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  • 搭载集成式 ±0.2°C 温度传感器的TMP1826 2-Kbit EEPROM，兼容 1-Wire® 协议

    • ZHCSM33D February   2022  – January 2025 TMP1826

      PRODUCTION DATA  

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  • 搭载集成式 ±0.2°C 温度传感器的TMP1826 2-Kbit EEPROM，兼容 1-Wire® 协议
  1.   1
  2. 1 特性
  3. 2 应用
  4. 3 说明
  5. 4 说明（续）
  6. 5 器件比较
  7. 6 引脚配置和功能
  8. 7 规格
    1. 7.1 绝对最大额定值
    2. 7.2 ESD 等级
    3. 7.3 建议运行条件
    4. 7.4 热性能信息
    5. 7.5 电气特性
    6. 7.6 1-Wire® 接口时序
    7. 7.7 EEPROM 特性
    8. 7.8 时序图
    9. 7.9 典型特性
  9. 8 详细说明
    1. 8.1 概述
    2. 8.2 功能方框图
    3. 8.3 特性说明
      1. 8.3.1  上电
      2. 8.3.2  电源模式开关
      3. 8.3.3  总线上拉电阻器
      4. 8.3.4  温度结果
      5. 8.3.5  温度偏移
      6. 8.3.6  温度警报
      7. 8.3.7  标准器件地址
        1. 8.3.7.1 唯一 64 位器件地址和 ID
      8. 8.3.8  灵活器件地址
        1. 8.3.8.1 非易失性短地址
        2. 8.3.8.2 IO 硬件地址
        3. 8.3.8.3 电阻地址
        4. 8.3.8.4 合并的 IO 和电阻地址
      9. 8.3.9  CRC 生成
      10. 8.3.10 功能寄存器映射
      11. 8.3.11 用户存储器映射
      12. 8.3.12 位通信
        1. 8.3.12.1 主机写入，器件读取
        2. 8.3.12.2 主机读取，器件写入
      13. 8.3.13 总线速度
      14. 8.3.14 NIST 可追溯性
    4. 8.4 器件功能模式
      1. 8.4.1 转换模式
        1. 8.4.1.1 基本单次转换模式
        2. 8.4.1.2 自动转换模式
        3. 8.4.1.3 堆叠式转换模式
        4. 8.4.1.4 连续转换模式
      2. 8.4.2 警报功能
        1. 8.4.2.1 警报模式
        2. 8.4.2.2 比较器模式
      3. 8.4.3 1-Wire® 接口通信
        1. 8.4.3.1 总线复位相
        2. 8.4.3.2 地址相
          1. 8.4.3.2.1 READADDR (33h)
          2. 8.4.3.2.2 MATCHADDR (55h)
          3. 8.4.3.2.3 SEARCHADDR (F0h)
          4. 8.4.3.2.4 ALERTSEARCH (ECh)
          5. 8.4.3.2.5 SKIPADDR (CCh)
          6. 8.4.3.2.6 OVD SKIPADDR (3Ch)
          7. 8.4.3.2.7 OVD MATCHADDR (69h)
          8. 8.4.3.2.8 FLEXADDR (0Fh)
        3. 8.4.3.3 功能相
          1. 8.4.3.3.1  CONVERTTEMP (44h)
          2. 8.4.3.3.2  WRITE SCRATCHPAD-1 (4Eh)
          3. 8.4.3.3.3  READ SCRATCHPAD-1 (BEh)
          4. 8.4.3.3.4  COPY SCRATCHPAD-1 (48h)
