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  • UCC21530 具有 3.3mm 通道到通道间距的 4A、6A、5.7kVRMS 隔离式双通道栅极驱动器

    • ZHCSJ18D October   2018  – November 2024 UCC21530

      PRODUCTION DATA  

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  • UCC21530 具有 3.3mm 通道到通道间距的 4A、6A、5.7kVRMS 隔离式双通道栅极驱动器
  1.   1
  2. 1 特性
  3. 2 应用
  4. 3 说明
  5. 4 引脚配置和功能
  6. 5 规格
    1. 5.1  绝对最大额定值
    2. 5.2  ESD 等级
    3. 5.3  建议运行条件
    4. 5.4  热性能信息
    5. 5.5  功率等级
    6. 5.6  绝缘规格
    7. 5.7  安全限值
    8. 5.8  电气特性
    9. 5.9  时序要求
    10. 5.10 开关特性
    11. 5.11 绝缘特性曲线
    12. 5.12 典型特性
  7. 6 参数测量信息
    1. 6.1 传播延迟和脉宽失真度
    2. 6.2 上升至下降时间
    3. 6.3 输入和使能响应时间
    4. 6.4 可编程死区时间
    5. 6.5 上电 UVLO 到输出延迟
    6. 6.6 CMTI 测试
  8. 7 详细说明
    1. 7.1 概述
    2. 7.2 功能方框图
    3. 7.3 特性说明
      1. 7.3.1 VDD、VCCI 和欠压锁定 (UVLO)
      2. 7.3.2 输入和输出逻辑表
      3. 7.3.3 输入级
      4. 7.3.4 输出级
      5. 7.3.5 UCC21530-Q1 中的二极管结构
    4. 7.4 器件功能模式
      1. 7.4.1 使能引脚
      2. 7.4.2 可编程死区时间 (DT) 引脚
        1. 7.4.2.1 DT 引脚连接至 VCC
        2. 7.4.2.2 DT 引脚连接至 DT 和 GND 引脚之间的编程电阻器
  9. 8 应用和实施
    1. 8.1 应用信息
    2. 8.2 典型应用
      1. 8.2.1 设计要求
      2. 8.2.2 详细设计过程
        1. 8.2.2.1 设计 INA/INB 输入滤波器
        2. 8.2.2.2 选择死区时间电阻器和电容器
        3. 8.2.2.3 栅极驱动器输出电阻器
        4. 8.2.2.4 估算栅极驱动器功率损耗
        5. 8.2.2.5 估算结温
        6. 8.2.2.6 选择 VCCI、VDDA/B 电容器
          1. 8.2.2.6.1 选择 VCCI 电容器
        7. 8.2.2.7 其他应用示例电路
      3. 8.2.3 应用曲线
  10. 9 电源相关建议
  11. 10布局
    1. 10.1 布局指南
      1. 10.1.1 元件放置注意事项
      2. 10.1.2 接地注意事项
      3. 10.1.3 高电压注意事项
      4. 10.1.4 散热注意事项
    2. 10.2 布局示例
  12. 11器件和文档支持
    1. 11.1 第三方产品免责声明
    2. 11.2 文档支持
      1. 11.2.1 相关文档
    3. 11.3 接收文档更新通知
    4. 11.4 支持资源
    5. 11.5 商标
    6. 11.6 术语表
  13. 12修订历史记录
  14. 13机械、封装和可订购信息
  15. 重要声明
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Data Sheet

UCC21530 具有 3.3mm 通道到通道间距的 4A、6A、5.7kVRMS 隔离式双通道栅极驱动器

本资源的原文使用英文撰写。 为方便起见，TI 提供了译文；由于翻译过程中可能使用了自动化工具，TI 不保证译文的准确性。 为确认准确性，请务必访问 ti.com 参考最新的英文版本（控制文档）。

