 | 5.5 | V | |
VPUR | 总线供电模式下 SDQ 上的电源电压 (VDD = GND) | 1.7 | 5.5 | V | |
VI/O | VDD 供电模式下的所有 IO 引脚(SDQ 和 ADDR 除外(1)) | 0 | 5.5 | V | |
VDD 供电模式下的 SDQ 引脚 | 0 | VDD + 0.3 | V | ||
TA | 工作环境温度(2) | -55 | 150 | °C |
参数 | 测试条件 | 最小值 | 典型值 | 最大值 | 单位 | ||
---|---|---|---|---|---|---|---|
温度传感器 | |||||||
TERR | 温度精度 (NGR) | 10°C 至 45°C | ±0.1 | ±0.2 | |||
–40°C 至 105°C | ±0.3 | ||||||
-55°C 至 150°C | ±0.4 | ||||||
温度精度 (DGK) | –20°C 至 85°C | ±0.1 | ±0.3 | °C | |||
-55°C 至 150°C | ±0.5 | ||||||
PSR | 直流电源灵敏度 | ±0.03 | °C/V | ||||
TRES | 温度分辨率(高精度格式) | 包括符号位 | 16 | 位 | |||
LSB | 7.8125 | m°C | |||||
TREPEAT | 可重复性(1) | 启用平均值计算,转换时间 = 5.5ms,16 位模式, 1Hz 转换率,300 次采集 |
±2 | LSB | |||
TLTD | 长期稳定性和漂移 | 150°C 时 1000 小时(2) | 0.0625 | °C | |||
THYST | 温度循环和迟滞 | TSTART = -40°C TFINISH = 150°C TTEST = 25°C 3 个周期 |
4 | LSB | |||
tRESP_L | 响应时间(搅拌液体) NGR 封装 |
单层柔性 PCB | τ = 63% 25°C 至 75°C |
0.77 | s | ||
2 层 62mil 刚性 PCB | 1.91 | s | |||||
tACT | 有效转换时间(无平均值计算) | CONV_TIME_SEL = 0 | (图 8-12) | 2.54 | 3 | 3.37 | ms |
CONV_TIME_SEL = 1 | 4.69 | 5.5 | 6.12 | ms | |||
tDELAY | 温度转换的启动延迟 | 100 | 300 | µs | |||
SDQ 数字输入/输出 | |||||||
CIN | SDQ 引脚电容 | 40 | pF | ||||
VIL | 输入逻辑低电平(3) | -0.3 | 0.2 × VS | V | |||
VIH | 输入逻辑高电平(3) | 0.8 × VS | VS + 0.3 | V | |||
VHYST | Hysteresis | 0.3 | V | ||||
VOL | 输出低电平 | IOL = –4mA | 0.4 | V | |||
IO 特性 | |||||||
CIN | 输入电容 | 10 | pF | ||||
VIL | 输入逻辑低电平(3) | -0.3 | 0.3 × VS | V | |||
VIH | 输入逻辑高电平(3) | 0.7 × VS | VS + 0.3 | V | |||
IIN | 输入漏电流 | 0 | ±0.12 | µA | |||
VOL | 输出低电平 | IOL = –3mA | 0.4 | V | |||
电阻器地址解码器特性 | |||||||
CLOAD | ADDR 引脚上的负载电容(包括 PCB 寄生效应) | 100 | pF | ||||
RADDR 电阻器范围 | 6.49 | 54.9 | kΩ | ||||
RADDR 电阻器容差 | TA = 25°C | -1.0 | 1.0 | % | |||
RADDR 电阻器温度系数 | –100 | 100 | ppm/°C | ||||
RADDR 电阻器寿命漂移 | -0.2 | 0.2 | % | ||||
tRESDET | 电阻器解码时间 | 2.8 | ms | ||||
电源 | |||||||
IPU | 上拉电流(5) | 总线供电模式,串行总线空闲 | 300 | μA |
|||