          5. 8.4.3.3.5  WRITE SCRATCHPAD-2 (0Fh)
          6. 8.4.3.3.6  READ SCRATCHPAD-2 (AAh)
          7. 8.4.3.3.7  COPY SCRATCHPAD-2 (55h)
          8. 8.4.3.3.8  READ EEPROM (F0h)
          9. 8.4.3.3.9  GPIO WRITE (A5h)
          10. 8.4.3.3.10 GPIO READ (F5h)
      4. 8.4.4 NVM 运营
        1. 8.4.4.1 对用户数据编程
        2. 8.4.4.2 寄存器和存储器保护
          1. 8.4.4.2.1 暂存区 1 寄存器保护
          2. 8.4.4.2.2 用户存储器保护
    5. 8.5 编程
      1. 8.5.1 单器件温度转换和读取
      2. 8.5.2 多器件温度转换和读取
      3. 8.5.3 寄存器暂存区 1 更新和提交
      4. 8.5.4 单器件 EEPROM 编程和验证
      5. 8.5.5 单器件 EEPROM 页面锁定操作
      6. 8.5.6 多器件 IO 读取
      7. 8.5.7 多器件 IO 写入
    6. 8.6 寄存器映射
      1. 8.6.1  温度结果 LSB 寄存器（暂存-1 偏移 = 00h) [复位 = 00h]
      2. 8.6.2  温度结果 MSB 寄存器（暂存-1 偏移 = 01h) [复位 = 00h]
      3. 8.6.3  状态寄存器（暂存-1 偏移 = 02h) [复位 = 3Ch]
      4. 8.6.4  器件配置-1 寄存器（暂存-1 偏移 = 04h) [复位 = 70h]
      5. 8.6.5  器件配置-2 寄存器（暂存-1 偏移 = 05h) [复位 = 80h]
      6. 8.6.6  短地址寄存器（暂存-1 偏移 = 06h) [复位 = 00h]
      7. 8.6.7  温度警报低 LSB 寄存器（暂存-1 偏移 = 08h) [复位 = 00h]
      8. 8.6.8  温度警报低 MSB 寄存器（暂存-1 偏移 = 09h) [复位 = 00h]
      9. 8.6.9  温度警报高 LSB 寄存器（暂存-1 偏移 = 0Ah) [复位 = F0h]
      10. 8.6.10 温度警报高 MSB 寄存器（暂存-1 偏移 = 0Bh) [复位 = 07h]
      11. 8.6.11 温度偏移 LSB 寄存器（暂存-1 偏移 = 0Ch) [复位 = 00h]
      12. 8.6.12 温度偏移 MSB 寄存器（暂存-1 偏移 = 0Dh) [复位 = 00h]
      13. 8.6.13 IO 读取寄存器 [复位 = F0h]
      14. 8.6.14 IO 配置寄存器 [复位 = 00h]
  10. 9 应用和实施
    1. 9.1 应用信息
    2. 9.2 典型应用
      1. 9.2.1 总线供电应用
        1. 9.2.1.1 设计要求
        2. 9.2.1.2 详细设计过程
      2. 9.2.2 电源供电类应用
        1. 9.2.2.1 设计要求
        2. 9.2.2.2 详细设计过程
      3. 9.2.3 UART 通信接口
        1. 9.2.3.1 设计要求
        2. 9.2.3.2 详细设计过程
    3. 9.3 电源相关建议
    4. 9.4 布局
      1. 9.4.1 布局指南
      2. 9.4.2 布局示例
  11. 10器件和文档支持
    1. 10.1 文档支持
      1. 10.1.1 相关文档
    2. 10.2 接收文档更新通知
    3. 10.3 支持资源
    4. 10.4 商标
    5. 10.5 静电放电警告
    6. 10.6 术语表
  12. 11修订历史记录
  13. 12机械、封装和可订购信息
  14. 重要声明
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Data Sheet