下载最新的英语版本

1 特性

  • 通用：双通道低侧、双通道高侧或半桥驱动器
  • 宽体 SOIC-14 (DWK) 封装
  • 驱动器通道之间具有 3.3mm 的间距
  • 开关参数：
    • 33ns 典型传播延迟
    • 20ns 最小脉冲宽度
    • 6ns 最大脉宽失真
  • 共模瞬态抗扰度 (CMTI) 大于 125V/ns
  • 4A 峰值拉电流和 6A 峰值灌电流输出
  • TTL 和 CMOS 兼容输入
  • 输入 VCCI 范围为 3V 至 18V
  • 高达 25V 的 VDD 输出驱动电源
  • 可编程的重叠和死区时间
  • 结温范围：–40°C 至 +150°C
  • 安全相关认证（计划）：
    • 符合 DIN EN IEC 60747-17 (VDE 0884-17) 的 8000VPK 增强型隔离
    • 符合 UL 1577 标准且长达 1 分钟的 5.7kVRMS 隔离
    • 符合 GB4943.1-2022 标准的 CQC 认证

2 应用

  • 太阳能串式和中央逆变器
  • 交流/直流和直流/直流充电桩
  • 交流逆变器和伺服驱动器
  • 交流/直流和直流/直流电力输送
  • 储能系统

3 说明

UCC21530 是一款隔离式双通道栅极驱动器，具有 4A 峰值拉电流和 6A 峰值灌电流。该驱动器可用于驱动高达 5MHz 的 IGBT、Si MOSFET 和 SiC MOSFET。

输入侧通过一个 5.7kVRMS 增强型隔离栅与两个输出驱动器相隔离，其共模瞬态抗扰度 (CMTI) 的最小值为 125V/ns。两个次级侧驱动器之间的内部功能隔离支持高达 1850V 的工作电压。

该器件可配置为两个低侧驱动器、两个高侧驱动器或一个死区时间 (DT) 可编程的半桥驱动器。EN 引脚拉至低电平时会同时关闭两个输出，悬空或拉高时可使器件恢复正常运行。作为一种失效防护机制，初级侧逻辑故障会强制两个输出为低电平。

该器件接受的 VDD 电源电压高达 25V。凭借 3V 至 18V 宽输入 VCCI 电压范围，该驱动器适用于连接模拟和数字控制器。所有电源电压引脚都具有欠压锁定 (UVLO) 保护功能。

器件信息
器件型号封装(1)封装尺寸（标称值）
UCC21530 DWK（SOIC，14） 10.30mm × 7.50mm
(1) 有关所有可用封装，请参阅节 13。
UCC21530 功能方框图功能方框图

4 引脚配置和功能

UCC21530 DWK 封装，14 引脚 SOIC（顶视图）图 4-1 DWK 封装，14 引脚 SOIC（顶视图）
表 4-1 引脚功能
引脚 类型(1) 说明
名称 编号
DT 6 I DT 引脚配置：
  • 将 DT 连接到 VCCI 可禁用 DT 功能并允许输出重叠。
  • 在 DT 和 GND 之间放置一个电阻器 (RDT) 可根据以下公式调整死区时间：DT (ns) = 10 × RDT (kΩ)。TI 建议靠近 DT 引脚放置一个 ≤1nF 的陶瓷电容器来旁路此引脚，从而实现更佳的抗噪性能。不建议将 DT 引脚悬空。
EN 5 I 设置为高电平时会同时启用两个驱动器输出，而设置为低电平时则会禁用输出。如果不使用该引脚，则建议将其连接至 VCCI，以实现更好的抗噪性能。连接到远距离微控制器时，可在靠近 EN 引脚处放置约 1nF 的低 ESR/ESL 电容器进行旁路。
GND 4 P 初级侧地基准。初级侧的所有信号都以该地为基准。
INA 1 I A 通道的输入信号。INA 输入具有兼容 TTL/CMOS 的输入阈值。该引脚在保持开路时在内部被拉至低电平。为了实现更好的抗噪性能，如果不使用该引脚，则建议将其接地。
INB 2 I B 通道的输入信号。INB 输入具有兼容 TTL/CMOS 的输入阈值。该引脚在保持开路时在内部被拉至低电平。为了实现更好的抗噪性能，如果不使用该引脚，则建议将其接地。
NC 7 – 无内部连接。此引脚可保持悬空、连接至 VCCI 或连接至 GND。
OUTA 15 O 驱动器 A 的输出。连接到 A 通道 FET 或 IGBT 的栅极。
OUTB 10 O 驱动器 B 的输出。连接到 B 通道 FET 或 IGBT 的栅极。
VCCI 3 P 初级侧电源电压。使用尽可能靠近器件的低 ESR/ESL 电容器在本地进行去耦（连接至 GND）。
VCCI 8 P 初级侧电源电压。此引脚在内部短接至引脚 3。
VDDA 16 P 驱动器 A 的次级侧电源。使用尽可能靠近器件的低 ESR/ESL 电容器在本地进行去耦（连接至 VSSA）。
VDDB 11 P 驱动器 B 的次级侧电源。使用尽可能靠近器件的低 ESR/ESL 电容器在本地进行去耦（连接至 VSSB）。
VSSA 14 P 次级侧驱动器 A 接地。次级侧 A 通道的接地参考。
VSSB 9 P 次级侧驱动器 B 接地。次级侧 B 通道的接地参考。
(1) P = 电源，I = 输入，O = 输出