IDD_ACTIVE | 温度转换期间的电源电流 | 温度转换,串行总线空闲 | 94 | 154 | μA | ||
IDD_SB | 待机电流(4) | VDD 供电,串行总线处于无效状态,连续转换模式 | TA = -55°C 至 85°C | 1.6 | 4.2 | μA | |
TA=-55°C 至 150°C | 24 | ||||||
IDD_SD | 关断电流 | 串行总线处于无效状态,单次转换模式 | TA = -55°C 至 85°C | 1.3 | 3.3 | μA | |
TA=-55°C 至 150°C | 23.2 | ||||||
VPOR | 上电复位阈值电压 | 电源上升 (图 7-4, 图 7-5) | 1.5 | V | |||
欠压检测 | 电源下降 | 1.3 | V | ||||
tINIT | POR 初始化时间 | 上电后器件复位所需的时间 (图 7-4, 图 7-5) | 2.0 | ms |
标准模式 | 过驱模式 | 单位 | ||||
---|---|---|---|---|---|---|
最小值 | 最大值 | 最小值 | 最大值 | |||
总线复位和位时隙时序 | ||||||
tRSTL | 主机到器件总线复位脉冲宽度(图 7-1)(1) | 480 | 560 | 48 | 80 | µs |
tRSTH | 器件到主机响应时间(图 7-1)(2) | 480 | 48 | µs | ||
tPDH | 总线复位响应的器件周转时间(图 7-1) | 15 | 60 | 2 | 8 | µs |
tPDL | 器件到主机响应脉冲宽度(图 7-1) | 60 | 240 | 8 | 24 | µs |
tSLOT | 位时隙时间(图 7-2、图 7-3)(5) | tWR0L + tRC | tWR0L + tRC | µs | ||
tREC | 恢复时间(图 7-2、图 7-3) | 2 | 2 | µs | ||
tGF | 干扰滤波器宽度(图 7-6)(3) | 0.48 | 0.025 | µs | ||
tF | 下降时间 | 100 | 100 | ns | ||
位写入时序 | ||||||
tWR0L | 主机写入 0 宽度(图 7-2) | 60 | 120 | 9 | 10 | µs |
tWR1L | 主机写入 1 宽度(图 7-2) | 2 | 15 | 1 | 2 | µs |
tRDV | 器件读取数据有效时间(图 7-2) | 15 | 2 | µs | ||
tDSW | 器件读取数据窗口(图 7-2) | 15 | 45 | 2 | 7 | µs |
位读取时序 | ||||||
tRL | 主机驱动器读取位时隙时间(图 7-3)(4) | 2.5 | 5 | 2 | 3 | µs |
tRWAIT | 读取数据采样窗口之前的主机等待时间(图 7-3)(5) | tRL+tRC | tRL+tRC | µs | ||
tMSW | 主机读取数据采样窗口(图 7-3)(5) | tRL+tRC | 30 | tRL+tRC | 3 | µs |
最小值 | 典型值 | 最大值 | 单位 | |||
---|---|---|---|---|---|---|
tPROG | 用户 EEPROM 中 8 字节数据字的编程时间 | 13.2 | 21 | ms | ||
寄存器复制到 EEPROM 的编程时间 | 26.4 | 42 | ms | |||
tREADIDLE | EEPROM 8 字节数据读取的空闲总线时间 | 560 | µs | |||
IDD_PROG | 编程电流 | 178 | 230 | µA | ||
数据保留 | TA = 125°C 时 | 25 | 年 | |||
TA = 150°C 时 | 10 | 年 | ||||
编程耐久性 | TA = 125°C 时 | 20000 | 200000 | 个周期 | ||
TA = 150°C 时 | 1000 | 10000 | 个周期 |
TA = 25°C | ||
TA = 25°C |
TA = 25°C |
TA = 25°C、5.5ms 转换时间、取平均值功能开启、16 位格式 |
TMP1826 是一款数字输出温度传感器,专为热管理和热保护应用而设计。TMP1826 是一款 1-Wire® 器件,可在电源供电或总线供电(寄生供电)模式下运行。此器件具有 2Kb EEPROM。图 8-1 显示了 TMP1826 方框图。