搭载集成式 ±0.2°C 温度传感器的TMP1826 2-Kbit EEPROM，兼容 1-Wire® 协议

本资源的原文使用英文撰写。 为方便起见，TI 提供了译文；由于翻译过程中可能使用了自动化工具，TI 不保证译文的准确性。 为确认准确性，请务必访问 ti.com 参考最新的英文版本（控制文档）。

下载最新的英语版本

1 特性

  • 具有多点共享总线和循环冗余校验 (CRC) 的 1-Wire® 接口
  • 总线由工作电压供电：1.7V 至 5.5V
  • IEC 61000-4-2 ESD 用于 8kV 接触放电
  • 功能安全型
    • 可提供用于功能安全系统设计的文档
  • 高精度数字温度传感器（WSON 封装）
    • +10°C 至 +45°C 范围内为 ±0.2°C（最大值）
    • –40°C 至 +105°C 范围内为 ±0.3°C（最大值）
    • –55°C 至 +150°C 范围内为 ±0.4°C（最大值）
  • 高精度数字温度传感器（VSSOP 封装）
    • –20°C 至 +85°C 范围内为 ±0.3°C（最大值）
    • –55°C 至 +150°C 范围内为 ±0.5°C（最大值）
  • 温度测量电流：94µA
  • 关断电流：1.3µA
  • 16 位温度分辨率：7.8125m°C (1LSB)
  • 超驱速度下的快速数据速率为 90kbps
  • 灵活的用户可编程短地址模式，用于更快的器件寻址
  • 2Kb EEPROM 特性：
    • 64 位块大小的写操作
    • 连续读取模式
    • 使用 256 位页面大小读取并具有写保护
    • 编程电流：178µA
  • 用于器件寻址的 NIST 可追溯出厂编程不可擦除 64 位标识号
  • 四个可配置的开漏数字输入输出和温度警报

2 应用

  • 工厂自动化和控制
  • 电器
  • 医疗配件
  • CPAP 呼吸机
  • 电池充电器 IC
  • 电动汽车充电基础设施
  • LED 照明
  • 温度变送器
  • 冷链

3 说明

TMP1826 是一款高精度、1-Wire® 兼容的数字输出温度传感器，配有集成式 2Kb EEPROM 且适用的工作温度范围较大，从 –55°C 至 +150°C。 TMP1826 在 +10°C 至 +45°C 的温度范围，精度可高达 ±0.1°C（典型值）/±0.2°C（最大值）。每个器件都带有一个工厂编程的 64 位唯一标识号，用于寻址和 NIST 可追溯性。 TMP1826 支持传统应用的标准速度模式和具有 90kbps 数据速率的过驱模式，可在 1.7V 至 5.5V 的宽电压范围内实现低延迟通信。

在最简单的运行模式下， TMP1826 1-Wire® 接口在数据引脚上集成了 8kV IEC-61000-4-2 ESD 保护，在总线供电模式下只需要一个连接和一个接地回路，从而通过减少电线和外部保护元件的数量来降低成本。此外，VDD 电源引脚还可用于需要专用电源的应用中。

1-Wire® 是 Maxim Integrated Products Inc. 的注册商标。

封装信息
器件型号 封装(1)(2) 封装尺寸（标称值）
TMP1826 WSON (8) 2.50mm × 2.50mm
VSSOP (8) 3.00mm × 4.90mm
(1) 如需了解所有可用封装，请参阅数据表末尾的可订购产品附录。
(2) 这些封装选项与 1-Wire® 器件兼容。1-Wire® 是 Maxim Integrated Products Inc. 的注册商标。
TMP1826 简化版原理图简化版原理图

4 说明（续）

TMP1826 上的 2Kb EEPROM 允许主机以 64 位为增量存储应用数据。用户可编程256 位页面大小的写保护可避免意外覆盖，EEPROM 可用作非易失性只读存储器。四个数字 I/O 引脚可配置用于通用功能、温度警报或提供主机以识别器件在共享总线上的位置。

5 器件比较

表 5-1 器件比较
特性 TMP1826 TMP1827 TMP1827N(1)
最佳精度 0.2°C 0.2°C 0.9°C
温度范围 –55°C 至 +150°C –55°C 至 +150°C –55°C 至 +150°C
存储大小 2Kb 2Kb 2Kb
存储器写保护 是 是 是
认证存储器写入 ­- 是 是
身份验证类型 - SHA-256-HMAC SHA-256-HMAC
总线速度 标准和过驱 标准和过驱 标准和过驱
直接替代封装 NGR (2.5mm × 2.5mm, WSON) NGR (2.5mm × 2.5mm, WSON) NGR (2.5mm × 2.5mm, WSON)
替代封装 DGK (3.0mm × 4.9mm, VSSOP) - -
(1) TMP1827N 是 TMP1827 的可订购选项。请参阅数据表末尾的可订购产品附录。