5 规格

5.1 绝对最大额定值

在自然通风条件下的工作温度范围内测得（除非另有说明）(1)
最小值 最大值 单位
输入偏置引脚电源电压 VCCI 至 GND -0.3 20 V
驱动器辅助电源 VDDA-VSSA、VDDB-VSSB -0.3  30 V
输出信号电压 OUTA 至 VSSA、OUTB 至 VSSB -0.3 VDDA/B + 0.3 V
OUTA 至 VSSA、OUTB 至 VSSB、200ns 瞬态 -2  VDDA/B + 0.3 V
输入信号电压 INA、INB、EN、DT 至 GND -0.3 VCCI + 0.3 V
50ns INA、INB 瞬态 -5 VCCI + 0.3 V
通道间内部隔离电压 采用 DWK 封装的 |VSSA-VSSB| 1850 V
结温，TJ(2) -40 150 ℃
贮存温度，Tstg -65 150 ℃
(1) 超出绝对最大额定值 下列出的应力可能会对器件造成永久性损坏。这些仅为应力等级，并不意味着器件在这些条件下以及在建议运行条件 以外的任何其他条件下能够正常运行。长时间处于绝对最大额定条件下可能会影响器件的可靠性。
(2) 要保持 TJ 的建议运行条件，请参阅 6.4 一节。

5.2 ESD 等级

值 单位
V(ESD)                静电放电 人体放电模型 (HBM)，符合 ANSI/ESDA/JEDEC JS-001 标准(1) ±2000 V
充电器件模型 (CDM)，符合 JEDEC 规范 JESD22-C101(2) ±1000
(1) JEDEC 文档 JEP155 指出：500V HBM 时能够在标准 ESD 控制流程下安全生产。
(2) JEDEC 文档 JEP157 指出：250V CDM 时能够在标准 ESD 控制流程下安全生产。 

5.3 建议运行条件

在自然通风条件下的工作温度范围内测得（除非另有说明）
最小值 最大值 单位
VCCI VCCI 输入电源电压 3 18 V
VDDA、VDDB 驱动器输出辅助电源，请参阅 VSS UCC21530B 8V UVLO 版本  9.2 25 V
VDDA、VDDB 驱动器输出辅助电源，请参阅 VSS UCC21530 12V UVLO 版本  13.5 25 V
TJ 结温 -40 150 ℃

5.4 热性能信息

热指标(1) UCC21530 单位
DWK-14 (SOIC)
14 引脚
RθJA 结至环境热阻  74.1  °C/W
RθJC(top) 结至外壳（顶部）热阻 34.1 °C/W
RθJB 结至电路板热阻 32.8 °C/W
ΨJT 结至顶部（中心）特征参数 23.7 °C/W
ΨJB 结至电路板特征参数 32.1 °C/W
(1) 有关新旧热指标的更多信息，请参阅半导体和 IC 封装热指标应用报告。

5.5 功率等级

参数 测试条件 最小值 典型值 最大值 单位
PD 最大功耗（两侧） VCCI = 5V，VDDA/VDDB = 20V，INA/B = 3.3V，460kHz 50% 占空比方波，CL=2.2nF，TJ=150℃，TA=25℃ 950 mW
PDI 最大功耗（发送器侧） 50 mW
PDA、PDB 最大功耗（每个驱动器侧） 450 mW

5.6 绝缘规格

参数 测试条件 规格 单位
一般信息
CLR 外部间隙(1) 端子间的最短空间距离  >8 mm
CPG 外部爬电距离(1) 端子间的最短封装表面距离 >8 mm
DTI 绝缘穿透距离 最小内部间隙 >17 µm
CTI 相对漏电起痕指数 DIN EN 60112 (VDE 0303-11)；IEC 60112 > 600 V
材料组 符合 IEC 60664-1 I
过压类别（符合 IEC 60664-1） 额定市电电压 ≤ 600VRMS I-IV
额定市电电压 ≤ 1000VRMS I-III
DIN EN IEC 60747-17 (VDE 0884-17) (2)
VIORM 最大重复峰值隔离电压 交流电压（双极） 2121 VPK
VIOWM 最大隔离工作电压 交流电压（正弦波）；时间依赖型电介质击穿 (TDDB) 测试 1500 VRMS
直流电压 2121 VDC
VIMP 最大脉冲电压 在空气中进行测试，符合 IEC 62368-1 的 1.2/50µs 波形 7692 VPK
VIOTM 最大瞬态隔离电压 VTEST = VIOTM，t = 60s（鉴定测试）；
VTEST = 1.2 × VIOTM，t = 1s（100% 生产测试）		 8000 VPK
VIOSM 最大浪涌隔离电压(3) VIOSM ≥ 1.3 x VIMP；在油中测试（鉴定测试），1.2/50µs 波形，符合 IEC 62368-1 10000 VPK
qpd 视在电荷(4) 方法 a：I/O 安全测试子组 2/3 后，Vini = VIOTM，tini = 60s；Vpd(m) = 1.2 × VIORM，tm = 10s ≤5 pC
方法 a：环境测试子组 1 后，Vini = VIOTM，tini = 60s；Vpd(m) = 1.6 × VIORM，tm = 10s ≤5
方法 b1：常规测试（100% 生产测试）和预处理（类型测试），Vini = 1.2 × VIOTM，tini = 1s；Vpd(m) = 1.875 × VIORM，tm = 1s ≤5
CIO 势垒电容，输入至输出(5) VIO = 0.4 × sin (2πft)，f = 1MHz 约 1.2 pF
RIO 隔离电阻，输入至输出(5) VIO = 500V，TA = 25°C >1012 Ω
VIO = 500V，100°C ≤ TA ≤ 125°C >1011
VIO = 500V，TS = 150°C >109
污染等级 2
气候类别 40/125/21
UL 1577
VISO 可承受的隔离电压 VTEST = VISO = 5700VRMS，t = 60s（鉴定测试）；VTEST = 1.2 × VISO = 6840VRMS，t = 1s（100% 生产测试）  5700 VRMS
(1) 爬电距离和间隙应满足应用的特定设备隔离标准中的要求。请注意保持电路板设计的爬电距离和间隙，从而确保印刷电路板上隔离器的安装焊盘不会导致此距离缩短。在特定的情况下，印刷电路板上的爬电距离和间隙变得相等。在印刷电路板上插入坡口或肋或同时应用这两项技术可帮助提高这些规格。
(2) 此耦合器仅适用于安全额定值范围内的安全电气绝缘。应借助合适的保护电路来确保符合安全等级。
(3) 在空气或油中执行测试，以确定隔离栅的固有浪涌抗扰度。
(4) 视在电荷是局部放电 (pd) 引起的电气放电。
(5) 将隔离层每一侧的所有引脚都连在一起，构成一个双引脚器件。