6 引脚配置和功能

TMP1826 NGR8 引脚 WSON 顶视图图 6-1 NGR8 引脚 WSON 顶视图
TMP1826 DGK 8 引脚 VSSOP 顶视图图 6-2 DGK 8 引脚 VSSOP 顶视图
表 6-1 引脚功能
引脚 类型(1) 说明
名称 WSON VSSOP
ADDR 3 3 I 电阻地址选择。如果未使用，TI 建议将引脚接地
GND 4 4 — 接地
IO0 6 6 I/O 通用数字开漏 IO。如果未使用，TI 建议将引脚接地
IO1 7 7 I/O 通用数字开漏 IO。如果未使用，TI 建议将引脚接地
IO2/ALERT 8 8 I/O 通用数字开漏 IO 或可配置为温度警报。如果未使用，TI 建议将引脚接地
IO3 5 5 I/O 通用数字开漏 IO。如果未使用，TI 建议将引脚接地
SDQ 2 2 I/O 串行双向数据。在总线供电模式下，该引脚用于为内部电容器供电
VDD 1 1 I VDD 供电模式下的电源电压。在总线供电模式下，必须接地
(1) I = 输入；I/O = 输入或输出

7 规格

7.1 绝对最大额定值

在自然通风条件下的温度范围内测得（除非另有说明）(1)
最小值 最大值 单位
电源电压 VDD 6.5 V
I/O电压 SDQ，总线供电模式 –0.3 6.5 V
SDQ，电源供电模式 –0.3 VDD + 0.3
I/O电压 IO0、IO1、IO2、IO3 –0.3 6.5 V
输入电压 ADDR -0.3 1.65 V
运行结温，TJ -55 155 °C
贮存温度，Tstg -65 155 °C
(1) 超出绝对最大额定值运行可能会对器件造成损坏。绝对最大额定值并不表示器件在这些条件下或在建议运行条件以外的任何其他条件下能够正常运行。如果超出建议工作条件但在绝对最大额定值范围内使用，器件可能不会完全正常运行，这可能会影响器件的可靠性、功能和性能，并缩短器件寿命。

7.2 ESD 等级

值 单位
V(ESD) 静电放电 人体放电模型 (HBM)，符合 ANSI/ESDA/JEDEC JS-001 标准(1) 所有引脚 ±2000 V
充电器件模型 (CDM)，符合 ANSI/ESDA/JEDEC JS-002 (2) 所有引脚 ±500 V
IEC 61000-4-2 接触放电 SDQ 引脚 ±8000 V
(1) JEDEC 文档 JEP155 指出：500V HBM 可实现在标准 ESD 控制流程下安全生产。
(2) JEDEC 文件 JEP157 指出：250V CDM 可实现在标准 ESD 控制流程下安全生产。

7.3 建议运行条件

最小值 标称值 最大值 单位
VDD VDD 供电模式下的电源电压 1.7 5.5 V
VPUR 总线供电模式下 SDQ 上的电源电压 (VDD = GND) 1.7 5.5 V
VI/O VDD 供电模式下的所有 IO 引脚（SDQ 和 ADDR 除外(1)） 0 5.5 V
VDD 供电模式下的 SDQ 引脚 0 VDD + 0.3 V
TA 工作环境温度(2) -55 150 °C
(1) 如果不使用 ADDR 引脚，建连接到 GND
(2) 在总线供电模式下，过驱速度支持高达 150°C 的工作温度，而标准速度支持高达 105°C 的工作温度（对于整个 VPUR 范围）和高达 125°C 的工作温度（对于 VPUR > 2.5V）（请参阅图 7-18）

7.4 热性能信息

热指标(1) TMP1826 单位
NGR (WSON) DGK (VSSOP)
8 引脚 8 引脚
RθJA 结至环境热阻 66.1 158.2 °C/W
RθJC(top) 结至外壳（顶部）热阻 55.7 52.6 °C/W
RθJC(bot) 结至外壳（底部）热阻 20.2 不适用 °C/W
RθJB 结至电路板热阻 26.3 79.0 °C/W
ψJT 结至顶部特征参数 1.0 4.9 °C/W
ψJB 结至电路板特征参数 26.1 77.5 °C/W
(1) 有关传统和新的热度量的更多信息，请参阅 IC 封装热度量应用报告 SPRA953。