5.7 安全限值

参数 测试条件 侧 最小值 典型值 最大值 单位
IS 安全输出电源电流 RθJA = 74.1°C/W，VDDA/B = 15V，TJ = 150°C，TA = 25°C 驱动器 A、驱动器 B 53 mA
RθJA = 74.1°C/W，VDDA/B = 25V，TJ = 150°C，TA = 25°C 32
PS 安全电源 RθJA = 74.1°C/W，TJ = 150°C，TA = 25°C 输入 50 mW
驱动器 A 800
驱动器 B 800
总计 1650
TS 最高安全温度(1) 150 °C
(1) 最高安全温度 TS 与器件指定的最大结温 TJ 的值相同。IS 和 PS 参数分别表示安全电流和安全功率。请勿超出 IS 和 PS 的最大限值。这些限值随环境温度 TA 的变化而变化。“热性能信息”表中的结至空气热阻 RqJA 所属器件安装在引线式表面贴装封装对应的高 K 测试板上。可以使用这些公式计算每个参数的值：TJ = TA + RqJA * P，其中 P 为器件中耗散的功率。TJ(max) = TS = TA + RqJA * PS，其中 TJ(max) 为允许的最大结温。PS = IS * VI，其中 VI 为最大输入电源电压。

5.8 电气特性

除非另有说明，否则 VVCCI = 3.3V 或 5V，从 VCCI 至 GND 的 0.1µF 电容器，VVDDA = VVDDB = 15V（对于 8V 和 12V UVLO 型号），从 VDDA 和 VDDB 至 VSSA 和 VSSB 的 1µF 电容器，TJ = –40°C 至 +150°C
参数 测试条件 最小值 典型值 最大值 单位
电源电流
IVCCI VCCI 静态电流  VINA = 0V，VINB = 0V 1.4 2.0 mA
IVDDA、IVDDB VDDA 和 VDDB 静态电流 VINA = 0V，VINB = 0V 1.0 2.5 mA
IVCCI VCCI 工作电流 (f = 500kHz) 每通道电流 3 3.5 mA
IVDDA、IVDDB VDDA 和 VDDB 工作电流 (f = 500kHz) 每通道电流，COUT = 100pF 2.5 4.2 mA
VCC 电源电压欠压阈值
VVCCI_ON UVLO 上升阈值 2.55 2.7 2.85 V
VVCCI_OFF UVLO 下降阈值 2.35 2.5 2.65 V
VVCCI_HYS UVLO 阈值迟滞 0.2 V
VDD 电源电压欠压阈值
VVDDA_ON、VVDDB_ON UVLO 上升阈值 8V UVLO 7.7  8.5 8.9 V
VVDDA_OFF、VVDDB_OFF UVLO 下降阈值 8V UVLO 7.2  7.9 8.4 V
VVDDA_HYS、VVDDB_HYS UVLO 阈值迟滞 8V UVLO 0.6 V
VVDDA_ON、VVDDB_ON UVLO 上升阈值 12V UVLO 11.7  12.5 13.3  V
VVDDA_OFF、VVDDB_OFF UVLO 下降阈值 12V UVLO 10.7  11.5 12.3 V
VVDDA_HYS、VVDDB_HYS UVLO 阈值迟滞 12V UVLO 1 V
INA、INB 和 ENABLE
VINAH、VINBH、VENH 输入高电平阈值电压 1.2  1.8 2 V
VINAL、VINBL、VENL 输入低电平阈值电压 0.8 1 1.2 V
VINA_HYS、VINB_HYS、VEN_HYS 输入阈值迟滞 0.8 V
VINA、VINB 负瞬态，参考 GND，100ns 脉冲 未经量产测试，仅进行了基准测试 -5 V
输出
IOA+、IOB+ 峰值输出拉电流 CVDD = 10µF，CLOAD = 0.18µF，f = 1kHz，台架测量 4 A
IOA-、IOB- 峰值输出灌电流 CVDD = 10µF，CLOAD = 0.18µF，f = 1kHz，台架测量 6 A
ROHA、ROHB 高电平状态时的输出电阻 IOUT = –10mA，TA = 25°C，ROHA、ROHB 并不表示驱动上拉性能。有关详细信息，请参阅节 5.10 和节 7.3.4 中的 tRISE。 5 Ω
ROLA、ROLB 低电平状态时的输出电阻 IOUT = 10mA；TA = 25°C 0.55 Ω
VOHA、VOHB 高电平状态时的输出电压 VVDDA、VVDDB = 15V，IOUT = –10mA，TA = 25°C 14.95 V
VOLA、VOLB 低电平状态时的输出电压 VVDDA、VVDDB = 15V，IOUT = 10mA，TA = 25°C 5.5 mV

5.9 时序要求

死区时间和重叠编程 最小值 标称值 最大值 单位
DT DT 引脚连接至 VCCI 由 INA、INB 确定的重叠 由 INA、INB 确定的重叠 由 INA、INB 确定的重叠 ns
DT 死区时间，RDT = 10kΩ 80 100 120 ns
DT 死区时间，RDT = 20 kΩ 160 200 240 ns
DT 死区时间，RDT = 50 kΩ 400 500 600 ns

5.10 开关特性

除非另有说明，否则 VVCCI = 3.3V 或 5V，从 VCCI 至 GND 的 0.1µF 电容器，VVDDA = VVDDB = 15V（对于 8V 和 12V UVLO 型号），从 VDDA 和 VDDB 至 VSSA 和 VSSB 的 1µF 电容器，负载电容 COUT = 0pF，TJ = –40°C 至 +150°C（除非另有说明，否则在建议运行条件下测得）
参数 测试条件 最小值 典型值 最大值 单位
tRISE 输出上升时间，20% 至 80% 测量点 COUT = 1.8nF 6 16 ns
tFALL 输出下降时间，90% 至 10% 测量点 COUT = 1.8nF 7 12 ns
tPWmin 最小脉宽 低于最小值时输出关闭，COUT = 0pF 20 ns
tPDHL 从 INx 至 OUTx 下降沿的传播延迟 26  33 45 ns
tPDLH 从 INx 至 OUTx 上升沿的传播延迟 26 33 45 ns
tPWD  脉宽失真 |tPDLH – tPDHL| 6 ns
tDM 双通道驱动器的传播延迟匹配 输入脉宽 = 100ns，500kHz，TJ = -40°C 至 -10°C
|tPDLHA – tPDLHB|，|tPDHLA – tPDHLB|		 6.5 ns
输入脉宽 = 100ns，500kHz，TJ = -10°C 至 +150°C
|tPDLHA – tPDLHB|，|tPDHLA – tPDHLB|		 5 ns
tVCCI+ to OUT VCCI 上电延迟时间：UVLO 上升至 OUTA、OUTB INA 或 INB 连接到 VCCI 50 μs
tVDD+ to OUT VDDA。VDDB 上电延迟时间：UVLO 上升至 OUTA、OUTB INA 或 INB 连接到 VCCI 10 μs
|CMH| 高电平共模瞬态抗扰度（请参阅节 6.6） GND 与 VSSA/B 的压摆率，INA 和 INB 都连接至 GND 或 VCCI；VCM = 1500V 125 V/ns
|CML| 低电平共模瞬态抗扰度（请参阅节 6.6） GND 与 VSSA/B 的压摆率，INA 和 INB 都连接至 GND 或 VCCI；VCM = 1500V 125 V/ns

5.11 绝缘特性曲线

UCC21530 增强型隔离电容器寿命预测
图 5-1 增强型隔离电容器寿命预测
UCC21530 安全相关限制电流的热降额曲线（两个通道同时运行时每个通道的电流），
图 5-2 安全相关限制电流的热降额曲线（两个通道同时运行时每个通道的电流），
UCC21530 安全相关限制功率的热降额曲线
图 5-3 安全相关限制功率的热降额曲线