7.5 电气特性

在自然通风条件下的温度范围内且 VDD = 1.7V 至 5.5V 时测得（除非另有说明）；典型值规格条件：TA = 25°C 且 VDD = 3.3V（除非另有说明）
参数 测试条件 最小值 典型值 最大值 单位
温度传感器
TERR 温度精度 (NGR) 10°C 至 45°C ±0.1 ±0.2
–40°C 至 105°C ±0.3
-55°C 至 150°C ±0.4
温度精度 (DGK) –20°C 至 85°C ±0.1 ±0.3 °C
-55°C 至 150°C ±0.5
PSR 直流电源灵敏度 ±0.03 °C/V
TRES 温度分辨率（高精度格式） 包括符号位 16 位
LSB 7.8125 m°C
TREPEAT 可重复性(1) 启用平均值计算，转换时间 = 5.5ms，16 位模式，
1Hz 转换率，300 次采集		 ±2 LSB
TLTD 长期稳定性和漂移 150°C 时 1000 小时(2) 0.0625 °C
THYST 温度循环和迟滞 TSTART = -40°C
TFINISH = 150°C
TTEST = 25°C
3 个周期		 4 LSB
tRESP_L 响应时间（搅拌液体）
NGR 封装		 单层柔性 PCB τ = 63%
25°C 至 75°C		 0.77 s
2 层 62mil 刚性 PCB 1.91 s
tACT 有效转换时间（无平均值计算） CONV_TIME_SEL = 0 (图 8-12) 2.54 3 3.37 ms
CONV_TIME_SEL = 1 4.69 5.5 6.12 ms
tDELAY 温度转换的启动延迟 100 300 µs
SDQ 数字输入/输出
CIN SDQ 引脚电容 40 pF
VIL 输入逻辑低电平(3) -0.3 0.2 × VS V
VIH 输入逻辑高电平(3) 0.8 × VS VS + 0.3 V
VHYST Hysteresis 0.3 V
VOL 输出低电平 IOL = –4mA 0.4 V
IO 特性
CIN 输入电容 10 pF
VIL 输入逻辑低电平(3) -0.3 0.3 × VS V
VIH 输入逻辑高电平(3) 0.7 × VS VS + 0.3 V
IIN 输入漏电流 0 ±0.12 µA
VOL 输出低电平 IOL = –3mA 0.4 V
电阻器地址解码器特性
CLOAD ADDR 引脚上的负载电容（包括 PCB 寄生效应） 100 pF
RADDR 电阻器范围 6.49 54.9 kΩ
RADDR 电阻器容差 TA = 25°C -1.0 1.0 %
RADDR 电阻器温度系数 –100 100 ppm/°C
RADDR 电阻器寿命漂移 -0.2 0.2 %
tRESDET 电阻器解码时间 2.8 ms
电源
IPU 上拉电流(5) 总线供电模式，串行总线空闲 300
μA
IDD_ACTIVE 温度转换期间的电源电流 温度转换，串行总线空闲 94 154 μA
IDD_SB 待机电流(4) VDD 供电，串行总线处于无效状态，连续转换模式 TA = -55°C 至 85°C 1.6 4.2 μA
TA=-55°C 至 150°C 24
IDD_SD 关断电流 串行总线处于无效状态，单次转换模式 TA = -55°C 至 85°C 1.3 3.3 μA
TA=-55°C 至 150°C 23.2
VPOR 上电复位阈值电压 电源上升 (图 7-4, 图 7-5) 1.5 V
欠压检测 电源下降 1.3 V
tINIT POR 初始化时间 上电后器件复位所需的时间 (图 7-4, 图 7-5) 2.0 ms
(1) 可重复性是指在相同条件下连续进行温度测量时重现读数的能力。参阅图 7-12
(2) 在 150°C 结温下进行加速使用寿命测试可确定长期稳定性。
(3) 在总线供电模式下，VS = VPUR。在电源供电模式下，VS = VDD。
(4) 转换之间的静态电流。
(5) 需要使用上拉电流参数来调整总线上拉电阻的大小（请参阅节 8.3.3），以便进行有效温度转换或 EEPROM 读取和编程操作。

 
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