5.12 典型特性

VDDA = VDDB = 15V（8V 和 12V UVLO 型号），VCCI = 3.3V，TA = 25°C，无负载。（除非另有说明）

UCC21530 每通道电流消耗与频率间的关系
无负载
图 5-4 每通道电流消耗与频率间的关系
UCC21530 每通道电流消耗 (IVDDA/B) 与频率间的关系（10nF 负载，VDD = 15V 或 25V）
图 5-6 每通道电流消耗 (IVDDA/B) 与频率间的关系（10nF 负载，VDD = 15V 或 25V）
UCC21530 每通道 (IVDDA/B) 静态电源电流与温度间的关系（无负载，低电平输入，无开关）
图 5-8 每通道 (IVDDA/B) 静态电源电流与温度间的关系（无负载，低电平输入，无开关）
UCC21530 上升时间及下降时间与负载间的关系
图 5-10 上升时间及下降时间与负载间的关系
UCC21530 传播延迟与温度间的关系
图 5-12 传播延迟与温度间的关系
UCC21530 脉宽失真度与温度之间的关系
图 5-14 脉宽失真度与温度之间的关系
UCC21530 传播延迟匹配 (tDM) 与温度之间的关系
图 5-16 传播延迟匹配 (tDM) 与温度之间的关系
UCC21530 8V UVLO 阈值与温度间的关系
图 5-18 8V UVLO 阈值与温度间的关系
UCC21530 12V UVLO 阈值与温度间的关系
图 5-20 12V UVLO 阈值与温度间的关系
UCC21530 INA/B/EN 低阈值
图 5-22 INA/B/EN 低阈值
UCC21530 死区时间与温度间的关系
图 5-24 死区时间与温度间的关系
UCC21530 每通道电流消耗 (IVDDA/B) 与频率间的关系（1nF 负载，VDD = 15V 或 25V）
图 5-5 每通道电流消耗 (IVDDA/B) 与频率间的关系（1nF 负载，VDD = 15V 或 25V）
UCC21530 每通道 (IVDDA/B) 电源电流与温度间的关系（无负载，不同的开关频率）
图 5-7 每通道 (IVDDA/B) 电源电流与温度间的关系（无负载，不同的开关频率）
UCC21530 IVCCI 静态电源电流与温度间的关系（无负载，低电平输入，无开关）
图 5-9 IVCCI 静态电源电流与温度间的关系（无负载，低电平输入，无开关）
UCC21530 输出电阻与温度之间的关系
图 5-11 输出电阻与温度之间的关系
UCC21530 传播延迟与 VCCI 之间的关系
图 5-13 传播延迟与 VCCI 之间的关系
UCC21530 传播延迟匹配 (tDM) 与 VDD 之间的关系
图 5-15 传播延迟匹配 (tDM) 与 VDD 之间的关系
UCC21530 8V UVLO 迟滞与温度间的关系
图 5-17 8V UVLO 迟滞与温度间的关系
UCC21530 12V UVLO 迟滞与温度间的关系
图 5-19 12V UVLO 迟滞与温度间的关系
UCC21530 INA/B/EN 迟滞与温度间的关系
图 5-21 INA/B/EN 迟滞与温度间的关系
UCC21530 INA/B/EN 高阈值
图 5-23 INA/B/EN 高阈值
UCC21530 死区时间匹配与温度间的关系
图 5-25 死区时间匹配与温度间的关系

6 参数测量信息

6.1 传播延迟和脉宽失真度

图 6-1 显示了如何从通道 A 和 B 的传播延迟中计算脉宽失真度 (tPWD) 和延迟匹配 (tDM)。要测量延迟匹配，两个输入必须同相，并且将 DT 引脚短接至 VCC 来禁用死区时间。

UCC21530 重叠输入，禁用死区时间图 6-1 重叠输入，禁用死区时间

6.2 上升至下降时间

图 6-2 展示了衡量上升时间 (tRISE) 和下降时间 (tFALL) 的标准。有关如何实现较短上升时间和下降时间的更多信息，请参阅节 7.3.4。

UCC21530 上升时间和下降时间标准图 6-2 上升时间和下降时间标准

 
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